氮化铝或氧化铍的陶瓷覆盖晶片制造技术

技术编号:11553299 阅读:170 留言:0更新日期:2015-06-04 02:11
本发明专利技术的实施例提供一种通过在向腔室中引入清洁剂之前装载包含氮化铝陶瓷晶片或者氧化铍陶瓷晶片的陶瓷覆盖衬底到基座上,用于在清洁操作期间保护基座的方法和装置。在一个实施例中,提供一种氮化铝陶瓷覆盖衬底,该氮化铝陶瓷覆盖衬底包括氮化铝陶瓷晶片,具有大于160W/m-K的热传导率,从约11英寸到约13英寸范围内的直径的圆形几何形状,从约0.03英寸到约0.060英寸范围内的厚度,以及约0.010英寸或更小的平整度。热传导率可以是约180W/m-K、约190W/m-K或者更大。厚度可以是从约0.035英寸到约0.050英寸的范围内,以及平整度可以是约0.008英寸、约0.006英寸或更小。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氮化铝陶瓷覆盖衬底,包括:氮化铝陶瓷晶片,包括选自包括氧、钇、钪、铒、铍、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨及上述物质的合金、衍生物或组合的清单中的至少一种其它材料或元素,并且包括上表面和下表面,并具有大于160W/m‑K的热传导率;圆形几何形状,包括从11英寸到13英寸范围内的直径;从0.035英寸到0.050英寸范围内的厚度;以及所述下表面的平整度偏离0.010英寸或更小。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:穆罕默德·M·拉希德
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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