【技术实现步骤摘要】
肖特基晶体管的结构及制造方法
本专利技术涉及集成电路制造领域,特别是涉及在屏蔽栅极沟槽场效应晶体管中集成肖特基晶体管的方法,以及集成的肖特基晶体管的结构。
技术介绍
目前,在屏蔽栅极沟槽场效应晶体管中集成的肖特基晶体管,主要有下面两种结构:结构一:如图1所示,仅以衬底1的表面和金属层9接触形成肖特基晶体管。这种肖特基在反向偏置时,因在半导体端无法形成耗尽区,因而漏电流会比较大。结构二:如图2所示,将接触孔或接触沟槽14穿过体注入区域10,接触孔或接触沟槽14的底部金属和下面衬底1形成肖特基晶体管。为了满足性能要求,还需要在接触孔底部进行多次离子注入,由于对每次注入的位置有所要求,所以工艺很难稳定。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题之一是提供一种在屏蔽栅极沟槽场效应晶体管中形成肖特基晶体管的方法,它工艺稳定,并可以降低肖特基反向偏置漏电流。为解决上述技术问题,本专利技术的在屏蔽栅极沟槽场效应晶体管中形成肖特基晶体管的方法,步骤包括:1)用现有工艺形成沟槽、屏蔽电极隔离介质层、屏蔽电极、屏蔽电极和栅极之间的隔离介质层、栅极氧化膜,生长栅极多晶硅,并回刻至衬底表面;2)去除肖特基区域沟槽中的栅极多晶硅;3)形成体注入区域和源极注入区域;4)形成层间介质层;5)定义出源极接触孔;6)刻蚀肖特基区域的层间介质层和栅极氧化膜,使表面的衬底和沟槽侧壁的衬底露出,沟槽中隔离介质层上方保留部分层间介质层;7)成长金属阻挡层;8)用金属钨填满接触孔和肖特基区域沟槽;9)回刻金属钨至衬底表面;10)形成金属层。本专利技术要解决的技术问题之二是提供用上述方法在屏蔽栅极沟槽场效 ...
【技术保护点】
在屏蔽栅极沟槽场效应晶体管中形成肖特基晶体管的方法,其特征在于,步骤包括:1)用现有工艺形成沟槽、屏蔽电极隔离介质层、屏蔽电极、屏蔽电极和栅极之间的隔离介质层、栅极氧化膜,生长栅极多晶硅,并回刻至衬底表面;2)去除肖特基区域沟槽中的栅极多晶硅;3)形成体注入区域和源极注入区域;4)形成层间介质层;5)定义出源极接触孔;6)刻蚀肖特基区域的层间介质层和栅极氧化膜,使表面的衬底和沟槽侧壁的衬底露出,沟槽中隔离介质层上方保留部分层间介质层;7)成长金属阻挡层;8)用金属钨填满接触孔和肖特基区域沟槽;9)回刻金属钨至衬底表面;10)形成金属层。
【技术特征摘要】
1.在屏蔽栅极沟槽场效应晶体管中形成肖特基晶体管的方法,其特征在于,步骤包括:1)用现有工艺形成沟槽、屏蔽电极隔离介质层、屏蔽电极、屏蔽电极和栅极之间的隔离介质层、栅极氧化膜,生长栅极多晶硅,并回刻至衬底表面;2)去除肖特基区域沟槽中的栅极多晶硅;3)形成体注入区域和源极注入区域;4)形成层间介质层;5)定义出源极接触孔;6)刻蚀肖特基区域的层间介质层和栅极氧化膜,使表面的衬底和沟槽侧壁的衬底露出,沟槽中隔离介质层上方保留部分层间介质层;7)成长金属阻挡层;8)用金属钨填满接触孔和肖特基区域沟槽;9)回刻金属钨至衬底表面;10)形成金属层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤4),所述层间介质层为硼磷硅玻璃。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述硼磷硅玻璃的厚度为4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤6),保留的层间介质层和沟槽中的隔离介质层的总厚度为2000~3000埃。5.根据权利要求1所述的方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:张博,陈正嵘,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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