【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种新型C/Si膜的制备工艺，其特征在于：包含以下步骤：石墨基片固定在磁控溅射的溅射腔中，靶材为碳靶，在氩气氛围中溅射碳，使其沉积在石墨基片的表面，形成新的碳层；其后，在溅射后的样品上采用热蒸发的方法真空沉积Si膜，形成C/Si薄膜，最后在退火炉中退火。
【技术特征摘要】
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