有机半导体材料制造技术

本发明专利技术涉及可用作有机半导体材料的新型化合物，和含所述有机半导体材料的器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
具有选自化学式(I)，化学式(II)，化学式(III)和化学式(IV)的化学式的化合物：其中：R1，R2，R2’彼此独立地选自单环芳基，取代的单环芳基，多环芳基，取代的多环芳基，单环杂芳基，取代的单环杂芳基，多环杂芳基，取代的多环杂芳基，苄基和取代的苄基及其组合作为二聚体，三聚体和四聚体；Ar选自单环芳基，取代的单环芳基，多环芳基，取代的多环芳基，单环杂芳基，取代的单环杂芳基，多环杂芳基，取代的多环杂芳基及其组合作为二聚体，三聚体和四聚体；Ar'，Ar彼此独立地是选自下述的结构结构部分：单环芳基，取代的单环芳基，多环芳基，取代的多环芳基，单环杂芳基，取代的单环杂芳基，多环杂芳基，取代的多环杂芳基及其组合作为二聚体，三聚体和四聚体；R15选自氢，卤素，C1‑C20直链或支链烷基，C1‑C20直链或支链杂烷基，C1‑C20直链或支链杂烷氧基烷基，C1‑C20直链或支链卤代烷基，C3‑C20直链或支链环烷基，C1‑C20直链或支链羟烷基，C1‑C20直链或支链烷氧基和C1‑C20直链或支链腈基；n，r彼此独立地是整数1至50；p是整数0至5；和T是该化合物的端基结构部分且选自氢，C1‑C40直链或支链烷基，C1‑C40直链或支链卤代烷基，C1‑C40直链或支链杂烷基，C3‑C40直链或支链环烷基，C1‑C40直链或支链羟烷基，C1‑C40直链或支链烷氧基，C1‑C40直链或支链杂烷氧基烷基，C1‑C40直链或支链烷基羧基，C1‑C40直链或支链烷基甲酰胺基，C1‑C40直链或支链烷基磺酸基，和C1‑C40直链或支链腈基，单环芳基，取代的单环芳基，多环芳基，取代的多环芳基，单环杂芳基，取代的单环杂芳基，多环杂芳基，取代的多环杂芳基，苄基和取代的苄基及其组合作为二聚体，三聚体和四聚体；排除化学式A的化合物：其中R13选自苯基，4‑氯苯基，3‑三氟甲基苯基；R14选自苯基，2‑氟苯基，3‑氟苯基，4‑氟苯基，2‑氯苯基，3‑氯苯基，4‑氯苯基，2‑甲基苯基，3‑甲基苯基，4‑甲基苯基，2‑三氟甲基苯基，3‑三氟甲基苯基，4‑三氟甲基苯基，2‑甲氧基苯基，3‑甲氧基苯基，4‑甲氧基苯基，2,4‑二氯苯基，2,4,6‑三甲基苯基，2‑噻吩基，3‑噻吩基，2‑吡啶基，3‑吡啶基，4‑吡啶基；且R20选自H，Cl，F，甲基，甲氧基。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·梅卢奇，L·法瓦雷托，M·赞边奇，R·卡佩利，M·穆西尼，
申请(专利权)人：ETC有限责任公司，
类型：发明
国别省市：意大利;IT