【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种后栅工艺中ILD层的处理方法，包括：形成伪栅区；覆盖层间介质层；进行化学机械抛光，直至暴露伪栅极；进行热退火；去除伪栅区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔虎山，熊文娟，殷华湘，罗军，张永奎，徐强，朱慧珑，赵超，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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