磁记录介质及磁存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其包括基板；磁性层，其以具有L10型晶体结构的合金为主成分；以及多个衬底层，其布置在所述基板与所述磁性层之间。所述多个衬底层包括至少一个结晶衬底层，所述结晶衬底层具有(100)取向，并且包括W来作为主成分、以及选自由Fe、Ni、Co、Hf、Zr、Y、Be、Ce、La、及Sc组成的群组的一种或多种元素。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种磁记录介质，其特征在于，包括：基板；磁性层，其以具有L10型晶体结构的合金为主成分；以及多个衬底层，其布置在所述基板与所述磁性层之间，所述多个衬底层包括至少一个结晶衬底层，所述结晶衬底层具有(100)取向，并且包括W来作为主成分、以及选自由Fe、Ni、Co、Hf、Zr、Y、Be、Ce、La、及Sc组成的群组的一种或多种元素。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，神边哲也，村上雄二，丹羽和也，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP