控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法。该方法包括如下步骤;对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至晶圆上的开口接触到晶圆的基底硅；向工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层；向工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对类聚合物膜层进行处理；对晶圆进行浅沟槽刻蚀工艺直至预设深度。其有效减小或者消除沟槽刻蚀中刻蚀深度微负载效应。且不用增加额外工序，操作简单，用时较短。针对具体设备加工可通过时间等工艺参数进行调节控制，灵活性大。

【技术实现步骤摘要】
控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法
本专利技术涉及半导体设备制造领域，尤其涉及一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法。
技术介绍
一般的，对于晶圆上不同开口尺寸的沟槽刻蚀，刻蚀完成后的深度是存在一定差异的，这种微负载效应（Micro-loadingeffect）是和刻蚀过程的副产物挥发速度随着刻蚀深宽比的不同而导致的。近年来，随着半导体工艺节点的递进，对于沟槽刻蚀的深度负载效应的控制要求越来越高。特别对于浅沟槽隔离刻蚀（ShallowTrenchIsolation-ETching，STI-ET）,这种负载效应会影响到半导体器件的电性结果。由于反应物消耗和扩散的基本物理原理的存在，这种负载效应很难通过普通的刻蚀过程的工艺参数的简单调节来实现根除，特别当节点继续微缩时，该负载效应也持续增大，给刻蚀工艺带来很大的挑战。传统技术中对晶圆进行沟槽刻蚀之后，产生的微负载效应如图1所示。针对传统工艺中的上述问题，有人提出了改进方案。在浅沟槽刻蚀进行到一定深度之后，通过选择性地在宽开口区域生长硅来实现负载效应的弥补，后续进行浅沟槽刻蚀，达到目标深度。但此改进方案工序繁杂，不仅包括刻蚀工序，而且包括外延生长等一系列工序，特别其需要选择性进行外延生长的方法过于繁冗。且其大大延长了加工生产周期，增加了生产成本。综上所述，如何提供一种简单有效的减小沟槽刻蚀微负载效应的刻蚀方法是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够有效降低晶圆沟槽刻蚀深度微负载效应的刻蚀方法。为实现本专利技术目的提供的一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，包括以下步骤：对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至所述晶圆上的开口接触到所述晶圆的基底硅；向所述工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在所述晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层；向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理；对所述晶圆进行浅沟槽刻蚀工艺直至预设深度。在其中一个实施例中，所述对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层为具有碳和氢成分的类聚合物膜层。在其中一个实施例中，所述对后续刻蚀起一定阻挡作用的类聚合物膜层为SiO2类膜层。在其中一个实施例中，所述类聚合物膜层的厚度为10埃～300埃。在其中一个实施例中，还包括以下步骤：将残留在所述晶圆的光阻灰化去除。在其中一个实施例中，所述沉积气体为CH4或者SiH4和O2的组合。在其中一个实施例中，所述惰性气体为Ar和/或He。在其中一个实施例中，所述类聚合物膜层的厚度通过沉积时间进行控制。在其中一个实施例中，向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理，包括以下步骤：向所述工艺腔室中通入惰性气体；在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理；利用终点检测法抓取所述晶圆的小尺寸开口区域暴露基底硅的瞬间，结束当前步骤，完成对所述类聚合物膜层处理的步骤。在其中一个实施例中，所述对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至所述晶圆上的开口接触到所述晶圆的基底硅的工艺步骤的工艺条件为：源功率为400～700W，偏压功率为100～300W，气压为3mt～10mt，刻蚀时间每步为10～40s，主气体为CF4和CH2F2，流量为50～350sccm，辅气体为O2，Ar，He，除氧气外的辅气体流量为50～150sccm，氧气流量为5～30sccm;所述向所述工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在所述晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层的工艺步骤的工艺条件为：源功率为100～1000W，偏压功率为0W～50W，沉积气体流量为10～500sccm，工艺气压为1～100mT，工艺时间为10～60s；所述向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理的工艺步骤的工艺条件为：源功率为100～1000W，偏压功率为50W～300W，Ar流量为10～500sccm，He流量为10～500sccm，工艺气压为1～100mT，工艺时间为10-60s；所述对所述晶圆进行浅沟槽刻蚀工艺直至预设深度的工艺步骤的工艺条件为：源功率为700～1200W,偏压功率为100～200W,气压为10mt～25mt,刻蚀时间为70～100s,主气体为HBr，流量为300-500sccm,辅气体为Cl2，NF3，SF6，N2，O2，HeO2中的至少一种，流量为为5-50sccm。在其中一个实施例中，所述向所述工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在所述晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层的工艺步骤的工艺条件为：源功率为300～700W，偏压功率为0W，沉积气体流量为100～200sccm，工艺气压为10～30mT，工艺时间为10～30s；所述向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理的工艺步骤的工艺条件为：源功率为300～700W，偏压功率为100W～200W，Ar流量为100～200sccm，He流量为100～200sccm，工艺气压为5～20mT，工艺时间为10-20s。在其中一个实施例中，所述将残留在所述晶圆的光阻灰化去除的工艺步骤的工艺条件为：源功率为700～1200W,偏压功率为0W,气压为10mt～30mt,刻蚀时间为80～120s,气体为氧气，流量为200～500sccm。本专利技术的有益效果包括：本专利技术提供的一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，通过增加沉积的步骤，以及沉积层修饰的步骤，起到与沟槽刻蚀微负载效应相反的结果，从而有效减小或者消除沟槽刻蚀中刻蚀深度微负载效应。且不用增加额外工序，操作简单，用时较短。针对具体设备加工可通过时间等工艺参数进行调节控制，灵活性大。同时能在一定程度上帮助平衡减轻晶圆不同开口处的关键尺寸的差异。附图说明图1为传统工艺沟槽刻蚀后的晶圆示意图；图2为本专利技术一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法的一具体实施例的流程图；图3至图6为本专利技术一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法的一具体实施例的不同步骤下晶圆结构示意图；图7为本专利技术一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法的另一具体实施例的流程图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本专利技术实施例的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法的具体实施方式进行说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，如图2所述，包括以下步骤：S100，对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至所述晶圆上的开口接触到所述晶圆的基底硅。对进入工艺腔室的晶圆的掩膜层进行刻蚀，经晶圆上的开口刻蚀至接触到基底硅，则完成掩膜层的刻蚀。如图3所示，在晶圆100中，自上到下依次为光阻101，掩膜层102，氧化硅层103，基底硅104，其中所述掩膜层102为SIN类硬掩膜层。所述晶圆100还包括小开口区110和大开口区120。S200，向所述工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在所述晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层。如图4所示，在晶圆表面的光阻层上方，掩膜层刻蚀后在开口区域露出的基底硅上方，以及开口侧壁上都沉积上一层对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至所述晶圆上的开口接触到所述晶圆的基底硅；向所述工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在所述晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层；向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理；对所述晶圆进行浅沟槽刻蚀工艺直至预设深度。

【技术特征摘要】
1.一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至所述晶圆上的开口接触到所述晶圆的基底硅，所述晶圆包括小开口区和大开口区；向所述工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在所述晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层，在所述大开口区所沉积的类聚合物膜层的厚度大于在所述小开口区所沉积的类聚合物膜层的厚度；向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行物理性轰击；对所述晶圆进行浅沟槽刻蚀工艺直至预设深度。2.根据权利要求1所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层为具有碳和氢成分的类聚合物膜层。3.根据权利要求1所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层为SiO2类膜层。4.根据权利要求2或3所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述类聚合物膜层的厚度为10埃～300埃。5.根据权利要求4所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，还包括以下步骤：将残留在所述晶圆的光阻灰化去除。6.根据权利要求1所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积气体为CH4或者SiH4和O2的组合。7.根据权利要求4所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体为Ar和/或He。8.根据权利要求4所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述类聚合物膜层的厚度通过沉积时间进行控制。9.根据权利要求4所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行物理性轰击，包括以下步骤：向所述工艺腔室中通入惰性气体；在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行物理性轰击；利用终点检测法抓取所述晶圆的小开口区暴露基底硅的瞬间，结束当前步骤，完成对所述类聚合物膜层进行物理性轰击的步骤。10.根据权利要求7所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至所述晶圆上的开口接触到所述晶圆的基底硅的工艺步骤的工艺条件为：源功率为400～700W，偏压功率为100～30...

【专利技术属性】
技术研发人员：符雅丽，李国荣，杨盟，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11