高性能凸字双界面卡制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高性能凸字双界面卡，包括卡片主体，所述卡片主体包括双界面CPU模块、与CPU模块相连的天线线圈；在两行卡片主体表面设置有两行凸字，所述天线线圈包括天线开始线、线圈A段、线圈B段、线圈C段、线圈D段、线圈E段、天线结束线、跳线；天线开始线、线圈A段、线圈B段、线圈C段、线圈D段围成小线圈，其中线圈B段从两行凸字中间穿过；线圈E段布设在凸字下方，与线圈A段、线圈C段、线圈D段围成了一个大线圈；最后经过跳线，天线开始线和天线结束线形成了两组回路环。本实用新型专利技术的天线线圈避开打凸字区的同时，并利用了凸字间的间隙来绕制天线，有效的提高了天线效率，增加了天线反射功率，提高了卡片性能。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种高性能凸字双界面卡，包括卡片主体，所述卡片主体包括双界面CPU模块、与CPU模块相连的天线线圈；在两行卡片主体表面设置有两行凸字，所述天线线圈包括天线开始线、线圈A段、线圈B段、线圈C段、线圈D段、线圈E段、天线结束线、跳线；天线开始线、线圈A段、线圈B段、线圈C段、线圈D段围成小线圈，其中线圈B段从两行凸字中间穿过；线圈E段布设在凸字下方，与线圈A段、线圈C段、线圈D段围成了一个大线圈；最后经过跳线，天线开始线和天线结束线形成了两组回路环。本技术的天线线圈避开打凸字区的同时，并利用了凸字间的间隙来绕制天线，有效的提高了天线效率，增加了天线反射功率，提高了卡片性能。【专利说明】高性能凸字双界面卡
本技术涉及一种高性能凸字双界面卡，特别是公开一种高性能凸字双界面卡天线。
技术介绍
EMV迁移即把现在使用磁条的银行卡改换成双界面卡。双界面卡是基于单芯片，集接触式与非接触式接口为一体的智能卡。这两种接口共享同一个微处理器、操作系统和EEPR0M。卡片包括一个微处理器芯片和一个与芯片相连的天线线圈，由读写器产生的电磁场提供能量，通过射频方式实现能量供应和数据传输。双界面卡芯片具有独立运算、加解密和存储能力，能大大提高银行卡支付的安全性，减少欺诈行为。 前期磁条信用卡发行量在不断增大，随着EMV的迅猛迁移，磁条信用卡将被双界面信用卡代替。为了卡的安全性，信用卡上都打凸字信息；一般为了避开打凸字区域，天线尺寸就需较小(常规凸字天线的尺寸为55 X 25毫米)，线圈变小后，磁场强度就减小，场强就会比较小，卡的读写距离就会降低，金融交易速度也会变慢。由磁条信用卡升级为双界面信用卡带来了不便。本技术是要提高银行信用卡的电性能，来提高卡片的竞争力。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种适合凸字双界面卡、满足银联电性能要求的高性能凸字双界面卡。 为了实现上述目的，本技术的技术方案如下: 一种高性能凸字双界面卡，包括卡片主体，所述卡片主体包括双界面CPU模块、与(PU模块相连的天线线圈；在两行卡片主体表面设置有两行凸字，其特征在于，所述天线线圈包括天线开始线(1-1)、线圈A段(1-2)、线圈B段(1-3)、线圈C段(1-4)、线圈D段(1-5)、线圈E段(1-6)、天线结束线(1-7)、跳线(1-8);天线开始线(1-1)、线圈A段(1-2)、线圈B段(1-3)、线圈C段(1-4)、线圈D段(1-5)围成小线圈，其中线圈B段(1-3)从两行凸字中间穿过；线圈E段(1-6)布设在凸字下方，与线圈A段(1-2)、线圈C段(1-4)、线圈D段(1-5)围成了一个大线圈；最后经过跳线(1-8)，天线开始线(1-1)和天线结束线(1-7)形成了两组回路环。 在本技术中，所述卡片主体为双界面银联卡，所述天线线圈尺寸为80X48毫米。 在本技术中，所述天线线圈可为绕制天线。 在本技术中，所述天线线圈可为蚀刻天线。 本技术的天线线圈避开打凸字区的同时，并利用了凸字间的间隙来绕制天线，有效的提闻了天线效率，增加了天线反射功率，提闻了卡片性能。 另外，本技术的天线线圈外围尺寸变大，包围的磁场面积就变大，经过的磁通量也就越多，磁场强度就越强，卡片的性能高，卡片读写距离就越远，响应速度就快，读写距离4厘米以上，满足使用要求。 本技术的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术结构示意图。 图2为天线线圈示意图。 图中标号说明: 其中，1、天线线圈；2、CPU模块；3、凸字；4、卡体；1_1、天线开始线；1_2、线圈A段；1-3、线圈B段；1_4、线圈C段；1_5、线圈D段；1_6、线圈E段；1_7、天线结束线；1_8、跳线。 【具体实施方式】 为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例进一步阐述本技术。 参见图1，一种高性能凸字双界面卡，包括卡片主体4，卡片主体4包括双界面CPU模块(IC芯片)2、与CPU模块相连的天线线圈I ;在两行卡片主体表面设置有两行凸字3。天线线圈I与CPU模块要形成物理连接，可以是焊接也可以通过弹性导电体连接。在本实施例中，卡片主体为双界面银联卡或其它凸字双界面卡，天线线圈尺寸为80X48毫米。 参见图2，天线线圈是本技术的核心，天线线圈包括天线开始线1-1、线圈A段1-2、线圈B段1-3、线圈C段1-4、线圈D段1_5、线圈E段1_6、天线结束线1_7、跳线1_8 ；天线开始线1-1、线圈A段1-2、线圈B段1-3、线圈C段1-4、线圈D段1_5围成小线圈，其中线圈B段1-3从两行凸字中间穿过；线圈E段1-6布设在凸字下方，与线圈A段1-2、线圈C段1-4、线圈D段1-5围成了一个大线圈；最后经过跳线1-8，天线开始线1-1和天线结束线1-7形成了两组回路环。天线线圈避开打凸字区的同时，并利用了凸字间的间隙来绕制天线，有效的提高了天线效率，增加了天线反射功率，提高了卡片性能。 天线线圈可以为绕制天线，或者蚀刻天线。 以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术的范围内。本技术要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。【权利要求】1.一种高性能凸字双界面卡，包括卡片主体，所述卡片主体包括双界面CPU模块、与(PU模块相连的天线线圈；在两行卡片主体表面设置有两行凸字，其特征在于，所述天线线圈包括天线开始线(1-1)、线圈A段(1-2)、线圈B段(1-3)、线圈C段(1-4)、线圈D段(1-5)、线圈E段(1-6)、天线结束线(1-7)、跳线(1-8);天线开始线(1-1)、线圈A段(1-2)、线圈B段(1-3)、线圈C段(1-4)、线圈D段(1-5)围成小线圈，其中线圈B段(1-3)从两行凸字中间穿过；线圈E段(1-6)布设在凸字下方，与线圈A段(1-2)、线圈C段(1-4)、线圈D段(1-5)围成了一个大线圈；最后经过跳线(1-8)，天线开始线(1-1)和天线结束线(1-7)形成了两组回路环。2.根据权利要求1所述的高性能凸字双界面卡，其特征在于，所述卡片主体为双界面银联卡，所述天线线圈尺寸为80X48毫米。3.根据权利要求1所述的高性能凸字双界面卡，其特征在于，所述天线线圈为绕制天线。4.根据权利要求1所述的高性能凸字双界面卡，其特征在于，所述天线线圈也可为蚀刻天线。【文档编号】G06K19/077GK204229448SQ201420661124【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月7日 优先权日:2014年11月7日 【专利技术者】谷洪波 申请人:上海中卡智能卡有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高性能凸字双界面卡，包括卡片主体，所述卡片主体包括双界面CPU模块、与CPU模块相连的天线线圈；在两行卡片主体表面设置有两行凸字，其特征在于，所述天线线圈包括天线开始线（1‑1）、线圈A段（1‑2）、线圈B段（1‑3）、线圈C段（1‑4）、线圈D段（1‑5）、线圈E段（1‑6）、天线结束线（1‑7）、跳线（1‑8）；天线开始线（1‑1）、线圈A段（1‑2）、线圈B段（1‑3）、线圈C段（1‑4）、线圈D段（1‑5）围成小线圈，其中线圈B段（1‑3）从两行凸字中间穿过；线圈E段（1‑6）布设在凸字下方，与线圈A段（1‑2）、线圈C段（1‑4）、线圈D段（1‑5）围成了一个大线圈；最后经过跳线（1‑8），天线开始线（1‑1）和天线结束线（1‑7）形成了两组回路环。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谷洪波，
申请(专利权)人：上海中卡智能卡有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31