一种新型TVS晶片封装方法技术

本发明专利技术提出一种新型TVS晶片封装方法，主要包括底板、盖板、TVS晶片，所述底板和盖板是金属基(PCB)板，金属基(PCB)板上水平排布焊盘和铜箔，焊盘是焊接TVS晶片的位置；所述铜箔根据电流走向在底板和盖板上进行排布；所述底板上有输入电极和输出电极。将TVS晶片逐个焊接在底板的焊盘上，再将盖板对应焊盘与底板上已经焊接的TVS晶片进行焊接，当电流流入输入电极，由于铜箔的排布，电流会经过每个一个TVS晶片，最终由输出电极流出。这样的焊接方法可以大大改善TVS晶片的散热效果，从而显著提高TVS通流量。

【技术实现步骤摘要】
—种新型TVS晶片封装方法
本专利技术涉及半导体器件的制造
，具体涉及一种新型TVS晶片封装方法。
技术介绍
瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS 二极管，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以极高的速度(最高达10的负12次方秒量级)使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。TVS管由于它具有响应时间快、瞬态功率大、电容低、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小、易于安装等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、消费类电子、电源、家用电器等各个领域。 常见TVS管多是方块式的包封，其内部是将多个TVS晶片通过焊片重叠焊接而成。TVS晶片逐个叠放在一起，再加上外表整体的封装使得每个晶片散热不均匀，位置位于中间的晶片最易损坏。散热不均会导致TVS管的通流能力变差，使用效果不佳。方块式TVS管散热不均、通流量有限的问题将导致其应用的局限性。
技术实现思路
为了有效解决现有TVS管存在的问题，本专利技术提出一种新型TVS晶片封装方法，全面解决TVS晶片使用时的散热问题，充分利用每一片晶片，通流量可有效提高一倍。本专利技术采用金属基(PCB)板作为TVS晶片的载体，增强散热效果，在金属基(PCB)板上水平排布TVS晶片焊接的焊盘，保证均匀散热，焊盘通过铜箔进行电连接，通过金属基(PCB)板内的铜箔使每个TVS晶片流过均等的电流，提高整个TVS的通流量。所述铜箔的分布方法有很多，本专利技术实施例以底板上纵向排布、盖板上横向排布为例。 本专利技术采用以下技术方案:本专利技术主要包括底板、盖板、TVS晶片，所述底板和盖板是金属基(PCB)板，金属基(PCB)板上水平排布焊盘和铜箔，焊盘是焊接TVS晶片的位置；所述铜箔根据电流走向在底板和盖板上进行排布；所述底板上有输入电极和输出电极。将TVS晶片逐个焊接在底板的焊盘上，再将盖板对应焊盘与底板上已经焊接的TVS晶片进行焊接，当电流流入输入电极，由于铜箔的排布，电流会经过每个一个TVS晶片，最终由输出电极流出。这样的焊接方法可以大大改善TVS晶片的散热效果，从而显著提高TVS通流量。 本专利技术的特征在于: 采用金属基(PCB)板作为TVS晶片的载体，增强散热效果，TVS晶片水平排布，每个TVS晶片流过均等的电流，大大改善TVS晶片的散热效果，从而显著提高TVS通流量。 【附图说明】 图1为常见方块式TVS管内部结构示意图。 图2为常见方块式TVS管内部结构截面示意图。 图3为本专利技术底板示意图。 图4为本专利技术盖板示意图。 图5为本专利技术底板和盖板焊接组装示意图。 图6为本专利技术焊接后示意图。 图7为本专利技术焊接后截面示意图。 图8为本专利技术电流走向示意图。 其中:1_输入电极，2-输出电极，3-包封，4-焊盘，5-TVS晶片，6-铜箔，7-底板，8_盖板。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明: 图1为常见方块式TVS管内部结构示意图，图2为常见方块式TVS管内部结构截面示意图，其内部是将多个TVS晶片(5)通过焊片(4’)重叠焊接而成。TVS晶片(5)逐个叠放在一起，再加上外表整体的包封(3)使得每个TVS晶片(5)散热不均匀，位置位于中间的晶片最易损坏。散热不均会导致TVS管的通流能力变差，使用效果不佳。 图3为本专利技术底板示意图,底板(7)的前后两端有输入电极⑴和输出电极(2)，底板(7)的上表面水平排布着10个焊盘(4)，焊盘(4)之间通过铜箔(6)进行连接，位置如图所示，铜箔(6)纵向分布。 图4为本专利技术盖板示意图，盖板⑶的下表面水平排布着10个焊盘(4)，焊盘(4)之间通过铜箔(6)进行连接，位置如图所示，铜箔(6)横向分布。 铜箔的分布方法有很多，本专利技术图3、图4只给出底板上纵向排布、盖板上横向排布的实施例，其他分布方法也在本专利技术的保护范围中。 所述焊盘(4)的数量根据所需TVS导通电压、限制电压而定；所述铜箔(6)的位置根据电流走向的设计而设计；输入电极(I)和输出电极(2)的位置也可根据具体情况进行调整。本实施例只举出10个焊盘(4)以及如图所示铜箔(6)设计方法的方案，以及输入电极(I)和输出电极(2)位于分别底板(7)前后的方案，其他改变焊盘(4)数量、变换铜箔 (6)位置或改变输入电极(I)和输出电极(2)位置的实施例均在本专利技术的保护范围内。 图5为本专利技术底板和盖板焊接组装示意图，将TVS晶片(5)逐个焊接在底板(7)的焊盘(4)处，再将盖板(8)翻转，对应焊盘(4)与底板上已经焊接的TVS晶片(5)进行焊接。焊接后成为如图6所示状态。图7为本专利技术焊接后的截面示意图。 图8为本专利技术电流走向示意图，根据本实施例输入电极(I)、输出电极(2)、焊盘 (4)、铜箔(6)的设计方法，电流通过输入电极⑴先通过底板(7)左上第一个焊盘⑷至IJ达左上第一个TVS晶片(5)，通过左上第一个TVS晶片后到达盖板(8)左上第一个焊盘，经过横向铜箔(6)到达盖板(8)右上第一个焊盘，然后到达右上第一个TVS晶片，通过右上第一个TVS晶片后到达底板(7)右上第一个焊盘，经过纵向铜箔(6)到达右上第二个焊盘(4)及第二个TVS晶片(5)，如图箭头方向所示。最终电流从输出电极(2)流出。本图所绘制的电流走向，是根据本实施例铜箔排布方法而定，不同的铜箔排布方法会有不同的电流走向。 根据使用需求以及TVS晶片的通流量可以设计不同焊盘个数、不同大小、不同形状、不同铜箔排布的实施例，本专利技术不再赘述，但均在本专利技术保护范围内。 利用本专利技术的技术方案，达到相应的技术效果的，或者在不脱离本专利技术的设计思想下的技术方案等同变换，均在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型TVS晶片封装方法，主要包括底板、盖板、TVS晶片，其特征是：所述底板和盖板是金属基(PCB)板，金属基(PCB)板上水平排布焊盘和铜箔，焊盘是焊接TVS晶片的位置；所述铜箔根据电流走向在底板和盖板上进行排布；所述底板上有输入电极和输出电极。

【技术特征摘要】
2014.07.21 CN 2014204084849;2014.07.21 CN 201410351.一种新型TVS晶片封装方法，主要包括底板、盖板、TVS晶片，其特征是:所述底板和盖板是金属基(PCB)板，金属基(PCB)板上水平排布焊盘和铜箔，焊盘是焊接TVS晶片的位置；所述铜箔根据电流走向在底板和盖板上进行排布；所述底板上有输入电极和输出电极。2.根据权利要求1所述的一种新型TVS晶片封装方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙巍巍，
申请(专利权)人：孙巍巍，
类型：发明
国别省市：天津;12