发光二极管制造技术

一种发光二极管，包括基板、设置在所述基板横向相对两侧的第一电极及第二电极、分别设置在第一电极及第二电极的第一导电胶及第二导电胶以及设置在第一导电胶及第二导电胶上的发光芯片，所述基板的顶面凹陷形成有间隔设置的第一收容槽及第二收容槽，所述第一导电胶及第二导电胶分别位于所述第一收容槽及第二收容槽的外侧，以便所述第一导电胶及第二导电胶受到发光芯片的挤压后分别流入第一收容槽及第二收容槽以避免二者粘连。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管
本专利技术涉及一种半导体结构，尤其涉及一种发光二极管。
技术介绍
覆晶式（Flip-Chip）发光二极管一般包括一平整的基板、间隔设置于基板上的第一电极及第二电极以及设置在基板上且与所述第一电极及第二电极电性连接的发光芯片。所述发光芯片包括一第一电极接点以及与该第一电极接点间隔设置的第二电极接点。所述第一电极接点及第二电极接点分别通过导电胶固定至所述第一电极及第二电极。然而，所述发光芯片的第一电极接点与第二电极接点之间的间距较小，从而导致固定所述第一电极接点的导电胶与固定所述第二电极接点的导电胶之间易于发生粘连，进而影响其安全性。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种安全性较高的发光二极管。一种发光二极管，包括基板、设置在所述基板横向相对两侧的第一电极及第二电极、分别设置在第一电极及第二电极的第一导电胶及第二导电胶以及设置在第一导电胶及第二导电胶上的发光芯片，所述基板的顶面凹陷形成有间隔设置的第一收容槽及第二收容槽，所述第一导电胶及第二导电胶分别位于所述第一收容槽及第二收容槽的外侧，以便所述第一导电胶及第二导电胶受到发光芯片的挤压后分别流入第一收容槽及第二收容槽以避免二者粘连。与传统技术相比，本专利技术的发光二极管的基板上设置有间隔设置的第一收容槽及第二收容槽，所述第一导电胶及第二导电胶分别位于所述第一收容槽及第二收容槽的外侧，从而使得所述第一导电胶及第二导电胶在受到发光芯片的挤压后分别流入所述第一收容槽及第二收容槽以避免二者粘连，提高安全性。附图说明图1为本专利技术第一实施例的发光二极管的俯视图。图2为图1中的发光二极管沿着II-II线的剖视图。图3-图4为本专利技术第二实施例的发光二极管的剖视图。图5为本专利技术第三实施例的发光二极管的剖视图。主要元件符号说明如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式第一实施例请参阅图1及图2，本实施例中的发光二极管100，包括一基板10、设置在所述基板10水平方向相对两侧的第一电极20及第二电极30以及固定在所述第一电极20及第二电极30上且与所述第一电极20及第二电极30电性连接的发光芯片40。所述基板10呈长条状，其包括一水平顶面11、与所述顶面11平行且间隔相对的底面12以及分别连接所述顶面11及底面12的第一侧面13及第二侧面14。一第一收容槽151以及一第二收容槽152自所述基板10的顶面11的中部朝向基板10的内部凹陷形成。所述第一收容槽151与所述第二收容槽152之间间隔设置。本实施例中，所述第一收容槽151为一狭长的凹槽，其沿着所述基板10的纵向延伸且贯穿所述基板10的相对两端。所述第一收容槽151的深度小于所述基板10的整体厚度，即，所述第一收容槽151未沿着基板10的厚度方向贯穿所述基板10。本实施例中，所述第一收容槽151的横截面为三角形，且其宽度自上向下逐渐减小。当然，所述第一收容槽151的横截面也可为圆弧形、矩形等形状。所述第二收容槽152的深度小于所述基板10的整体厚度。所述第二收容槽152的横截面为三角形，且其宽度自上向下逐渐减小。所述第一收容槽151靠近第一电极20且与第一电极20间隔设置，所述第二收容槽152靠近第二电极30且与第二电极30间隔设置。所述第一电极20及第二电极30分别设置在所述基板10的相对的第一侧面13及第二侧面14。本实施例中，所述第一电极20及第二电极30均为平板状。所述第一电极20包括一上表面201以及与该上表面201间隔相对的下表面202。所述第一电极20的上表面201与所述基板10的顶面11平行且共面，所述第一电极20的下表面202与所述基板10的底面12平行且共面。所述第二电极30包括一上表面301以及与该上表面301间隔相对的下表面302。所述第二电极30的上表面301与所述基板10的顶面11平行且共面，所述第二电极30的下表面302与所述基板10的底面平行且共面。所述发光芯片40横跨所述基板10，并与所述第一电极20及第二电极30分别电性连接。所述发光芯片40包括一第一电极接点401以及与该第一电极接点401间隔设置的第二电极接点402。所述第一电极接点401与所述第二电极接点402之间的间距小于所述基板10顶面11横向的宽度。所述第一电极接点401通过设置在第一电极20上表面201上的第一导电胶51固定在所述第一电极20上，所述第二电极接点402通过设置在第二电极30上表面301上的第二导电胶52固定在所述第二电极30上。所述第一导电胶51及第二导电胶52分别位于所述所述第一收容槽151及第二收容槽152的外侧。所述发光芯片40固定在所述第一电极20及第二电极30的过程中，所述第一导电胶51及第二导电胶52受到发光芯片40的挤压向各自的周缘方向扩散。其中，第一导电胶51朝向第二电极接点402扩散的部分由第一收容槽151收容，第二导电胶52朝向第一电极接点401扩散的部分由第二凹槽152收容。即，所述第一收容槽151及第二收容槽152隔断所述第一导电胶51及第二导电胶52相互粘连的路径，进而使得第一导电胶51及第二导电胶52间隔开来而不易接触，提高了该发光二极管100的安全性。当然，为了提高发光芯片40的发光效率，所述发光二极管100进一步包括一环绕发光芯片40的反射杯60。所述反射杯60设置在所述第一电极20及第二电极30的上表面。所述反射杯60包括一上表面601以及与该上表面601相对且间隔设置的下表面602。所述反射杯60具有一通孔61。所述通孔61自所述反射杯60的上表面601中部向下延伸至所述第一电极20的上表面201及所述第二电极30的上表面301。所述反射杯60的下表面602与所述第一电极20的下表面202以及所述第二电极30的下表面302平行且共面。本实施例中。所述第一电极20的下表面202以及所述第二电极30的下表面302外露于所述反射杯60的下表面602。第二实施例请参见图3及图4，本实施例中，所述第一收容槽151及第二收容槽152分别位于所述基板10顶面11的相对两侧边缘，即，所述第一收容槽151及第二收容槽152分别自所述基板10顶面11的相对两侧边缘分别向底面12方向内凹形成。第三实施例请参见图5，本实施例中，所述第一收容槽151正对所述第一导电胶51的位置上形成朝向所述第一导电胶51弯折的一第一弯折槽1510，所述第二收容槽152正对所述第二导电胶52的位置上形成朝向所述第二导电胶52弯折且与所述第一弯折槽1510正对设置的一第二弯折槽1520。所述第一弯折槽1510包括自所述第一收容槽151中部朝向所述第一导电胶51延伸的二间隔相对的第一水平槽1511以及连接所述二第一水平槽1511的第一竖直槽1512。其中，所述第一竖直槽1512自所述基板10的顶面11朝向第一侧面13的一侧边缘内凹形成。所述第一竖直槽1512的长度大于与之对应的第一导电胶51的最大宽度，以使所述第一导电胶51朝向第一竖直槽1512扩散时，直接流入所述第一竖直槽1512而不会残留在基板10的顶面11上。所述第二弯折槽1520包括自所述第二收容槽152中部朝向所述第二导电胶52延伸的二间隔相对的第二水平槽1521以及连接所述二第二水平槽1521的第二竖直槽1522。其中，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括基板、设置在所述基板横向相对两侧的第一电极及第二电极、分别设置在第一电极及第二电极的第一导电胶及第二导电胶以及设置在第一导电胶及第二导电胶上的发光芯片，其特征在于：所述基板的顶面凹陷形成有间隔设置的第一收容槽及第二收容槽，所述第一导电胶及第二导电胶分别位于所述第一收容槽及第二收容槽的外侧，以便所述第一导电胶及第二导电胶受到发光芯片的挤压后分别流入第一收容槽及第二收容槽以避免二者粘连。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括基板、设置在所述基板横向相对两侧的第一电极及第二电极、分别设置在第一电极及第二电极的第一导电胶及第二导电胶以及设置在第一导电胶及第二导电胶上的发光芯片，其特征在于：所述基板的顶面凹陷形成有间隔设置的第一收容槽及第二收容槽，所述第一收容槽和第二收容槽的上端边缘与所述第一电极和第二电极上表面平齐，所述第一收容槽及第二收容槽的横截面为三角形，且所述第一收容槽及第二收容槽的宽度自上向下逐渐减小，所述第一导电胶及第二导电胶分别位于所述第一收容槽及第二收容槽的外侧，以便所述第一导电胶及第二导电胶受到发光芯片的挤压后分别流入第一收容槽及第二收容槽以避免二者粘连。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一收容槽及第二收容槽分别自所述基板的顶面中部内凹形成。3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一收容槽及第二收容槽的深度小于所述基板的整体厚度。4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一收容槽正对所述第一导电胶的位置上形成朝向所述第一导电胶弯折的第一弯折槽，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林厚德，张超雄，陈滨全，陈隆欣，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44