一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法技术

本发明专利技术属于用电子束熔炼的技术领域，特别涉及一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，步骤包括装料、抽真空、电子枪预热、电子束轰击硅料和冷却后取料，电子束轰击硅料直到硅料全部熔化后，再调节电子束频率为5～10Hz，进行5～15min的电子束低频轰击。本发明专利技术的显著效果是电子束的低频化增强了扰动效果，提高生产效率10%以上，减少能耗1%～5%。经过5～15min的轰击熔炼，杂质氧的去除率达到88～95%；可使多晶硅铸锭底料以及单晶棒头尾料得到很好的重复利用；与不进行除氧工艺的多晶硅料相比，提高电池片的光电转换效率0.1%以上，工艺条件温和易于操作，生产周期短，技术稳定，生产效率高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，步骤包括装料、抽真空、电子枪预热、电子束轰击硅料和冷却后取料，其特征在于：所述的电子束轰击硅料是：直到硅料全部熔化后，再调节电子束频率为5～10Hz，进行5～15min的电子束低频轰击。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭校亮，王登科，姜大川，安广野，谭毅，
申请(专利权)人：青岛隆盛晶硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37