半导体器件工艺过滤器和方法技术

技术编号:11572661 阅读:168 留言:0更新日期:2015-06-10 03:26
根据实施例,本发明专利技术提供了一种过滤诸如负性显影剂的工艺流体的方法。将负性显影剂引入至包括氟基聚合物的过滤膜。然后通过过滤膜过滤负性显影剂。通过使用这些材料和方法,来自过滤膜的聚乙烯在显影期间将不会污染光刻胶并且减少由聚乙烯污染引起的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 优先权要求和交叉引用 本申请要求2013年12月6日提交的标题为"Method for Defect Reduction and Resulting Structures"的美国临时申请第61/912, 997号的优先权,其全部内容结合于此 作为参考。
本专利技术涉及半导体器件工艺,更具体地,涉及。
技术介绍
在半导体制造工艺中,半导体芯片可以制造为具有形成在其中的诸如晶体管、电 阻器、电容器、电感器等的器件。半导体芯片的制造可以包括许多加工步骤,这些加工步骤 可以包括光刻、离子注入、掺杂、退火、封装等的组合。许多类型的流体可以用于这些工艺 中,包括水、电介质、聚合物、光刻胶、化学蚀刻剂、酸等。这些流体被过滤并且传递至制造设 备,制造设备在制造半导体期间使用这些流体。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题,本专利技术提供了一种过滤工艺流体的方法,所述 方法包括:将负性显影剂引入至过滤膜,其中,所述过滤膜包括第一氟基聚合物;以及通过 所述过滤膜过滤所述负性显影剂。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:将所述负性显影剂储存在第一工艺罐中, 其中,所述第一工艺罐包括第二氟基聚合物;以及将所述负性显影剂通过管道移动至工艺 单元,其中,所述管道包括第三氟基聚合物。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:将所述负性显影剂储存在第一工艺罐中, 其中,所述第一工艺罐包括第二氟基聚合物;以及将所述负性显影剂通过管道移动至工艺 单元,其中,所述管道包括第三氟基聚合物,其中,所述方法还包括:用所述负性显影剂显影 光刻胶;以及将所述光刻胶用作掩模以由衬底形成鳍。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:将所述负性显影剂储存在第一工艺罐中, 其中,所述第一工艺罐包括第二氟基聚合物;以及将所述负性显影剂通过管道移动至工艺 单元,其中,所述管道包括第三氟基聚合物,其中,所述方法还包括:在通过所述过滤膜过滤 所述负性显影剂之前,润湿所述过滤膜。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:将所述负性显影剂储存在第一工艺罐中, 其中,所述第一工艺罐包括第二氟基聚合物;以及将所述负性显影剂通过管道移动至工艺 单元,其中,所述管道包括第三氟基聚合物,其中,所述方法还包括:在通过所述过滤膜过滤 所述负性显影剂之前,润湿所述过滤膜,其中,所述第一氟基聚合物包括聚四氟乙烯、全氟 烷氧基、氟化乙烯丙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物或聚(偏二氟乙烯)。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:将所述负性显影剂储存在第一工艺罐中, 其中,所述第一工艺罐包括第二氟基聚合物;以及将所述负性显影剂通过管道移动至工艺 单元,其中,所述管道包括第三氟基聚合物,其中,过滤器位于所述工艺单元内。 在上述方法中,其中,在所述方法的整个过程中,所述负性显影剂不与高密度聚乙 稀接触。 根据本专利技术的另一方面,提供了一种过滤工艺流体的方法,所述方法包括:用第一 过滤器过滤负性显影剂以形成滤过的负性显影剂,其中,所述第一过滤器包括第一氟基聚 合物;以及将所述滤过的负性显影剂转移至第一工艺单元。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:在所述第一工艺单元内用所述负性显影剂 显影光刻胶以形成显影的光刻胶;去除位于所述显影的光刻胶下面的衬底的部分以形成 鳍;以及由所述鳍形成多个FinFET。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:将所述滤过的负性显影剂储存在第一工艺 罐中,所述第一工艺罐包括第二氟基聚合物。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:将所述滤过的负性显影剂储存在第一工艺 罐中,所述第一工艺罐包括第二氟基聚合物,其中,所述方法还包括:在将所述滤过的负性 显影剂储存在所述第一工艺罐中之前,将所述滤过的负性显影剂储存在第一容器中。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:将所述滤过的负性显影剂储存在第一工艺 罐中,所述第一工艺罐包括第二氟基聚合物,其中,所述方法还包括:在将所述滤过的负性 显影剂储存在所述第一工艺罐中之前,将所述滤过的负性显影剂储存在第一容器中,其中, 所述方法还包括:在过滤所述负性显影剂之前,将所述负性显影剂储存在第二容器中,其 中,所述第二容器包括第二氟基聚合物。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:将所述滤过的负性显影剂储存在第一工艺 罐中,所述第一工艺罐包括第二氟基聚合物,其中,所述方法还包括:在将所述滤过的负性 显影剂储存在所述第一工艺罐中之前,将所述滤过的负性显影剂储存在第一容器中,其中, 所述方法还包括:在过滤所述负性显影剂之前,将所述负性显影剂储存在第二容器中,其 中,所述第二容器包括第二氟基聚合物,其中,所述方法还包括:在过滤所述负性显影剂之 前,预润湿所述第一过滤器。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:在过滤所述负性显影剂之前,清洗所述第 一过滤器。 根据本专利技术的又一方面,提供了一种过滤工艺流体的方法,所述方法包括:安装过 滤器,其中,所述过滤器包括氟基聚合物膜;通过所述过滤器过滤负性显影剂以形成滤过的 负性显影剂;以及将所述滤过的负性显影剂分配到曝光后的光刻胶上以形成图案化光刻 胶。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:接收所述过滤器并且在安装所述过滤器之 前预洗所述过滤器。 在上述方法中,其中,所述负性显影剂从所述过滤器到所述光刻胶均没有与聚乙 稀接触。 在上述方法中,其中,所述氟基聚合物膜包括聚四氟乙烯、全氟烷氧基、氟化乙烯 丙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物或聚(偏二氟乙烯)。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:用缓冲液冲洗所述过滤器,其中,所述缓冲 液的表面张力低于所述负性显影剂的表面张力。 在上述方法中,其中,所述方法还包括:使用所述图案化光刻胶去除衬底的部分。【附图说明】 当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各方面。应该注意, 根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺 寸可以任意地增大或减小。 图IA至图ID示出了根据一些实施例的负性显影剂的生命周期; 图2示出了根据一些实施例的衬底,其中光刻胶位于衬底上方; 图3示出了根据一些实施例的光刻胶的曝光; 图4A至图4B示出了根据一些实施例的显影剂工作台; 图5示出了根据一些实施例的在显影期间的光刻胶的截面图; 图6示出了根据一些实施例的BARC层的图案化; 图7示出了根据一些实施例的鳍的形成; 图8示出了根据一些实施例的可以用于清洗过滤器的清洗工艺。【具体实施方式】 以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。 下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本 专利技术。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二 部件以直接接触的方式形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形 成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外,本专利技术可在 各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指 示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。 现在参照图1A,示出了用于负性显影剂101的制造和使用的生命周期工艺流程。 在实施例中,工艺流程包括三个不同部分:原材料制造部分103、过滤部分105以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过滤工艺流体的方法,所述方法包括:将负性显影剂引入至过滤膜,其中,所述过滤膜包括第一氟基聚合物;以及通过所述过滤膜过滤所述负性显影剂。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗冠昕张庆裕
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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