一种电容屏节点电容测试仪及其测试方法技术

本发明专利技术提供一种电容屏节点电容测试仪及其测试方法，其结构是由微处理器MCU、电容数字传感器芯片MS3110、探针A、探针B、补偿电容Cref和被检测电容Ctest组成，其中微处理器MCU的AD脚接电容数字传感器芯片MS3110的Vout脚，电容数字传感器芯片MS3110的CSCOM脚和CS21N脚分别串接探针A和探针B接被检测电容Ctest的两脚，补偿电容的两脚与电容数字传感器芯片MS3110的CSCOM脚和CS1N脚并接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及测量
,具体地说是一种电容屏节点电容测试仪及其测试方法。
技术介绍
目前市场上常用的测试电容的数字万用表测量范围在nF级别，而电容屏节点电容在2pF左右，普通万用表无法达到测量精度，测试pF级别的电容主要使用LCR测试仪， LCR测试仪成本要上万元。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电容屏节点电容测试仪及其测试方法。本专利技术的目的是按以下方式实现的，其结构是由微处理器MCU、电容数字传感器芯片MS3110、探针A、探针B、补偿电容Cref和被检测电容Ctest组成，其中微处理器MCU的AD脚接电容数字传感器芯片MS3110的Vout脚，电容数字传感器芯片MS3110的CSCOM脚和CS21N脚分别串接探针A和探针B接被检测电容Ctest的两脚，补偿电容的两脚与电容数字传感器芯片MS3110的CSCOM脚和CS1N脚并接，具体测试步骤如下：1）当Ctest空载时，通过调节补偿电容Cref和MS3110芯片内部的步进电容使输出Vout为0.5V，这时输出电容为零，此步骤为电容校准；2）用探针A接到电容屏ITO1的一根引脚上，用探针B接到电容屏ITO2的一根引脚上，此时通过输出电压计算得到的电容为电容屏两层ITO之间的节点电容。本专利技术的有益效果是：提供了一种低成本、高精度微小电容测试仪及其测试方法，测量精度可达到fF级别。附图说明图1是测试仪电路原理图。具体实施方式参照说明书附图对本专利技术的测试仪及其测试方法作以下详细地说明。一种电容屏节点电容测试方法，对本测试方法说明如下：1. Ctest为待测试节点电容，Cref为抵消探针、芯片管脚之间的分布电容而增加的补偿电容；2. 当Ctest空载时，通过调节Cref和MS3110芯片内部的步进电容使输出Vout为0.5V，这时输出电容为零，此步骤为电容校准；3. 用探针A接到ITO1的一根引脚上，用探针B接到ITO2的一根引脚上，此时通过输出电压计算得到的电容为两层ITO之间的节点电容。在本专利技术方法实现的测试系统中，采用了MiCRO-SENSORS公司设计的MS3110电容数字传感器芯片。它的电容测量精度可以达到4aF/rtHZ，单通道电容测量范围可达10pF，可配置为单通道测量或者差分电容输入测量。本测量方法使用差分电容输入测量，这是本方法实现的关键。除说明书所述的技术特征外，均为本专业技术人员的已知技术。                                                                      本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容屏节点电容测试仪及其测试方法，其特征在于，其结构是由微处理器MCU、电容数字传感器芯片MS3110、探针A、探针B、补偿电容Cref和被检测电容Ctest组成，其中微处理器MCU的AD脚接电容数字传感器芯片MS3110的Vout脚，电容数字传感器芯片MS3110的CSCOM脚和CS21N脚分别串接探针A和探针B接被检测电容Ctest的两脚，补偿电容的两脚与电容数字传感器芯片MS3110的CSCOM脚和CS1N脚并接，具体测试步骤如下：1）当Ctest空载时，通过调节补偿电容Cref和MS3110芯片内部的步进电容使输出Vout为0.5V，这时输出电容为零，此步骤为电容校准；2）用探针A接到电容屏ITO1的一根引脚上，用探针B接到电容屏ITO2的一根引脚上，此时通过输出电压计算得到的电容为电容屏两层ITO之间的节点电容。

【技术特征摘要】
1.一种电容屏节点电容测试仪及其测试方法，其特征在于，其结构是由微处理器MCU、电容数字传感器芯片MS3110、探针A、探针B、补偿电容Cref和被检测电容Ctest组成，其中微处理器MCU的AD脚接电容数字传感器芯片MS3110的Vout脚，电容数字传感器芯片MS3110的CSCOM脚和CS21N脚分别串接探针A和探针B接被检测电容Ctest的两脚，补偿电容的两脚与电容数字传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚舜，李伟，于治楼，
申请(专利权)人：浪潮集团有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37