本实用新型专利技术提供了一种高压直流稳压电路，包括振荡电路，整流滤波电路，调整管、比较放大电路、电压取样电路、低压输入端Hvin及高压输出端Hvout；所述低压输入Hvin分别连接至所述振荡电路及调整管，所述振荡电路连接至所述整流滤波电路，所述整流滤波电路连接至所述高压输出端Hvout，所述调整管连接至所述比较放大电路，所述比较放大电路连接至所述电压取样电路，所述电压取样电路连接至所述高压输出端Hvout，达到降低功耗和提高整体效率的目的。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种稳压电路，特别指一种高压直流稳压电路。
技术介绍
光电倍增管(PMT)常被用在现代科学研宄的微弱光信号的检测，尤其在闪烁探测器上的应用更是不可或缺，对于目前的各种便携式放射性物探仪存在的功耗高，效率低的问题，导致要长期频繁更换电池或者充电问题，而其中一大部分原因在于PMT的高压电源模块，PMT对电源的供电要求高稳定的高压输出、低纹波系数，其本身的功耗并不高，也就是输出电流很小，所以在低功耗的场合常用串联稳压调整方式来代替成本较高的开关电源，一专利技术专利(CN201110451593.X)其稳压方式为电源电压调整型的串联调整稳压方式，这种方式存在调整管功耗较大，效率不高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题，在于提供一种高压直流稳压电路，达到降低功耗和提高整体效率的目的。本技术是这样实现的:一种高压直流稳压电路，包括振荡电路，整流滤波电路、调整管、比较放大电路、电压取样电路、低压输入端Hvin及高压输出端Hvout ;所述低压输入Hvin分别连接至所述振荡电路及调整管，所述振荡电路连接至所述整流滤波电路，所述整流滤波电路连接至所述高压输出端Hvout，所述调整管连接至所述比较放大电路，所述比较放大电路连接至所述电压取样电路，所述电压取样电路连接至所述高压输出端Hvout。进一步地，所述调整管为NMOS管，所述NMOS管的源极连接至低压输入端Hvin，所述NMOS管的漏极连接至所述振荡电路，所述所述NMOS管的栅极连接至所述比较放大电路。进一步地，所述振荡电路包括一电感L1、变压器T1、晶体管Q2、晶体管Q3、电阻R5、电阻R6、电容C12，所述变压器Tl设有初级线圈、反馈线圈及次级线圈，所述初级线圈设有一中心抽头，所述中心抽头通过所述电容LI连接至所述低压输入端Hvin，所述电压器Tl的次级线圈连接至所述整流滤波电路，所述变压器Tl的初级线圈分别连接至所述晶体管Q2的集电极及晶体管Q3的集电极，所述晶体管Q2的集电极和晶体管Q3的集电极之间接有电容C12，所述晶体管Q2的基极通过电阻R5连接至所述调整管，所述晶体管Q3的基极通过电阻R6连接至所述调整管，所述晶体管Q2的发射极及晶体管Q3的发射极接地，所述晶体管Q2的基极连接至所述变压器Tl的反馈线圈的一端，所述晶体管Q3的基极连接至所述变压器Tl的反馈线圈的另一端。进一步地，所述比较放大电路包括运算放大器U1A、运算放大器U1B、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17、电阻R4、电阻R7、电阻R10、电阻Rll及二极管D8，所述运算放大器UlA的输出端连接至调整管，所述运算放大器UlA的正电源端连接至正电源，且与所述电容C14及电容C13并联后的一端连接，所述电容C14及电容C13并联后的另一端接地，所述运算放大器UlA的负电源端连接至负电源，并与所述电容C15及电容C16并联后一端连接，所述电容C15及电容C16并联后另一端接地，所述运算放大器UlA的正向输入端通过电阻RlO连接至正电源，所述二极管D8的正极连接至所述运算放大器UlA正相输入端与电阻RlO之间，所述二极管D8的负极接地，所述电容C17并联与所述二极管D8两端，所述运算放大器UlA的反向输入端连接至运算放大器UlB的输出端，所述运算放大器UlB的反向输入端通过电阻R7连接至所述电压取样电路，所述运算放大器UlB的正向输入端通过电阻Rll接地，所述电阻R4并联与所述运算放大器UlB的输出端及正向输入端。进一步地，所述电压取样电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R9、电阻RTl及电容C11，所述电阻R2与所述电容Cll并联后一端连接至高压输出端Hvout，另一端连接至所述电阻R3的一端，所述电阻R9的一端通过电阻RTl接地，所述电阻R3的另一端与电阻R9的另一端并联后连接至所述比较放大电路。进一步地，所述电阻RTl为变阻器。进一步地，还包括一电容C10、电容C4及二极管D7，所述电容C10、电容C4及二极管D7并联之后一端接地，另一端连接至低压输入端Hvin。本技术的优点在于:本技术高压直流稳压电路，功耗低，效率高，输出纹波小，可以满足低电压输入，高电压输出的要求，能产生较好的经济效益。【附图说明】下面参照附图结合实施例对本技术作进一步的说明。图1是本技术尚压直流稳压电路的不意图。【具体实施方式】请参阅图1所示，本技术高压直流稳压电路，包括振荡电路，整流滤波电路，调整管、比较放大电路、电压取样电路、低压输入端Hvin及高压输出端Hvout ;所述低压输入Hvin分别连接至所述振荡电路及调整管，所述振荡电路连接至所述整流滤波电路，所述整流滤波电路连接至所述高压输出端Hvout，所述调整管连接至所述比较放大电路，所述比较放大电路连接至所述电压取样电路，所述电压取样电路连接至所述高压输出端Hvout，所述调整管为NMOS管，所述NMOS管的源极连接至低压输入端Hvin，所述NMOS管的漏极连接至所述振荡电路，所述所述NMOS管的栅极连接至所述比较放大电路。本技术高压直流稳压电路中振荡电路包括一电感L1、变压器Tl、晶体管Q2、晶体管Q3、电阻R5、电阻R6、电容C12，所述变压器Tl设有初级线圈、反馈线圈及次级线圈，所述初级线圈设有一中心抽头，所述中心抽头通过所述电容LI连接至所述低压输入端Hvin，所述电压器Tl的次级线圈连接至所述整流滤波电路，所述变压器Tl的初级线圈分别连接至所述晶体管Q2的集电极及晶体管Q3的集电极，所述晶体管Q2的集电极和晶体管Q3的集电极之间接有电容C12，所述晶体管Q2的基极通过电阻R5连接至所述调整管，所述晶体管Q3的基极通过电阻R6连接至所述调整管，所述晶体管Q2的发射极及晶体管Q3的发射极接地，所述晶体管Q2的基极连接至所述变压器Tl的反馈线圈的一端，所述晶体管Q3的基极连接至所述变压器Tl的反馈线圈的另一端。本技术高压直流稳压电路中比较放大电路包括运算放大器U1A、运算放大器U1B、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17、电阻R4、电阻R7、电阻R10、电阻Rll及二极管D8，所述运算放大器UlA的输出端连接至调整管，所述运算放大器UlA的正电源端连接至正电源，且与所述电容C14及电容C13并联后的一端连接，所述电容C14及电容C13并联后的另一端接地，所述运算放大器UlA的负电源端连接至负电源，并与所述电容C15及电容C16并联后一端连接，所述电容C15及电容C16并联后另一端接地，所述运算放大器UlA的正向输入端通过电阻RlO连接至正电源，所述二极管D8的正极连接至所述运算放大器UlA正相输入端与电阻RlO之间，所述二极管D8的负极接地，所述电容C17并联与所述二极管D8两端，所述运算放大器UlA的反向输入端连接至运算放大器UlB的输出端，所述运算放大器UlB的反向输入端通过电阻R7连接至所述电压取样电路，所述运算放大器UlB的正向输入端通过电阻Rll接地，所述电阻R4并联与所述运算放大器UlB的输出端及正向输入端。本技术高压直流稳压电路中电压取样电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R9、电阻RTl及电容C11，所述电阻R2与所述电容Cll并本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高压直流稳压电路，其特征在于：包括振荡电路，整流滤波电路，调整管、比较放大电路、电压取样电路、低压输入端Hvin及高压输出端Hvout；所述低压输入Hvin分别连接至所述振荡电路及调整管，所述振荡电路连接至所述整流滤波电路，所述整流滤波电路连接至所述高压输出端Hvout，所述调整管连接至所述比较放大电路，所述比较放大电路连接至所述电压取样电路，所述电压取样电路连接至所述高压输出端Hvout。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈江伟，魏鸿林，杨荣康，
申请(专利权)人：福州智元仪器设备有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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