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综合量子调控机制造技术

技术编号:11474268 阅读:114 留言:0更新日期:2015-05-20 04:01
本发明专利技术公开了一种综合量子调控机,其特征在于:所述综合量子调控机具有激光预调控装置、光路合成谐振腔、微波源、微波电缆与连接器、微波谐振腔、线圈与磁组件、磁屏蔽、微波光子晶体、微波调制器、增稳装置、处理通道、送、收料机;本发明专利技术的目的在于克服现有高温超导技术中的不足而提供一种综合量子调控导体降低电阻获得超银导线,提高材料电性能和机械性能方法及应用;本发明专利技术是利用综合量子调控降低导体的电阻,获得超银导线,提高材料电性能和机械性能注入激光、微波和电磁能量和改变边界条件双向综合调控,提高量子有序度,达到有效降低电阻。提高材料、物件的电性能和机械性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种综合量子调控机,其特征在于:所述综合量子调控机具有激光预调控装置(1)、光路合成谐振腔(2)、微波源(3)、微波电缆与连接器(4)、微波谐振腔(5)、线圈与磁组件(6)、磁屏蔽(7)、微波光子晶体(8)、微波调制器(9)、增稳装置(10)、处理通道(11)、送、收料机(12、13);所述激光预调控装置(1)对应激光源2~6台,激光功率选用中小功率,单色或多色激光合成;配对产生谐振、双谐振或3频谐振置于综合量子调控机前端左右和上下方,多束激光在水平中心线上聚焦形成多维激光调控空间区域,导线、材料与物件经激光预处理后进入微波谐振腔(5);光路合成谐振腔(2)位于微波谐振腔(5)前,2~6路激光在导线圆周面合成复合聚焦光区;谐振腔同时可防止激光反射、散射;确保有效安全;光路合成腔处理后输出进入微波谐振腔(5);所述微波源(3)位于微波腔左、右侧,数量2~6台,中小功率,频率100MHz~16000 MHz;所述微波电缆与连接器(4)将微波源(3)与微波谐振腔(5)输入端口相连接起来;所述微波谐振腔(5)位于整个综合量子调控机的中间位置,中低功率,频率100MHz~16000 MHz电磁波在微波谐振腔(5)内谐振,调控导线、材料或物件的量子序,同时腔体封闭的铜或者铝结构良好接地起防止电磁辐射污染环境;所述线圈与磁组件(6)产生连续与磁脉冲,磁感应强度为0.1T~10T,线圈与磁组件3~8个,线圈与磁组件(6)置于微波谐振腔(5)上,与水平面夹角为300~900;所述磁屏蔽(7)用于增强磁场和防止磁泄露,减小磁干扰;所述微波光子晶体内腔(8)置于微波谐振腔(5)内,用于减小、消除表面影响,调控谐振模,提高谐振性能;所述微波调制器(9)将微波谐振腔(5)输出的电磁波功率经适当衰减,再经调制处理输送给增稳装置(10);增稳装置(10)对调控后的量子序作增稳处理,降低量子涨落和热涨落影响,使被调控材料与物件的电性能和机械性能性能更稳定;处理通道(11)处理通道矩形、六边形、正方形或圆形管道结构,用强度较高、耐磨性较好、稳定性好、绝缘性能和透波性能良好的介质管和外接头组成导线、材料与物件量子调控通道;送料机(12)与收料机(13),送料机(12)置于最前端,将需处理导线、材料与物件匀速或者加速输入综合量子处理系统;收料机(13)置于最末端,将处理导线与其他材料或物件匀速或者加速回收。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王德全王志宇
申请(专利权)人:王德全王志宇
类型:发明
国别省市:四川;51

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