一种高效可调控电子线路板制造技术

本实用新型专利技术提供一种高效可调控电子线路板，包括驱动电路、电源电路，所述驱动电路包括驱动芯片、单片机，所述驱动芯片的C引脚连接二极管D1，所述驱动芯片的G引脚连接到电阻R4、电阻R5，所述驱动芯片的E引脚连接电容C1、电阻R5，所述驱动芯片的电源电压为20V，所述驱动芯片的OC引脚通过电阻R3连接到单片机，所述单片机的其中一个引脚接地。该高效可调控电子线路板能满足小型、高频、高效率的要求；能满足高压大电流的要求；电源开关速度大幅提高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子线路板。
技术介绍
正弦脉宽调制和变频调速技术在工业控制领域的应用日见广泛。许多电力测试仪器都要求大功率、高性能以满足电力设备的测试要求。目前，市场上的大功率开关电源，其核心功率器件大都采用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)半导体场效应晶体管和双极型功率晶体管，它们都不能满足小型、高频、高效率的要求。金属氧化物半导体场效应晶体管具有开关速度快和电压型控制的特点，但其通态电阻大，难以满足高压大电流的要求；双极型功率晶体管虽然能满足高耐压大电流的要求，但没有快速的开关速度，属电流控制型器件，需要较大的功率驱动。总结来说，目前的可调控电源有以下缺点:1，不能满足小型、高频、高效率的要求；2，不能满足高压大电流的要求；3，电源开关速度较慢。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种高效可调控电子线路板，具有效率高、输出功率大、体积小等优点。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种高效可调控电子线路板，包括驱动电路、电源电路，所述驱动电路包括驱动芯片、单片机，所述驱动芯片的C引脚连接二极管Dl，所述驱动芯片的G引脚连接到电阻R4、电阻R5，所述驱动芯片的E引脚连接电容Cl、电阻R5，所述驱动芯片的电源电压为20V，所述驱动芯片的OC引脚通过电阻R3连接到单片机，所述单片机的其中一个引脚接地。优选地，所述驱动芯片的型号为EXB840，所述单片机的型号为TLP521-1。优选地，所述电源电路采用半桥结构串联谐振逆变电路。优选地，所述半桥结构串联谐振逆变电路的输出电流与电容C8连接，电容C8的另一端与IGBT2的发射极连接，IGBT2的基极连接二极管D4、二极管D5，IGBT2的集电极与IGBTl的发射极连接，IGBTl的基极连接二极管D2、二极管D3，IGBTl的基极还连接到电感L、电容C5，IGBTl的集电极连接到输出电压。优选地，所述半桥结构串联谐振逆变电路的输出电压为300V。优选地，所述电源电路与一缓冲电路连接，所述缓冲电路包括电感Lm、所述电感Lm —端与供电电压Vcc连接，另一端分成三条线路，第一条线路连接三极管VTl、三极管VT2、电阻R8、二极管D8，第二条线路依次连接缓冲电容C9、二极管D8、二极管D9、缓冲电容C10，第三条线路依次连接电阻R9、缓冲电容C10，所述三极管VTl与二极管VDl反并联，所述三极管VT2与二极管VD2反并联。如上所述，本技术的一种高效可调控电子线路板，具有以下有益效果:DIGBT具有效率高、性能可靠、体积小，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点等优点，故对于600VDC以上输出的电源采用IGBT作为逆变器件。2)该电源线路板具有故障锁定功能，一旦电源故障，锁定功能将禁止开通IGBT，当故障出现时，IGBT被锁点开通，这时大容量滤波电容可以储存很高的电能，所以电源部分有故障保护自动切断工作电源和自动放电功能。3)本电源采用的是半桥逆变电路，相对全桥电路来说，将产生比全桥电路更大的di/dt0总结来说，该尚效可调控电子线路板能满足小型、尚频、尚效率的要求；还能满足高压大电流的要求；并且电源开关速度得到提高。【附图说明】图1为高效可调控电子线路板的驱动电路图。图2为高效可调控电子线路板的电源电路图。图3为高效可调控电子线路板的缓冲电路图。【具体实施方式】以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1和图3须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。如图1至图3所示，本技术提供一种高效可调控电子线路板，包括驱动电路、电源电路，所述驱动电路包括驱动芯片、单片机，所述驱动芯片的C引脚连接二极管D1，所述驱动芯片的G引脚连接到电阻R4、电阻R5，所述驱动芯片的E引脚连接电容Cl、电阻R5，所述驱动芯片的电源电压为20V，所述驱动芯片的OC引脚通过电阻R3连接到单片机，所述单片机的其中一个引脚接地。作为一种具体实施例，驱动芯片的型号为EXB840，所述单片机的型号为TLP521-1。作为一种具体实施例，电源电路采用半桥结构串联谐振逆变电路。作为一种具体实施例，半桥结构串联谐振逆变电路的输出电流与电容C8连接，电容C8的另一端与IGBT2的发射极连接，IGBT2的基极连接二极管D4、二极管D5，IGBT2的集电极与IGBTl的发射极连接，IGBTl的基极连接二极管D2、二极管D3，IGBTl的基极还连接到电感L、电容C5，IGBTl的集电极连接到输出电压。作为一种具体实施例，半桥结构串联谐振逆变电路的输出电压为300V。作为一种具体实施例，电源电路与一缓冲电路连接，所述缓冲电路包括电感Lm、所述电感Lm —端与供电电压Vcc连接，另一端分成三条线路，第一条线路连接三极管VT1、三极管VT2、电阻R8、二极管D8，第二条线路依次连接缓冲电容C9、二极管D8、二极管D9、缓冲电容C10，第三条线路依次连接电阻R9、缓冲电容C10，所述三极管VTl与二极管VDl反并联，所述三极管VT2与二极管VD2反并联。当三极管VT2开通时，随着电流的上升，在线路杂散电感Lm的作用下，使得Uab下降到Vcc_Ldi/dt，此时前一工作周期以被充电到Vcc的缓冲电容C9，通过三极管VTl的反并联二极管VD1、三极管VT2和缓冲电阻R9放电。在缓冲电路中，流过反并联二极管VDl的瞬时导通电流IDl为流过线路杂散电感电流IL和流过缓冲电容C9的电流IC之和，即ID1=IL+IC，因此IL和di/dt相对于无缓冲电路要小得多。当三极管VTl关断时，由于线路杂散电感Lm的作用，使Uce迅速上升，并大于母线电压Vcc，这时二极管VDl正向偏置，电感Lm中的储能(LmI2/2)向缓冲电路转移，缓冲电路吸收了贮能，不会造成Uce的明显上升。如上所述，本技术提供的一种尚效可调控电子线路板，IGBT具有效率尚、性能可靠、体积小，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点等优点，故对于600VDC以上输出的电源采用IGBT作为逆变器件；该电源线路板具有故障锁定功能，一旦电源故障，锁定功能将禁止开通IGBT，当故障出现时，IGBT被锁点开通，这时大容量滤波电容可以储存很高的电能，所以电源部分有故障保护自动切断工作电源和自动放电功能；本电源采用的是半桥逆变电路，相对全桥电路来说，将产生比全桥电路更大的di/dt。所以，本技术有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。上述实施例仅例示性说明本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高效可调控电子线路板，其特征在于：包括驱动电路、电源电路，所述驱动电路包括驱动芯片、单片机，所述驱动芯片的C引脚连接二极管D1，所述驱动芯片的G引脚连接到电阻R4、电阻R5，所述驱动芯片的E引脚连接电容C1、电阻R5，所述驱动芯片的电源电压为20V，所述驱动芯片的OC引脚通过电阻R3连接到单片机，所述单片机的其中一个引脚接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁海洋，
申请(专利权)人：华高科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32