一种鳍式场效晶体管的工艺整合方法技术

技术编号:11359182 阅读:97 留言:0更新日期:2015-04-29 10:08
本发明专利技术公开了一种鳍式场效晶体管的工艺整合方法,在鳍层图形化工艺流程中的侧墙刻蚀和核心层去除之后,通过增加一块阻挡光刻版及光刻工艺,并通过阻挡光刻版上包含的改善鳍层绝缘层平坦化的虚拟图形、与非光刻胶图形区域不同宽度尺寸的鳍层图形和测量标记的保护图形等多种图形,以增大最终鳍层图形密度、改善鳍层版图设计的灵活性、实现不同鳍层宽度图形,从而在成本增加有限的前提下,可以在硅片基底上实现多种器件,改善后续鳍层绝缘层平坦化工艺的均匀性和鳍层刻蚀均匀性,并保护膜厚测量标记。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种鳍式场效晶体管的工艺整合方法,用于其鳍层制造工艺,其特征在于,包括以下步骤:S01:提供一半导体基底,在所述基底上依次形成鳍层目标层、核心层及核心层的刻蚀阻挡层;S02:刻蚀核心层的阻挡层及核心层,形成核心层图形;S03:在核心层图形的表面形成侧墙硬掩模层,刻蚀侧墙硬掩模层并去除核心层,保留侧墙硬掩模图形;S04:采用阻挡光刻版进行光刻工艺,在部分硬掩模图形上方形成光刻胶图形;S05:分别以光刻胶图形和非光刻胶图形区域的侧墙硬掩模图形为阻挡层,对鳍层目标层进行刻蚀,以在光刻胶图形和非光刻胶图形区域分别形成第一、第二鳍层图形;S06:去除光刻胶及侧墙硬掩模,进行后续线端切除的光刻和刻蚀工艺,形成最终的第一、第二鳍层图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:袁伟李铭
申请(专利权)人:上海集成电路研发中心有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1