【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种场致发射冷阴极，其特征在于：包括绝缘板，在绝缘板上形成的第一导电层，在第一导电层上形成的第二导电层；其中，第二导电层为与绝缘板和第一导电层均垂直的环状石墨烯。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：仲雪飞，樊兆雯，张雄，屠彦，杨兰兰，王丽丽，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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