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一种电压暂降模拟装置制造方法及图纸

技术编号:11223214 阅读:96 留言:0更新日期:2015-03-27 18:49
本实用新型专利技术公开了一种电压暂降模拟装置;包括依次连接的输入开关、输入变压器、电抗、功率单元、输出电抗和输出开关;所述的输入变压器采用三个单相变压器结构,原边采用三角形接法,每相副边通过电抗接一个功率单元输入侧,所述的三个功率单元输出侧采用三相四线的Yn连接方式;所述的输出电抗接于功率单元的三相输出;本实用新型专利技术可详细模拟电网电压暂降的全过程,实现方式安全灵活可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种电压暂降模拟装置
本技术涉及低电压测试领域,特别涉及一种电压暂降模拟装置。
技术介绍
电网中某处发生故障或负荷突然出现大的变化,都将导致整个电网出现大面积不 同程度的电压暂降,对用电设备以及电网本身造成不同程度的危害。为了研宄用电设备以 及电网本身在电压暂降下的运行特性,模拟电网的任意电压暂降具有重要意义。 已有较多专利公布了电网电压暂降模拟技术,具有代表性的如下: 一、采用阻抗分压法模拟电网电压暂降。此方法虽然原理简单,但存在诸多问题, 由于阻抗在正常运行或电压跌落时流过功率,因此会产生能量损耗,采用电抗分压可解决 这一问题;阻抗匹配关系复杂,电压暂降深度难以有效控制;由于电抗器的投切是固定的, 电压暂降的深度非连续可调。 二、采用变压器切换方式模拟电网电压暂降。申请号为200710122400. X的中国发 明专利《一种变压器切换方法》,设备简单,控制容易。但由于该结构中的晶闸管的过零关断 特性,决定了暂降时间必须为输入电压周期值的一半的整数倍,且当晶闸管同时处于导通 状态时,会造成降压变压器原副边直接短路,在其绕组中感应出很大的冲击电流,该冲击电 流会对变压器造成损坏。该专利和申请号为201020125733. 5的技术专利申请《一种电 网电压跌落源》和201120154118. 1的技术专利申请《一种电网电压跌落的模拟装置》 均采用变压器切换方式产生电压暂降,由于通过选择变压器副边的抽头决定电压暂降的深 度,因此电压暂降幅度非连续可调。 三、采用电力电子装置模拟电网电压暂降。申请号为201010188565. 9的专利技术专利 《三相电压暂降发生器》采用两个三相PWM电压型变流器通过背靠背连接方式构成三相 电压暂降发生器,该专利通过预设电压暂降类型、故障相电压值以及故障持续时间模拟在 电网故障情形下公共连接点的故障电压。
技术实现思路
为了解决上述问题,本技术提出了一种电压暂降模拟装置,包括依次连接的 输入开关、输入变压器、电抗、功率单元、输出电抗和输出开关;所述的输入变压器采用三个 单相变压器结构,原边采用三角形接法,每相副边通过电抗接一个功率单元输入侧,所述的 三个功率单元输出侧采用三相四线的Yn连接方式;所述的输出电抗接于功率单元的三相 输出。 所述的功率单元采用两个H桥背靠背连接方式,还包括两个H桥并联的储能电容 Co 所述的H桥采用全控半导体器件,采用硅材质IGBT、碳化硅材质IGBT或其他全控 半导体器件。 所述的H桥包括反并有续流二极管的IGBT构成的整流侧H桥,还包括反并有续流 二极管的IGBT构成的逆变侧H桥。 所述的整流侧H桥由4个反并有续流二极管的IGBT构成,所述的逆变侧H桥由4 个反并有续流二极管的IGBT构成。 所述的反并有续流二极管的IGBT是硅器件或碳化硅器件。 所述的输入变压器每个单相变压器连接一个输入开关;所述的输出电抗每相连接 一个输出开关。 本技术提出的一种电压暂降模拟装置,可以模拟电网的任意电压暂降深度、 持续时间、三相电压之间的复杂相位、幅值关系、非周期分量。 【附图说明】 图1是本技术一种电压暂降模拟装置结构示意图; 图2是图1所示装置中功率单元的结构示意图; 图3是待模拟电压暂降的稳态分量; 图4是待模拟电压暂降的非周期分量; 图中:101-输入开关、102-输入变压器、103-功率单元、104-输出电抗、105- 输出开关、106-电抗。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对本技术做进一步说明。 -种电压暂降模拟装置,包括依次连接的输入开关101、输入变压器102、电抗 106、功率单元103、输出电抗104和输出开关105 ;所述的输入变压器102采用三个单相变 压器结构,原边采用三角形接法,每相副边通过电抗106接一个功率单元103输入侧,所述 的三个功率单元103输出侧采用三相四线的Yn连接方式;所述的输出电抗104接于功率单 元103的三相输出冲线N不接输出电抗104。 所述的功率单元103采用两个H桥背靠背连接方式,还包括两个H桥并联的储能 电容C107。 所述的H桥采用全控半导体器件,采用硅材质IGBT、碳化硅材质IGBT或其他全控 半导体器件。 所述的H桥包括反并有续流二极管的IGBT构成的整流侧H桥,还包括反并有续流 二极管的IGBT构成的逆变侧H桥。 所述的整流侧H桥由4个反并有续流二极管的IGBT构成,所述的逆变侧H桥由4 个反并有续流二极管的IGBT构成。 所述的反并有续流二极管的IGBT是硅器件或碳化硅器件。 所述的输入变压器102每个单相变压器连接一个输入开关101 ;所述的输出电抗 104每相连接一个输出开关105。 本技术采用电力电子变流技术,模拟电网电压暂降。具体包括电压暂降过程 中的稳态分量和非周期分量。一种电压暂降模拟装置由输入开关101、输入变压器102、功 率单元103、输出电抗104、输出开关105组成。输入变压器102采用三个单相变压器结构, 原边采用三角形接法,每相副边接功率单元103输入侧,功率单元103输出侧采用三相四线 的Yn连接方式。其主回路结构示意图如图1所示。 功率单元103采用两个H桥背靠背连接方式,还包括联络电抗106、储能电容107。 H桥采用全控半导体器件,可以是硅材质IGBT,也可以是碳化硅材质IGBT或其他全控半导 体器件。背靠背的全控模块可以实现能量的双向流动,并与变压器一起实现能量回馈。 图2是功率单元103的内部结构。Gl,G2, G3, G4, G5, G6, G7, G8是反并有续流二 极管的IGBT,此IGBT可以是硅器件也可以是碳化硅器件。Gl,G2, G3, G4构成整流侧H桥, G5,G6,G7,G8构成逆变侧H桥。106是联络电抗L,与输入变压器副边绕组串联相接。107 是储能电容C,与两个H桥并联。 图3是待模拟电压暂降的A相稳态分量。 图4是待模拟电压暂降的A相非周期分量。 在模拟电压暂降时,除了可以对装置设置暂降深度、暂降持续时间等参数,如图3, 即确定电压暂降的稳态分量外,如图4,还可以人为设置电压暂降的非周期分量,将这两部 分叠加作为装置逆变侧的调制波即可更准确模拟电压暂降波形。逆变侧H桥存在公式如 下:本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种电压暂降模拟装置,其特征在于:包括依次连接的输入开关(101)、输入变压器(102)、电抗(106)、功率单元(103)、输出电抗(104)和输出开关(105);所述的输入变压器(102)采用三个单相变压器结构,原边采用三角形接法,每相副边通过电抗(106)接一个功率单元(103)输入侧,所述的三个功率单元(103)输出侧采用三相四线的Yn连接方式;所述的输出电抗(104)接于功率单元(103)的三相输出。

【技术特征摘要】
1. 一种电压暂降模拟装置,其特征在于:包括依次连接的输入开关(101)、输入变压器 (102)、电抗(106)、功率单元(103)、输出电抗(104)和输出开关(low ;所述的输入变压器 (102)采用=个单相变压器结构,原边采用=角形接法,每相副边通过电抗(106)接一个功 率单元(103)输入侧,所述的S个功率单元(103)输出侧采用S相四线的化连接方式;所 述的输出电抗(104)接于功率单元(103)的S相输出。2. 根据权利要求1所述的一种电压暂降模拟装置,其特征在于:所述的功率单元(103) 采用两个H桥背靠背连接方式,还包括两个H桥并联的储能电容C (107)。3. 根据权利要求2所述的一种电压暂降模拟装置,其特征在于;所述的H桥采用全控 半导体器件,采用娃材质IGBT...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴楠丁少倩翟学
申请(专利权)人:武汉大学
类型:新型
国别省市:湖北;42

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