低功率反相器电路制造技术

技术编号:11387595 阅读:79 留言:0更新日期:2015-05-01 23:46
本发明专利技术涉及低功率反相器电路,其包括第一晶体管和第二晶体管,该第一晶体管和第二晶体管在它们的栅极端子处接收输入信号。第一晶体管和第二晶体管通过它们的源极端子分别连接到第三晶体管和第四晶体管。第三晶体管和第四晶体管分别与第五晶体管和第六晶体管并联连接。第三晶体管和第四晶体管连续导通,第五晶体管和第六晶体管被控制成使得当输入信号从一种状态转变到另一种状态时,降低流经第一晶体管和第二晶体管的短路电流。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种反相器电路,包括:第一晶体管,具有用于接收电源电压的源极端子,以及短路到地的栅极端子;第二晶体管,具有用于接收电源电压的源极端子,以及连接到第一晶体管的漏极端子的漏极端子;第一反相器,连接到第一晶体管和第二晶体管的漏极端子,用于接收输入信号,并在输出端子处生成输出信号;第三晶体管,具有连接到第一反相器的漏极端子,短路到地的源极端子,以及用于接收电源电压的栅极端子;第四晶体管,具有连接到第三晶体管的漏极端子的漏极端子,以及短路到地的源极端子;以及第二反相器,具有连接到第一反相器的输出端子并且用于接收输出信号的输入端子,以及连接到第二晶体管和第四晶体管的栅极端子的输出端子。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:A·罗伊程志宏A·K·黛V·塔亚尔C·弗尔玛
申请(专利权)人:飞思卡尔半导体公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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