【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构以及所述栅极结构露出的衬底上形成层间介质层；进行第一平坦化工艺，去除部分所述层间介质层直至暴露出所述栅极结构；在暴露出的栅极结构上形成掩模；对所述掩模露出的层间介质层进行离子掺杂，以在所述层间介质层的表面形成掺杂层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋莉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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