一种采用AlGaN沟道层的异质结材料的生长方法技术

本发明专利技术是一种采用AlGaN沟道层的异质结材料的生长方法，包括：1）选取(0001)面蓝宝石衬底衬底，在氢气气氛下对衬底表面预处理；2）在衬底上依次生长GaN成核层、AlxGa1-xN沟道层、AIN插入层和InyAl1-yN势垒层，其中0＜x＜0.1、0＜y＜0.2。优点：制备的InAlN/AlGaN异质结材料室温二维电子气迁移率达551 cm2 v-1 s-1，二维电子气浓度1.94×1013cm-2，适合于大电流、大功率、高击穿半导体器件的研制，且该方法重复性好，符合工业应用要求；方法简单易行，与现有MOCVD方法生长AlGaN/GaN异质结材料工艺兼容，且对MOCVD系统不会造成任何污染。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
采用AlGaN沟道层的异质结材料的生长方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：1）选取(0001)面蓝宝石（1）衬底，并在氢气气氛下对所述衬底进行表面预处理；2）在所述衬底上依次生长GaN成核层、AlxGa1‑xN沟道层、AIN插入层和InyAl1‑yN势垒层，其中0＜x＜0.1、0＜y＜0.2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董逊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32