一种混频锁相的高相噪宽带微波源制造技术

技术编号:11545343 阅读:112 留言:0更新日期:2015-06-03 18:53
本发明专利技术公开了一种混频锁相的高相噪宽带微波源,包括屏蔽盒体、位于屏蔽盒体内的基板和安装在基板上的微波电路,所述微波电路包括频综、耦合器、LO本振和混频器,其中的频综与耦合器相连,处理后的信号从耦合器输出,LO本振和混频器连接,在耦合器和混频器之间依次连接低噪声放大器b和低通滤波器c,混频器向前传输信号依次连接低通滤波器b、低噪声放大器a、低通滤波器a和频综上的锁相环电路;所述LO本振由晶振依次经过低噪声放大器c、倍频电路、带通滤波器a、低噪声放大器d和带通滤波器b处理后得到,其中的晶振还与频综上的锁相环电路连接。本发明专利技术通过上述原理,该宽带微波源组件结构紧凑,容易调试,相位噪声高,接收机接收的灵敏度好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种混频锁相的高相噪宽带微波源,其特征在于,包括屏蔽盒体、位于屏蔽盒体内的基板和安装在基板上的微波电路,所述微波电路包括频综、耦合器、LO本振和混频器,其中的频综与耦合器相连,处理后的信号从耦合器输出,LO本振和混频器连接,在耦合器和混频器之间依次连接低噪声放大器b和低通滤波器c,混频器向前传输信号依次连接低通滤波器b、低噪声放大器a、低通滤波器a和频综上的锁相环电路;所述LO本振由晶振依次经过低噪声放大器c、倍频电路、带通滤波器a、低噪声放大器d和带通滤波器b处理后得到,其中的晶振还与频综上的锁相环电路连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王文林刘玉业
申请(专利权)人:成都宝通天宇电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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