两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构制造技术

技术编号:11392958 阅读:145 留言:0更新日期:2015-05-02 04:53
本实用新型专利技术涉及一种两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构,属于芯片封装技术领域。该两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构,包括硅片,硅片的上表面嵌置有铝垫,硅片的上表面及铝垫的外周边覆盖有硅片护层,铝垫的上表面及铝垫周边的硅片护层上方覆盖有钛钨合金保护层,钛钨合金保护层的上表面覆盖有金导电层,金导电层上方设有高晶格密度金凸块,高晶格密度金凸块的上方设有低晶格密度金凸块,低晶格密度金凸块的上部被封装基板密封,金凸块的上部嵌于封装基板的槽孔中。由于与溅镀金导电层接触的是高晶格密度金凸块,与溅射金晶粒差异较小,在回火后电镀金容易与导电层金的晶格重组,提高了产品的可靠性,延长了产品的寿命。

【技术实现步骤摘要】
两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构
本技术涉及一种两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构,属于芯片封装

技术介绍
传统的液晶面板驱动芯片封装凸块包括硅片,硅片的上表面嵌置有铝垫,硅片的上表面及铝垫的外周边覆盖有硅片护层,铝垫的上表面及铝垫周边的硅片护层上方覆盖有钛钨合金保护层,钛钨合金保护层的上表面覆盖有金导电层,金导电层上方设有金凸块,金凸块的上方覆盖有封装基板。 铝垫连接在硅片上用于连接IC内部线路,铝垫与IC内部线路之间为电性连接;硅片护层能够防止水氧或外在环境粉尘的污染,确保IC在一般环境中可以正常运作;金凸块在制造过程中采用电镀的方式沉积而成,所以需要一个导电性能优良的金属当导电层,由于金是所有金属中导电性、延展性最好的金属,因此通常采用金作为导电层,与凸块的材质相同。钛钨合金保护层既起到附着的作用,又起到保护的作用,可以强化金凸块跟IC的结合强度,另外金凸块跟铝垫在高温的工作环境中会形成合金,进而影响IC的功能,而保护层能够阻挡金跟铝形成合金。 由于在封装过程中,凸块的硬度是一个关键的考虑因素,太硬会在封装过程中产生很大的应力,使保护层承受不了大应力而破裂,太软会使得凸块产生较大的形变,容易造成相邻两个凸块之间短路,而金就是一个可以提供适当硬度的金属。 金导电层是致密均匀且晶粒小的金,由溅射沉积而成,厚度很薄。而金凸块采用电镀的方式沉积而成,厚度较厚,传统方式在高电流密度下产生的金凸块,晶粒较大,与溅射金晶粒差异较大,在回火过程中两种晶粒不易重组,可靠度较差,相对产品寿命短。在可靠度测试上仅能通过1000小时测试,不能通过1500小时测试,铝垫裸露。
技术实现思路
本技术的目的在于,克服现有技术中存在的问题,提供一种两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构,可以提高产品的可靠性。 为解决以上技术问题,本技术的一种两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构,包括硅片,所述硅片的上表面嵌置有铝垫,所述硅片的上表面及所述铝垫的外周边覆盖有硅片护层,所述铝垫的上表面及铝垫周边的所述硅片护层上方覆盖有钛钨合金保护层,所述钛钨合金保护层的上表面覆盖有金导电层,所述金导电层上方设有高晶格密度金凸块,所述高晶格密度金凸块的上方设有低晶格密度金凸块,所述低晶格密度金凸块的上部被封装基板密封。 相对于现有技术,本技术取得了以下有益效果:在金凸块电镀过程中,首先采用低电流密度,在金导电层上沉积高晶格密度金凸块;再采用高电流密度,在高晶格密度金凸块上方继续沉积低晶格密度金凸块;由于与溅镀金导电层接触的是高晶格密度金凸块,与溅射金晶粒差异较小,在回火后电镀金容易与导电层金的晶格重组,提高了产品的可靠性,延长了产品的寿命。在相同厚度与相同高度金凸块的状况下,本技术的两段式电镀在可靠度测试上可通过1500小时测试,未见铝垫裸露。而传统一段式电镀在可靠度测试上只能通过1000小时测试,不能通过1500小时测试,铝垫裸露。 【附图说明】 下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明,附图仅提供参考与说明用,非用以限制本技术。 图1为本技术两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构的示意图。 图中:1.娃片;2.销塾;3.娃片护层;4.钦鹤合金保护层;5.金导电层;6.尚晶格密度金凸块低晶格密度金凸块;8.封装基板。 【具体实施方式】 如图1所示,本技术的两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构,包括硅片1,硅片I的上表面嵌置有铝垫2,硅片I的上表面及铝垫2的外周边覆盖有硅片护层3,铝垫2的上表面及铝垫周边的硅片护层3上方覆盖有钛钨合金保护层4,钛钨合金保护层4的上表面覆盖有金导电层5,金导电层5上方设有高晶格密度金凸块6,高晶格密度金凸块6的上方设有低晶格密度金凸块7,低晶格密度金凸块7的上部被封装基板8密封。 在金凸块电镀过程中,首先采用低电流密度,在金导电层上沉积高晶格密度金凸块;再采用高电流密度,在高晶格密度金凸块上方继续沉积低晶格密度金凸块;由于与溅镀金导电层接触的是高晶格密度金凸块,与溅射金晶粒差异较小,在回火后电镀金容易与导电层金的晶格重组,提高了产品的可靠性,延长了产品的寿命。在相同厚度与相同高度金凸块的状况下,本技术的两段式电镀在可靠度测试上可通过1500小时测试,未见铝垫裸露。 以上所述仅为本技术之较佳可行实施例而已,非因此局限本技术的专利保护范围。除上述实施例外,本技术还可以有其他实施方式,例如金凸块电镀时电流密度由低到高渐层式加大。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本技术要求的保护范围内。本技术未经描述的技术特征可以通过或采用现有技术实现,在此不再赘述。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构,包括硅片,所述硅片的上表面嵌置有铝垫,所述硅片的上表面及所述铝垫的外周边覆盖有硅片护层,所述铝垫的上表面及铝垫周边的所述硅片护层上方覆盖有钛钨合金保护层,所述钛钨合金保护层的上表面覆盖有金导电层,其特征在于:所述金导电层上方设有高晶格密度金凸块,所述高晶格密度金凸块的上方设有低晶格密度金凸块,所述低晶格密度金凸块的上部被封装基板密封。

【技术特征摘要】
1.一种两段式液晶面板驱动芯片封装凸块结构,包括硅片,所述硅片的上表面嵌置有铝垫,所述硅片的上表面及所述铝垫的外周边覆盖有硅片护层,所述铝垫的上表面及铝垫周边的所述硅片护层上方覆盖有钛钨合金...

【专利技术属性】
技术研发人员:周德榕孔跃春顾慧凯
申请(专利权)人:江苏汇成光电有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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