磁阻抗组件及其制造方法技术

提供可兼顾高输出化及小型化的磁阻抗组件(MI组件)。本发明专利技术的MI组件的特征为：周绕被配设在基板(11)上的磁敏线(12)的检测线圈(13)由以下部件构成：沿着基板的平坦面而形成，与磁敏线呈交叉的由膜状导体所构成的第一配线部(131)；关于磁敏线，形成在第一配线部的相反侧，且与磁敏线呈交叉的由膜状导体所构成的第二配线部(132)；及在磁敏线的两侧被绝缘部所围绕，朝基板的法线方向延伸而将第一配线部及第二配线部的预定位置相链接的由柱状导体或筒状导体所构成的连结部(133、134)。利用设置如上所示的连结部，可形成精细的配线部，可达成检测线圈的精细间距化进而兼顾MI组件的高输出化及小型化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及被使用在感测地磁等的磁阻抗组件(Magneto-Impedance element：适当称为“MI组件”)及其制造方法。
技术介绍
在磁性传感器也有霍尔组件或MR组件等，但是近年来，构造或原理与以往的组件完全不同，小型且具有差异很大的高感度的MI组件大多作为地磁传感器等而被使用在便携式机器等。MI组件是若在非晶线等感磁体流通高频的脉冲电流等时，利用表皮效应，其阻抗与周围的磁场起反应而改变的磁阻抗效应(称为“MI效果”)。利用MI组件所进行的磁性检测有下列二种方式：直接测定阻抗的变化的方式、及将在磁敏线等感磁体所产生的磁通量的变化，以设在其周围的检测线圈(拾波线圈)来进行测定的方式。其中，关于后者的MI组件的记载在例如下述的专利文献。现有技术文献[专利文献1]WO2010/097932号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题专利文献1提出一种MI组件，其具备有由形成在基板上的平面图案、及在固定设在该平面图案上的非晶线(磁敏线)的绝缘体上形成为山形的立体图案所构成的检测线圈。藉此，相较于将在基板收纳磁敏线的沟槽进行机械加工之时，可使检测线圈更为安定地接近磁敏线，由于未将基板进行沟加工，因此除了基板的材质选择自由度或良率提升的效果以外，可达成MI组件全体小型化等。但是，组件小型化的要求日益高度化。在具备有检测线圈的MI组件中，为了一面达成更进一步的小型化，一面确保与以往技术为同等以上的输出，必须进行将检测线圈稠密地卷绕的精细间距化。接着，在专利文献1的MI组件中，当达成更进一步的精细间距化时会产生如下所示的问题。也即，在专利文献1的MI组件中，是利用光微影来形成高低差成为数十μm的立体图案。光微影原本即以不具高低差的平面图案等的形成为前提。因此，利用光微影来高精细形成如前所述的立体图案并不容易。此外，MI组件通常一次形成多数个在一块基板上，因此进行阻剂涂布、曝光/显影时的阻剂去除、导体镀敷等各处理所被制造的制品容易在形状产生不均，不易确保稳定的质量。尤其，若以专利文献1的MI组件来提升精细间距化时，因其不均而容易在平面图案与立体图案相邻接的接合部间发生短路。而且，在高低差大的立体图案中，也会有因曝光/显影所导致的阻剂去除状态的不均而产生断线的可能性。因此，在如专利文献1所示的构造中，难以提供以高次元兼顾今后要求日益严谨的高输出化(线圈匝数增加等)及小型化的MI组件。本专利技术是鉴于如上所示的情形而研创的，目的在于提供可安定地形成经精细间距化的检测线圈，具备有可兼顾小型化及高输出化的构造的MI组件及其制造方法。解决课题用的手段本专利技术人为解决该课题而精心研究，不断进行尝试后的结果是，创新地想到了利用朝基板的法线方向延伸的导体(连结部)来构成形成在磁敏线周围的检测线圈的一部分的构造。利用使该成果发展，以致完成后所述的本专利技术。《磁阻抗组件》(1)本专利技术的磁阻抗组件(MI组件)具备有：基板；被配设在该基板上的磁敏线；周绕该磁敏线的检测线圈；及固定该磁敏线及该检测线圈的绝缘部，该磁阻抗组件的特征为：前述检测线圈具有：由膜状导体所构成的第一配线部，其沿着前述基板的平坦面而形成，且与前述磁敏线呈交叉；由膜状导体所构成的第二配线部，其关于该磁敏线，形成在该第一配线部的相反侧，且与该磁敏线呈交叉；及由柱状导体或筒状导体所构成的连结部，其在该磁敏线的两侧被前述绝缘部所围绕，朝该基板的法线方向延伸而将该第一配线部及该第二配线部的预定位置相链接。(2)在本专利技术的MI组件中，周绕磁敏线的检测线圈由：第一配线部、第二配线部、及将它们的预定位置相链接的链接部所构成。其中连结部朝配设磁敏线的基板的法线方向延伸，主要负责检测线圈的高低差。如上所示的连结部与以往的立体图案等不同，由于仅在基板的法线方向延伸，因此可精度较佳地形成。反言之，不仅形成在平坦基板上的第一配线部，连第二配线部也设置连结部，藉此可在大致平面的面上利用光微影来精细形成。因此，尤其抑制第二配线部的制造不均，即使进行缩幅或间距缩短，也可以安定的质量制造MI组件，可轻易达成检测线圈的精细间距化。如此一来，利用本专利技术，无须大型化，也可轻易增加检测线圈的匝数，可高次元兼顾MI组件的高输出化及小型化。《磁阻抗组件的制造方法》本专利技术的MI组件制造方法不受限制，例如可利用如下所示的本专利技术的制造方法而得。也即，本专利技术的磁阻抗组件的制造方法具备有：基板；被配设在该基板上的磁敏线；周绕该磁敏线的检测线圈；及固定该磁敏线及该检测线圈的绝缘部的磁阻抗组件的制造方法，其特征为具备有：第一配线层形成工程，其在前述基板的平坦面上，形成可与前述磁敏线呈交叉的成为由膜状导体所构成的第一配线部的第一配线层；中间层形成工程，其在该第一配线层上形成中间层，该中间层具有：前述绝缘部；及将位于该磁敏线的两侧的该绝缘部朝该基板的法线方向贯穿的由柱状导体或筒状导体所构成的连结部；及第二配线层形成工程，其在该中间层上形成与该磁敏线呈交叉的成为由膜状导体所构成的第二配线部的第二配线层，该第一配线部与该第二配线部的预定位置在该链接部相连结而构成前述检测线圈。《其他》本专利技术不仅掌握作为MI组件，也可掌握作为使用该MI组件的磁阻抗传感器。例如，本专利技术也可为由上述MI组件、将脉冲电流通电至前述磁敏线的脉冲振荡电路、及检测在前述检测线圈所产生的电压变化的检测电路(包含讯号处理电路等)等所构成的磁阻抗传感器(MI传感器)。其中，关于MI传感器的各电路的详细内容由于被记载在前述专利文献等，因此在本说明书中省略其说明。附图说明图1是第一实施例的MI组件的平面图。图2是图1中所示的A-A剖面图。图3是显示该MI组件的上线圈(第二配线部)侧的部分放大图。图4是第二实施例的MI组件的剖面图。图5是显示该MI组件的上线圈(第二配线部)侧的部分放大图。图6A是显示利用设在MI组件的外侧的线材导件，来保持非晶线的样子的放大图。图6B是显示将该MI组件分割前的基板的平面图。图7是显示利用设置通孔的绝缘层来保持非晶线的样子的放大图。图8是显示利用导柱保持非晶线的样子的放大图。具体实施方式本说明书中所说明的内容不仅适用本专利技术的MI组件，也适当适用于其制造方法。有关制造方法的构成要素若理解为方法界定产物权利要求(product-by-process claim)，则也可形成为有关物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻抗组件，具备：基板；被配设在该基板上的磁敏线；周绕该磁敏线的检测线圈；及固定该磁敏线及该检测线圈的绝缘部，该磁阻抗组件的特征在于：前述检测线圈具有：由膜状导体所构成的第一配线部，其沿着前述基板的平坦面而形成，且与前述磁敏线呈交叉；由膜状导体所构成的第二配线部，其关于该磁敏线，形成在该第一配线部的相反侧，且与该磁敏线呈交叉；及由柱状导体或筒状导体所构成的连结部，其在该磁敏线的两侧被前述绝缘部所围绕，朝该基板的法线方向延伸而将该第一配线部及该第二配线部的预定位置相链接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.10.04 JP 2012-2221241.一种磁阻抗组件，具备：
基板；
被配设在该基板上的磁敏线；
周绕该磁敏线的检测线圈；及
固定该磁敏线及该检测线圈的绝缘部，
该磁阻抗组件的特征在于：
前述检测线圈具有：
由膜状导体所构成的第一配线部，其沿着前述基板的平坦面而形成，且与前述
磁敏线呈交叉；
由膜状导体所构成的第二配线部，其关于该磁敏线，形成在该第一配线部的相
反侧，且与该磁敏线呈交叉；及
由柱状导体或筒状导体所构成的连结部，其在该磁敏线的两侧被前述绝缘部所
围绕，朝该基板的法线方向延伸而将该第一配线部及该第二配线部的预定位置相链
接。
2.如权利要求1所述的磁阻抗组件，其特征在于，
前述第二配线部相对前述基板的平坦面形成为大致平行。
3.如权利要求1或2所述的磁阻抗组件，其特征在于，
前述绝缘部由以下部件所构成：形成在前述第一配线部上的第一绝缘部；形成
在该第一绝缘部上且埋设前述磁敏线的中间绝缘部；及形成在该中间绝缘部上的第
二绝缘部，
前述连结部由以下部件所构成：将该第一绝缘部朝前述基板的法线方向贯穿且
与该第一配线部的预定位置相连的第一连结部；在该磁敏线的两侧，将该中间绝缘
部朝该基板的法线方向贯穿且与该第一连结部相连的中间连结部；及将该第二绝缘
部朝该基板的法线方向贯穿且与该中间连结部相连，并且与前述第二配线部的预定
位置相连的第二连结部，
前述中间连结部比前述第一连结部或前述第二连结部为更粗。
4.如权利要求1至3中任一项所述的磁阻抗组件，其特征在于，
前述连结部与前述磁敏线的间隙，在沿着该磁敏线的延伸方向的相邻间隙之间
彼此不相...

【专利技术属性】
技术研发人员：西畑克彦，伊藤秀信，内藤宪和，松川久常，
申请(专利权)人：爱知制钢株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP