【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有隧道结结构的边发射半导体激光器，其特征在于，包括N面电极(1)、具有隧道结结构的外延结构，光刻具有隧道结结构的外延结构两侧形成脊形台，在形成脊形台的外延结构表面沉淀电绝缘层(8)，所述电绝缘层(8)上光刻出引线孔(13)，电绝缘层(8)上层叠P面电极(9)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：计伟，曲智龙，
申请(专利权)人：北京牡丹视源电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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