AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法技术

本发明专利技术提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用6T2C结构，包括第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6)、第一、第二电容(C1、C2)、及有机发光二极管(OLED)，第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管，第五薄膜晶体管(T5)为开关薄膜晶体管；并引入第一控制信号(G1)、第二控制信号(G2)、与第三控制信号(G3)，三者相结合先后对应于一数据信号写入阶段(1)、一全局补偿阶段(2)、一充电阶段(3)、及一发光阶段(4)，能够有效补偿驱动薄膜晶体管及有机发光二级管的阈值电压变化，使AMOLED的显示亮度较均匀，提升显示品质。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。如图1所述，传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路，包括一第一薄膜晶体管T10、一第二薄膜晶体管T20、及一电容C，所述第一薄膜晶体管T10为开关薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T20为驱动薄膜晶体管，所述电容C为存储电容。具体地，所述第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接扫描信号Scan，源极电性连接数据信号Data，漏极与第二薄膜晶体管T20的栅极、及电容C的一端电性连接；所述第二薄膜晶体管T20的源极电性连接电源正电压VDD，漏极电性连接有机发光二级管D的阳极；有机发光二级管D的阴极电性连接电源负电压VSS；电容C的一端电性连接第一薄膜晶体管T10的漏极，另一端电性连接第二薄膜晶体管T20的源极。AMOLED显示时，扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T10打开，数据信号Data经过第一薄膜晶体管T10进入到第二薄膜晶体管T20的栅极及电容C，然后第一薄膜晶体管T10闭合，由于电容C的存储作用，第二薄膜晶体管T20的栅极电压仍可继续保持数据信号电压，使得第二薄膜晶体管T20处于导通状态，驱动电流通过第二薄膜晶体管T20进入有机发光二级管D，驱动有机发光二级管D发光。上述传统用于AMOLED的2T1C像素驱动电路对薄膜晶体管的阈值电压和沟道迁移率、有机发光二极管的启动电压和量子效率以及供电电源的瞬变过程都很敏感。第二薄膜晶体管T20，即驱动薄膜晶体管的阈值电压会随着工作时间而漂移，从而导致有机发光二极管D的发光不稳定；进一步地，各个像素的第二薄膜晶体管T20，即驱动薄膜晶体管的阈值电压的漂移不同，漂移量或增大或减小，导致各个像素间的发光不均匀、亮度不一。使用这种传统的不带补偿的2T1C像素驱动电路造成的AMOLED显示亮度的不均匀性约为50％甚至更高。解决AMOLED显示亮度不均匀的一个方法是对每一个像素加补偿电路，补偿意味着必须对每一个像素中的驱动薄膜晶体管的参数，例如阈值电压和迁移率，进行补偿，使输出电流变得与这些参数无关。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够有效补偿驱动薄膜晶体管及有机发光二级管的阈值电压变化，使AMOLED的显示亮度较均匀，提升显示品质。本专利技术的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够对驱动薄膜晶体管及有机发光二级管的阈值电压变化进行有效补偿，使AMOLED的显示亮度较均匀，提升显示品质。为实现上述目的，本专利技术提供一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管为开关薄膜晶体管；所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于扫描信号，源极电性连接于数据信号，漏极电性连接于第一节点；所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一控制信号，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第二节点；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第二控制信号，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第三节点；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一控制信号，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于第二电容的一端及参考电压；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第三节点，漏极电性连接于电源正电压，源极电性连接于第四节点；所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第三控制信号，源极电性连接于第四节点，漏极电性连接于有机发光二极管的阳极；所述第一电容的一端电性连接于第二节点，另一端电性连接于第四节点；所述第二电容的一端电性连接于第二晶体管的漏极及参考电压，另一端电性连接于第一节点；所述有机发光二极管的阳极电性连接于第六晶体管的漏极，阴极电性连接于电源负电压。所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、与第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。所述第一控制信号、第二控制信号、与第三控制信号均通过外部时序控制器提供。所述第一控制信号、第二控制信号与第三控制信号相组合，先后对应于一数据信号写入阶段、一全局补偿阶段、一充电阶段、及一发光阶段；在所述数据信号写入阶段，所述第一控制信号为低电位，所述第二控制信号为高电位，所述第三控制信号为高电位；在所述全局补偿阶段，所述第一控制信号为低电位，所述第二控制信号为低电位，所述第三控制信号为高电位；在所述充电阶段，所述第一控制信号为高电位，所述第二控制信号为低电位，所述第三控制信号为低电位；在所述发光阶段，所述第一控制信号为低电位，所述第二控制信号为高电位，所述第三控制信号为高电位。所述扫描信号在所述数据信号写入阶段内为脉冲信号，在所述全局补偿阶段、充电阶段、与发光阶段内均为低电位。所述参考电压为一恒定电压。本专利技术还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：步骤S1、提供一AMOLED像素驱动电路；所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管为开关薄膜晶体管；所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于扫描信号，源极电性连接于数据信号，漏极电性连接于第一节点；所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一控制信号，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第二节点；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第二控制信号，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第三节点；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一控制信号，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于第二电容的一端及参考电压；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第三节点，漏极电性连接于电源正电压，源极电性连接于第四节点；所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第三控制信号，源极电性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(OLED)；所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管(T5)为开关薄膜晶体管；所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于扫描信号(Scan)，源极电性连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第一节点(D)；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第一控制信号(G1)，源极电性连接于第一节点(D)，漏极电性连接于第二节点(A)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第二控制信号(G2)，源极电性连接于第二节点(A)，漏极电性连接于第三节点(G)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一控制信号(G1)，源极电性连接于第三节点(G)，漏极电性连接于第二电容(C2)的一端及参考电压(Vref)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第三节点(G)，漏极电性连接于电源正电压(VDD)，源极电性连接于第四节点(S)；所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第三控制信号(G3)，源极电性连接于第四节点(S)，漏极电性连接于有机发光二极管(OLED)的阳极；所述第一电容(C1)的一端电性连接于第二节点(A)，另一端电性连接于第四节点(S)；所述第二电容(C2)的一端电性连接于第二晶体管(T2)的漏极及参考电压(Vref)，另一端电性连接于第一节点(D)；所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第六晶体管(T6)的漏极，阴极电性连接于电源负电压(VSS)。...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(OLED)；所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管(T5)为开关薄膜晶体管；所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于扫描信号(Scan)，源极电性连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第一节点(D)；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第一控制信号(G1)，源极电性连接于第一节点(D)，漏极电性连接于第二节点(A)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第二控制信号(G2)，源极电性连接于第二节点(A)，漏极电性连接于第三节点(G)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一控制信号(G1)，源极电性连接于第三节点(G)，漏极电性连接于第二电容(C2)的一端及参考电压(Vref)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第三节点(G)，漏极电性连接于电源正电压(VDD)，源极电性连接于第四节点(S)；所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第三控制信号(G3)，源极电性连接于第四节点(S)，漏极电性连接于有机发光二极管(OLED)的阳极；所述第一电容(C1)的一端电性连接于第二节点(A)，另一端电性连接于第四节点(S)；所述第二电容(C2)的一端电性连接于第二晶体管(T2)的漏极及参考电压(Vref)，另一端电性连接于第一节点(D)；所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第六晶体管(T6)的漏极，阴极电性连接于电源负电压(VSS)。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、与第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一控制信号(G1)、第二控制信号(G2)、与第三控制信号(G3)均通过外部时序控制器提供。4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一控制信号(G1)、第二控制信号(G2)与第三控制信号(G3)相组合，先后对应于一数据信号写入阶段(1)、一全局补偿阶段(2)、一充电阶段(3)、及一发光阶段(4)；在所述数据信号写入阶段(1)，所述第一控制信号(G1)为低电位，所述第二控制信号(G2)为高电位，所述第三控制信号(G3)为高电位；在所述全局补偿阶段(2)，所述第一控制信号(G1)为低电位，所述第二控制信号(G2)为低电位，所述第三控制信号(G3)为高电位；在所述充电阶段(3)，所述第一控制信号(G1)为高电位，所述第二控制信号(G2)为低电位，所述第三控制信号(G3)为低电位；在所述发光阶段(4)，所述第一控制信号(G1)为低电位，所述第二控制信号(G2)为高电位，所述第三控制信号(G3)为高电位。5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述扫描信号(Scan)在所述数据信号写入阶段(1)内为脉冲信号，在所述全局补偿阶段(2)、充电阶段(3)、与发光阶段(4)内均为低电位。6.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述参考电压(Vref)为一恒定电压。7.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一AMOLED像素驱动电路；所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(OLED)；所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管(T5)为开关薄膜晶体管；所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于扫描信号(Scan)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩佰祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44