输入端口保护装置制造方法及图纸

技术编号:11353859 阅读:90 留言:0更新日期:2015-04-25 04:33
本实用新型专利技术公开了一种输入端口保护装置。输入端口保护装置包括第一电阻、第一瓷片电容、第一稳压管、第一电解电容、第一NMOS管和第二电阻。利用本实用新型专利技术提供的输入端口保护装置能很好地防止过冲电压损坏输入端口。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及输入端口保护技术,尤其涉及到防止过冲电流装置。
技术介绍
为了防止输入端口有较大的过冲电流使端口损坏,设置了防止过冲电压装置,可以使电压缓慢上升。
技术实现思路
本技术旨在解决现有技术的不足,提供一种防止过冲电压损坏输入端口的输入端口保护装置。输入端口保护装置,包括第一电阻、第一瓷片电容、第一稳压管、第一电解电容、第一 NMOS管和第二电阻:所述第一电阻的一端接输入端口和所述第一 NMOS管的漏极,另一端接所述第一瓷片电容的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一电解电容的正极和所述第一 NMOS管的栅极;所述第一瓷片电容的一端接所述第一电阻的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一电解电容的正极和所述第一 NMOS管的栅极,另一端接地;所述第一稳压管的阳极接地,阴极接所述第一电阻的一端和所述第一瓷片电容的一端和所述第一电解电容的正极和所述第一匪OS管的栅极;所述第一电解电容的正极接所述第一电阻的一端和所述第一瓷片电容的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一 NMOS管的栅极,负极接地;所述第一 NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一瓷片电容的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一电解电容的正极,漏极接输入端口,源极接所述第二电阻的一端;所述第二电阻的一端接所述第一 NMOS管的源极,另一端接地。所述第一电阻、所述第一瓷片电容、所述第一稳压管和所述第一电解电容构成所述第一 NMOS管的栅极电压产生电路,当输入电压升高时,由于有所述第一瓷片电容和所述第一电解电容的存在,所述第一 NMOS管的栅极电压会慢慢上升,所述第一瓷片电容和所述第一电解电容上的电压上升到所述第一稳压管的稳压值,同时所述第一瓷片电容有滤除高频信号的特性,使其上升过程中的高频干扰降低,所述第一电解电容有滤除低频信号的特性,使其上升过程中的低频干扰降低,使其上升过程中让干扰信号降到最小;当所述第一NMOS管的栅极电压和源极电压差上升到阈值电压时开始导通工作,由于电容上的电压不会突变,使得所述第一 NMOS管开始慢慢导通,使其源极有电流流出,同时源极的电压也开始上升,达到输出电压慢慢上升的目的,防止有冲击电流产生。【附图说明】图1为本技术的输入端口保护装置的电路图。【具体实施方式】以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。输入端口保护装置,如图1所示,包括第一电阻101、第一瓷片电容102、第一稳压管103、第一电解电容104、第一 NMOS管105和第二电阻106:所述第一电阻101的一端接输入端口和所述第一 NMOS管105的漏极,另一端接所述第一瓷片电容102的一端和所述第一稳压管103的阴极和所述第一电解电容104的正极和所述第一 NMOS管105的栅极;所述第一瓷片电容102的一端接所述第一电阻101的一端和所述第一稳压管103的阴极和所述第一电解电容104的正极和所述第一 NMOS管105的栅极,另一端接地;所述第一稳压管103的阳极接地,阴极接所述第一电阻101的一端和所述第一瓷片电容102的一端和所述第一电解电容104的正极和所述第一 NMOS管105的栅极;所述第一电解电容104的正极接所述第一电阻101的一端和所述第一瓷片电容102的一端和所述第一稳压管103的阴极和所述第一 NMOS管105的栅极,负极接地;所述第一 NMOS管105的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一瓷片电容102的一端和所述第一稳压管103的阴极和所述第一电解电容104的正极,漏极接输入端口,源极接所述第二电阻106的一端;所述第二电阻106的一端接所述第一 NMOS管105的源极,另一端接地。所述第一电阻101、所述第一瓷片电容102、所述第一稳压管103和所述第一电解电容104构成所述第一 NMOS管105的栅极电压产生电路,当输入电压升高时,由于有所述第一瓷片电容102和所述第一电解电容104的存在,所述第一 NMOS管105的栅极电压会慢慢上升,所述第一瓷片电容102和所述第一电解电容104上的电压上升到所述第一稳压管103的稳压值,同时所述第一瓷片电容102有滤除高频信号的特性,使其上升过程中的高频干扰降低,所述第一电解电容104有滤除低频信号的特性,使其上升过程中的低频干扰降低,使其上升过程中让干扰信号降到最小;当所述第一 NMOS管105的栅极电压和源极电压差上升到阈值电压时开始导通工作,由于电容上的电压不会突变,使得所述第一 NMOS管105开始慢慢导通,使其源极有电流流出,同时源极的电压也开始上升,达到输出电压慢慢上升的目的,防止有冲击电流产生。【主权项】1.输入端口保护装置,其特征在于包括第一电阻、第一瓷片电容、第一稳压管、第一电解电容、第一 NMOS管和第二电阻: 所述第一电阻的一端接输入端口和所述第一 NMOS管的漏极,另一端接所述第一瓷片电容的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一电解电容的正极和所述第一 NMOS管的栅极; 所述第一瓷片电容的一端接所述第一电阻的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一电解电容的正极和所述第一 NMOS管的栅极,另一端接地; 所述第一稳压管的阳极接地,阴极接所述第一电阻的一端和所述第一瓷片电容的一端和所述第一电解电容的正极和所述第一 NMOS管的栅极; 所述第一电解电容的正极接所述第一电阻的一端和所述第一瓷片电容的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一 NMOS管的栅极,负极接地; 所述第一 NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一瓷片电容的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一电解电容的正极,漏极接输入端口,源极接所述第二电阻的一端; 所述第二电阻的一端接所述第一 NMOS管的源极,另一端接地。【专利摘要】本技术公开了一种输入端口保护装置。输入端口保护装置包括第一电阻、第一瓷片电容、第一稳压管、第一电解电容、第一NMOS管和第二电阻。利用本技术提供的输入端口保护装置能很好地防止过冲电压损坏输入端口。【IPC分类】H02M1-08, H03K19-0175【公开号】CN204290934【申请号】CN201420843160【专利技术人】王文建 【申请人】杭州宽福科技有限公司【公开日】2015年4月22日【申请日】2014年12月25日本文档来自技高网
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【技术保护点】
输入端口保护装置,其特征在于包括第一电阻、第一瓷片电容、第一稳压管、第一电解电容、第一NMOS管和第二电阻:所述第一电阻的一端接输入端口和所述第一NMOS管的漏极,另一端接所述第一瓷片电容的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一电解电容的正极和所述第一NMOS管的栅极;所述第一瓷片电容的一端接所述第一电阻的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一电解电容的正极和所述第一NMOS管的栅极,另一端接地;所述第一稳压管的阳极接地,阴极接所述第一电阻的一端和所述第一瓷片电容的一端和所述第一电解电容的正极和所述第一NMOS管的栅极;所述第一电解电容的正极接所述第一电阻的一端和所述第一瓷片电容的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一NMOS管的栅极,负极接地;所述第一NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一瓷片电容的一端和所述第一稳压管的阴极和所述第一电解电容的正极,漏极接输入端口,源极接所述第二电阻的一端;所述第二电阻的一端接所述第一NMOS管的源极,另一端接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王文建
申请(专利权)人:杭州宽福科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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