电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置，本发明专利技术中，打破了传统的除氧模式，而是采用电子束熔炼进行除氧，解决了多晶硅中杂质氧去除的难题。翻转机构和装载坩埚的加入，保证了电子书熔炼除氧的半连续化生产，单炉出产量高。本发明专利技术的优点在于：（1）经过5～15min的电子束轰击熔炼，氧含量可以降低于0.0571ppmw以下，满足太阳能电池对多晶硅铸锭含氧量的要求；（2）与不进行除氧技术的多晶硅相比，提高电池片的光电转换效率0.1%以上；（3）可实现连续化生产，提高生产效率35%以上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法，其特征在于：在电子束熔炼炉内，通过送料机构向熔炼坩埚内送待除氧多晶硅料，并采用电子束对其熔化形成硅液，进行熔炼除氧，当熔炼坩埚达到承载量时，利用翻转机构将熔炼坩埚内的硅液倒入位于电子束熔炼炉内底部的装载坩埚内，然后重复在熔炼坩埚内进行待除氧多晶硅料的熔炼除氧，直至装载坩埚内达到承载量，经冷却后即可开炉取出装载坩埚内的硅锭。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王登科，姜大川，安广野，郭校亮，谭毅，
申请(专利权)人：青岛隆盛晶硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37