半导体器件封装制造技术

半导体器件封装。在实施例中，半导体器件封装包括双向开关电路。双向开关电路包括：安装在第一管芯焊盘上的第一半导体晶体管；安装在第二管芯焊盘上的第二半导体晶体管，第二管芯焊盘与第一管芯焊盘分离；以及在第一晶体管的源极电极和第二晶体管的源极电极之间延伸的导电连接器。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件封装
技术介绍
两个或更多的功率半导体器件（例如二极管、晶体管等）可被布置在电路中以提供各种配置或功能。例如，两个MOSFET晶体管可被布置在电路中以提供半桥配置或可双向地供应电流的双向开关。例如，可在应用（诸如电功率转换电路或等离子体显示设备）中使用双向开关。
技术实现思路
在实施例中，半导体器件封装包括双向开关电路。双向开关电路包括：安装在第一管芯焊盘上的第一半导体晶体管；安装在第二管芯焊盘上的第二半导体晶体管，第二管芯焊盘与第一管芯焊盘分离；以及在第一晶体管的源极电极和第二晶体管的源极电极之间延伸的导电连接器。本领域中的技术人员在阅读下面的详细描述时和在观看附图时将认识到附加的特征和优点。附图说明附图的元件不一定相对于彼此按比例。相同的参考数字指示对应的相同部分。各种所示的实施例的特征可组合，除非它们排斥彼此。实施例在附图中被描绘并在接下来的描述中被详述。图1图示根据第一实施例的半导体器件封装的示意性横截面视图。图2图示示例性双向开关电路。图3图示根据第二实施例的半导体器件封装的示意性横截面视图。图4图示根据第二实施例的半导体器件封装的示意性顶视图。图5图示根据第三实施例的半导体器件封装的示意性顶视图。图6图示包括双向开关电路的功率因子校正电路。具体实施方式在下面的详细描述中，参考形成其一部分的附图，且其中通过例证示出本专利技术可被实践的特定实施例。在这个方面中，参考正被描述的一个或多个图的方位来使用方向术语（例如“顶部”、“底部”、“前面”、“后面”、“最前部”、“尾部”等）。因为实施例的部件可被定位于多个不同的方位中，所以方向术语用于说明的目的且决不是限制性的。将理解的是，在不脱离本专利技术的范围的情况下，其它实施例可被利用，且结构或逻辑改变可被做出。其中下面的详细描述不应在限制的意义上被理解，且本专利技术的范围由所附权利要求限定。下面将解释很多实施例。在这种情况下，相同的结构特征由附图中的相同或相似的参考符号标识。在本描述的上下文中，“横向”或“横向方向”应被理解为意指通常平行于半导体材料或半导体载体的横向长度延伸的方向或长度。横向方向因此通常平行于这些表面或侧面延伸。与其相反，术语“垂直”或“垂直方向”被理解为意指通常垂直于这些表面或侧面且因而垂直于横向方向延伸的方向。垂直方向因此在半导体材料或半导体载体的厚度方向上延伸。如在这个说明书中采用的，术语“耦合的”和/或“电耦合的”并不打算意指元件必须直接耦合在一起，插入元件可被提供在“耦合的”或“电耦合的”元件之间。如在本文使用的，“高电压器件”（例如高电压耗尽模式晶体管）是为高电压开关应用优化的电子器件。也就是说，当晶体管断开时，它能够阻塞高电压（例如大约300V或更高、大约600V或更高或者大约1200V或更高），且当晶体管接通时，它对于其中它被使用的应用具有足够低的接通电阻（RON），即，它在相当大的电流穿过器件时经历足够低的传导损耗。高电压器件可至少能够阻塞等于高电压供电的电压或在它所用于的电路中的最大电压。高电压器件可能能够阻塞300V、600V、1200V或应用所需的其它适当的阻塞电压。如在本文使用的，“低电压器件”（例如低电压增强模式晶体管）是能够阻塞例如在0V和Vlow之间的低电压但不能够阻塞高于Vlow的电压的电子器件。Vlow可以是大约10V、大约20V、大约30V、大约40V或在大约5V和50V之间，例如在大约10V和30V之间。如在本文使用的，术语“源极电极”和“源极”也分别包括双极晶体管（例如绝缘栅双极晶体管）的发射极电极和发射极的功能等效形式。术语“漏极电极”和“漏极”分别包括双极晶体管（例如绝缘栅双极晶体管）的集电极和集电极电极的功能等效形式。图1图示根据第一实施例的半导体器件封装10的示意图。半导体器件封装10包括双向开关电路11。双向开关电路11包括安装在第一管芯焊盘13上的第一半导体晶体管12和安装在第二管芯焊盘15上的第二半导体晶体管14。第二管芯焊盘15与第一管芯焊盘13分离。双向开关电路11还包括在第一半导体晶体管12的源极电极17和第二半导体晶体管14的源极电极18之间延伸的导电连接器16。导电连接器16可被配置成通过双向开关电路11提供电流路径。可提供夹子的形式或如图1所示的接合线的形式的导电连接器16。导电连接器也可包括多个接合线。半导体器件封装10还可包括壳体，其中导电连接器16被布置在壳体内。壳体可包括例如环氧树脂。环氧树脂可使第一管芯焊盘13与第二管芯焊盘15电绝缘，并可密封导电连接器16。封装可被配置成具有标准封装轮廓，例如TO-220轮廓或TO-247轮廓。封装可包括五个引线。引线也可被描述为引脚。第一半导体晶体管12的漏极电极可电耦合到第一管芯焊盘13。半导体器件封装的第一漏极引线可从第一管芯焊盘13延伸。第二半导体晶体管14的漏极电极可被安装在第二管芯焊盘15上。第二漏极引线可从第二管芯焊盘15延伸。半导体器件封装10还可包括从第一半导体晶体管12的源极电极17延伸到封装的感测引线的第一导电感测连接器和从第二半导体晶体管14的源极电极18延伸到半导体器件封装10的感测引线的第二导电感测连接器。第一导电感测连接器和第二导电感测连接器可电耦合到半导体器件封装10的公共感测引线。半导体器件封装10可包括从第一半导体晶体管12的栅极延伸到封装的第一栅极引线的第二导电连接器，并可包括从第二半导体晶体管14的栅极延伸到封装的第二栅极引线的第二导电连接器。第一半导体晶体管12和第二半导体晶体管14可镜像对称地布置在半导体器件封装10内。第一半导体晶体管12和第二半导体晶体管14可以是MOSFET器件、绝缘栅双极晶体管（IGBT）或基于III族氮化物的晶体管，例如基于GaN的高电子迁移率晶体管（HEMT）。第一半导体晶体管12和第二半导体晶体管14可以是高电压器件。第一半导体晶体管12可具有比第二半导体晶体管14的横向面积大的横向面积。横向面积限定晶体管器件的物理长度。半导体器件封装10可包括从第一管芯焊盘13延伸的第一输入/输出引线和从第二管芯焊盘15延伸的第二输出/输入引线、第一栅极引线和第二栅极引线。术语“第一输入/输出引线”和“第二输出/输入引线”用于指示当第一引线充当输入引线时，第二引线充当输出引线，而当第一引线充当输出引线时，第二引线充当输入引线。半导体器件封装10还可包括感测引线。根据本文描述的实施例，提供了包括在单个封装轮廓内的双向开关电路的半导体器件封装。因此，可使用半导体器件封装来代替提供双向开关电路的不同部分的多两个分开的封装。例如，包括第一晶体管的第一封装、包括第二晶体管的第二封装和在它们之间的导电连接可由容纳这些元件的单个封装代替。单个半导体器件封装可用于通过提供具有较小的覆盖区的双向开关来节省在电路板上的空间。图2图示示例性双向开关电路20。双向开关电路20包括具有源极电极22、漏极电极23和栅极电极24的第一半导体晶体管21。双向开关电路20还包括第二晶体管25，其包括源极电极26、漏极电极27和栅极电极28。第一半导体晶体管21的源极电极22电耦合到第二晶体管25的源极电极26并形成双向开关电路20的节点29，其形成双向开关电路20的电流路径的部分。双向开关电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件封装，包括：双向开关电路，包括：第一半导体晶体管，其被安装在第一管芯焊盘上；第二半导体晶体管，其被安装在第二管芯焊盘上，所述第二管芯焊盘与所述第一管芯焊盘分离；以及导电连接器，其在所述第一晶体管的源极电极和所述第二晶体管的源极电极之间延伸。

【技术特征摘要】
2013.10.31 US 14/0685491.一种半导体器件封装，包括：双向开关电路，包括：具有上表面和下表面的第一半导体晶体管，在所述上表面上定位源极电极和栅极电极而在所述下表面上定位漏极电极，所述漏极电极被安装在第一管芯焊盘的上表面上且电耦合到第一管芯焊盘的上表面；具有上表面和下表面的第二半导体晶体管，在所述上表面上定位源极电极和栅极电极而在所述下表面上定位漏极电极，所述漏极电极被安装在第二管芯焊盘的上表面上且电耦合到第二管芯焊盘的上表面；壳体，包括环氧树脂和导电连接器，所述导电连接器提供双向开关电路的电流路径，在所述第一晶体管的源极电极和所述第二晶体管的源极电极之间延伸，其中所述第二管芯焊盘与所述第一管芯焊盘相邻且通过环氧树脂与所述第一管芯焊盘分离，每个管芯焊盘包括第一端和第二端，相应的晶体管被安装在第一端和第二端上；第一漏极引线从所述第一管芯焊盘的第二端延伸到壳体的外部并且第二漏极引线从所述第二管芯焊盘的第二端延伸到壳体的外部，第一栅极引线、感测引线和第二栅极引线，位于第一漏极引线和第二漏极引线之间并且与所述第一管芯焊盘的第二端和所述第二管芯焊盘的第二端隔开一段距离并且通过壳体的环氧树脂彼此电绝缘且与所述第一管芯焊盘和所述第二管芯焊盘电绝缘，其中所述第一栅极引线被定位成与第一漏极引线相邻，所述感测引线被定位成与第一栅极引线相邻且面向所述第一管芯焊盘和所述第二管芯焊盘之间的间隙，而所述第二栅极引线被定位于所述感测引线和第二漏极引线之间；壳体内的导电连接器，在第一晶体管的上表面上的栅极电极和...

【专利技术属性】
技术研发人员：F布鲁奇，李徳森，R奥特伦巴，F施托伊克勒，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT