【技术实现步骤摘要】
用于毫米波电路板的系统和方法
本专利技术总的涉及电路板,在特别的实施例中,涉及用于毫米波电路板的系统和方法。
技术介绍
由于低成本半导体技术(比如,硅锗(SiGe))和良好的几何互补金属氧化物半导体(CMOS,complementarymetal-oxidesemiconductor)工艺的快速进展,在过去的数年中,毫米波频率范围中的应用已获得显著关注。高速双极型晶体管和金属氧化物半导体(MOS)晶体管的可用性已导致对60GHz、77GHz和80GHz以及超出100GHz的毫米波应用的集成电路的需求不断增长。例如,这些应用包括汽车雷达和多兆位(multi-gigabit)通信系统。然而,随着RF系统的工作频率持续增加,以如此高的频率生成信号引起了一些重大挑战。一个此挑战在于去往集成电路的毫米波信号和来自集成电路的毫米波信号的接口。在高频时,键合线、封装接触、印刷电路板(PCB)轨迹、板电容以及其他寄生现象(parasitics)可潜在地引起高频RF信号的衰减和不匹配。在一些系统中(比如,汽车雷达系统),电路板使用波导与高频雷达天线相连接,以防止信号丢失。在更高功率的毫米波系统中,可出现与热管理有关的其他问题。例如,配置为处理高功率的电路部件可具有承受高电流的更宽的导电层和为了将热从高功率部分中导出的散热结构(比如,导通孔(via))。这些导电层和散热结构可增加可降低RF性能的寄生电容和寄生电感。
技术实现思路
根据一个实施例,电路板包括包括第一导电层的至少一部分的信号线,该信号线具有在电路板中的空腔之上自该空腔的第一侧面延伸的第一部分。该电路板还包括包围该空腔 ...
【技术保护点】
一种电路板,包括:信号线,包括第一导电层的至少一部分,其中所述信号线具有在所述电路板中的空腔之上自所述空腔的第一侧面延伸的第一部分;和第一多个导电导通孔,其包围所述空腔,其中所述第一多个导通孔包括与所述空腔的所述第一侧面邻近地布置的至少一个盲孔。
【技术特征摘要】
2013.10.30 US 14/067,6401.一种电路板,包括:信号线,包括第一导电层的至少一部分,其中所述信号线具有在所述电路板中的空腔之上自所述空腔的第一侧面延伸的第一部分,以及其中所述信号线进一步包括:第二部分,其被配置为传输线;和第三部分,其被配置为用于接触集成电路的焊盘;第一多个导电导通孔,其包围所述空腔,其中所述第一多个导电导通孔包括与所述空腔的所述第一侧面邻近地布置的至少一个盲孔;以及第二多个导电导通孔,与所述信号线的所述第二部分邻近地布置。2.如权利要求1所述的电路板,其中所述信号线的所述第一部分是锥形。3.如权利要求1所述的电路板,其中所述空腔和所述第一多个导电导通孔被配置为波导;以及所述信号线的所述第一部分被配置为波导馈线。4.如权利要求3所述的电路板,其中所述波导被配置为以第一波长运行;以及所述第一多个导电导通孔的间距小于或者等于所述第一波长的四分之一。5.如权利要求1所述的电路板,其中所述至少一个盲孔被布置在所述信号线下面。6.如权利要求5所述的电路板,其中所述第一导电层是所述电路板的顶部导电层;所述至少一个盲孔包括从所述电路板的底部导电层延伸至所述电路板的中间导电层的导通孔;以及所述第一多个导电导通孔进一步包括从所述电路板的所述底部导电层延伸至所述电路板的所述顶部导电层的导通孔。7.如权利要求1所述的电路板,进一步包括绝缘层,其被布置在所述信号线和所述空腔之间。8.如权利要求7所述的电路板,其中所述绝缘层包括第一高频层压层。9.如权利要求8所述的电路板,其中所述电路板进一步包括第二高频层压层和第一FR-4层。10.如权利要求1所述的电路板,其中所述第二多个导电导通孔包括:第一导电导通孔,其将所述电路板的顶部导电层连接至所述电路板的底部导电层,其中所述第一导电导通孔具有第一直径;和第二导电导通孔,其将所述电路板的所述顶部导电层连接至所述电路板的所述底部导电层,其中所述第二导电导通孔具有小于所述第一直径的第二直径。11.一种毫米波系统,包括:电路板,所述电路板包括:接触区,包括被配置为被耦接至射频(RF)集成电路的多个焊盘,其中所述焊盘包括被配置为被耦接至所述RF集成电路的RF信号接口的第一信号焊盘;和传输线,被耦接至所述第一信号焊盘;第一多个导通孔,与所述焊盘邻近地布置在所述接触区中并且还与所述传输线邻近地布置,其中所述第一多个导通孔中的至少一个导通孔与所述第一信号焊盘邻近地布置,所述第一多个导通孔的第一子集包括第一直径,以及所述第一多个导通孔的第二子集包括短于所述第一直径的第二直径。12.如权利要求11所述的毫米波系统,进一步包括所述RF集成电路。13.如权利要求11所述的毫米波系统,其中所述第一多个导通孔包括在所述电路板的顶部导电层和所述电路板的底部导电层之间连接的导通孔。14.如权利要求11所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·特罗塔,J·S·巴尔,M·沃杰诺维斯基,E·泽勒,M·波尔茂萨维,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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