半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元制造技术

本发明专利技术提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体-聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体、有机添加剂、和能聚合物质，其中所述组合物在进行聚合之后具有大于或等于约40％的雾度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体-聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体、有机添加剂、和能聚合物质，其中所述组合物在进行聚合之后具有大于或等于约40％的雾度。【专利说明】半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物 及用于液晶显示器件的背光单元 相关申请的交叉引用 本申请要求在2013年10月8日提交的韩国专利申请No. 10-2013-0120151和2014 年9月30日提交的韩国专利申请No. 10-2014-0131933的优先权和权益、W及由其产生的 所有权益，将其内容全部引入本文作为参考。
公开了纳米晶体-聚合物复合物及其制造方法。
技术介绍
与发射显示器例如等离子体显示面板（ro巧和场发射显示装置（FED)不同，液晶 显示器件（LCD)为无法单独地发射光并且需要来自外部的入射光来形成图像的非发射显 示装置。因此，LCD具有位于其后侧W发射光的背光单元。 用于LCD的背光单元使用冷阴极英光灯（CCFL)作为光源，但是使用CCFL具有缺 点，因为均匀亮度可得不到保证并且色纯度可随着LCD的尺寸变得更大而降低。 近年来，已经开发了使用H色L邸作为光源的背光单元，并且其可再现高的色纯 度并且因此可在高品质显示装置中找到其应用。然而，使用H色LED的背光单元远比CCFL 昂贵，并且为了克服该样的缺点，许多研究已集中于开发可转换来自单色LED芯片的光W 输出白光的白色LED。 白色L邸可保证收益性，但是与H色L邸相比，其不利地具有差的色纯度和低的颜 色再现性水平。因此，已经尝试使用半导体纳米晶体作为用于LED中的光转换层的材料W 增强颜色再现性及色纯度和具有价格竞争力。
技术实现思路
-个实施方式涉及可制造具有优异的亮度和稳定性的半导体-聚合物复合物的 半导体纳米晶体组合物。 另一实施方式涉及具有优异的亮度和稳定性的半导体-聚合物复合物。 另一实施方式涉及具有优异的亮度和稳定性的背光单元。 根据一个实施方式，半导体纳米晶体组合物包括半导体纳米晶体，有机添加剂，和 选自能聚合单体、能聚合低聚物、W及其组合的至少一种能聚合物质，并且其在聚合之后具 有大于或等于约40%的雾度。 所述能聚合物质可包括所述能聚合单体和所述能聚合低聚物。 所述半导体纳米晶体可包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、 IV族元素或化合物、或其组合。 所述II-VI族化合物可选自： 二元化合物，其选自 CdSe、CdTe、aiS、aiSe、ZnTe、化0、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、M拆、 w及其组合； H元化合物，其选自 CdSeS、CdSeTe、CdSTe、aiSeS、aiSeTe、ZnSTe、H拆eS、H拆eTe、 HgSTe、Cd&iS、CdZnSe、CdZnTe、C地拆、C地拆e、C地巧e、Hg&iS、H拍nSe、H拍nTe、Mg&iSe、 Mg化S、W及其组合；和 四元化合物，其选自 HgaiTeS、CdSiSeS、CdSiSeTe、CdSiSTe、C地拆eS、C地拆eTe、 C地拆Te、H拍nSeS、H拍nSeTe、HgaiSTe、W及其组合。 所述III-V族化合物可选自： 二元化合物，其选自GaN、GaP、GaAs、Ga訊、AlN、AlP、AlAs、Al訊、InN、InP、InAs、 InSb、W及其组合； H元化合物，其选自 GaNP、GaNAs、GaN訊、GaPAs、GaP訊、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、 AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、W及其组合；和 四元化合物，其选自 GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、 GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlN訊、InAlPAs、InAlP訊、W及 其组合。 所述IV-VI族化合物可选自： 二元化合物，其选自 SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、W及其组合； H元化合物，其选自 SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、 SnPbTe、W及其组合；和 四元化合物，其选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、W及其组合。 所述IV族元素或化合物可选自： 单一元素，其选自Si、Ge、W及其组合；和 二元化合物，其选自SiC、SiGe、W及其组合。 所述半导体纳米晶体可具有芯-壳结构。 所述半导体纳米晶体可具有大于或等于约50%的量子产率。 所述半导体纳米晶体可具有小于或等于约45nm的半宽度（FWHM)。 所述半导体纳米晶体可具有基于所述半导体纳米晶体的总重量的小于或等于约 35重量％的量的表面有机化合物，所述表面有机化合物包括配体化合物、溶剂、或其组合。 所述组合物可W基于所述能聚合物质的总重量的小于或等于约20重量％的量包 括所述半导体纳米晶体。 所述有机添加剂可包括具有至少一个C8-C30焼基或C8-C30帰基的胺、具有至少 一个C8-C30焼基或C8-C30帰基（例如，被所述至少一个C8-C30焼基或C8-C30帰基取 代）的麟、具有至少一个C8-C30焼基或C8-C30帰基（例如，被所述至少一个C8-C30焼基 或C8-C30帰基取代）的麟氧化物、或其组合。 所述半导体纳米晶体组合物可W基于所述能聚合物质的总重量的约0.05重 量％ -约10重量％的量包括所述有机添加剂。 所述能聚合单体和所述能聚合低聚物可包括在其末端处具有至少两个硫醇（-SH) 基团的第一单体与在其末端处具有至少两个包含碳-碳不饱和键的基团的第二单体的混 合物、丙帰酸醋单体、丙帰酸醋低聚物、甲基丙帰酸醋单体、甲基丙帰酸醋低聚物、氨基甲酸 醋丙帰酸醋单体、氨基甲酸醋丙帰酸醋低聚物、环氧单体、环氧低聚物、有机娃（silicone) 单体、或有机娃低聚物。 所述在其末端处具有至少两个硫醇（-SH)基团的第一单体可由W下化学式1表 7J\ 〇 化学式1 【权利要求】1. 半导体纳米晶体组合物，其包括： 半导体纳米晶体、有机添加剂、和选自能聚合单体、能聚合低聚物、以及其组合的至少 一种能聚合物质，和其中所述组合物在聚合之后具有大于或等于40%的雾度。2. 权利要求1的半导体纳米晶体组合物，其中所述能聚合物质包括能聚合单体和能聚 合低聚物。3. 权利要求1的半导体纳米晶体组合物，其中所述半导体纳米晶体包括II-VI族化合 物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、或其组合。4. 权利要求1的半导体纳米晶体组合物，其中所述半导体纳米晶体具有芯-壳结构。5. 权利要求1的半导体纳米晶体组合物，其中所述半导体纳米晶体具有大于或等于 50%的本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体纳米晶体组合物，其包括：半导体纳米晶体、有机添加剂、和选自能聚合单体、能聚合低聚物、以及其组合的至少一种能聚合物质，和其中所述组合物在聚合之后具有大于或等于40％的雾度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：元那渊，康玄雅，张银珠，田信爱，O曹，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR