横电磁模介质滤波器、射频模块及基站制造技术

技术编号:11200684 阅读:159 留言:0更新日期:2015-03-26 08:15
本发明专利技术实施例提供了一种横电磁模介质滤波器。在滤波器内部设置近端抑制结构,通过灵活设计近端抑制结构的形状、位置及尺寸,实现传输零点或零腔的功能,抑制滤波器通带外高频端或低频端的射频信号,具有良好的近端抑制性能。本发明专利技术实施例还提供了一种射频模块及基站。

【技术实现步骤摘要】
横电磁模介质滤波器、射频模块及基站
本专利技术实施例涉及通信
,尤其涉及一种横电磁模介质滤波器、射频模块及基站。
技术介绍
随着无线通信技术的发展,无线通信设备日益追求小型化及低插损。相比传统的金属腔体滤波器,介质滤波器具有体积小、插损小、承受功率大、成本低等优势。横电磁模(TEM,transverseelectromagneticmode)介质滤波器是一种重要的介质滤波器类型,可以应用于无线基站,射频终端,射频或微波收发组件等设备中。但是,现有技术提供的横电磁模介质滤波器的近端抑制性能不佳,因而,无法应用于对滤波器性能要求较高的射频前端或微波天馈前端等位置,应用场景有限。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种横电磁模介质滤波器,具有良好的近端抑制性能,本专利技术实施例还提供了一种射频模块及基站。第一方面,本专利技术实施例提供了一种横电磁模介质滤波器谐振器,包括,介质体,金属外壳,所述介质体的外表面覆盖有导电材料,所述金属外壳固定于所述介质体的上方,所述金属外壳与所述介质体之间存在间隙,所述谐振器包括谐振盘与谐振孔,所述谐振盘设置在所述介质体的上表面,所述谐振孔为上下两端开口的中空柱形结构,所述谐振孔的上端开口位于所述谐振盘上,所述谐振孔的下端开口位于所述介质体的下表面,所述谐振孔的内表面覆盖有导电材质,所述谐振盘为金属材质,所述滤波器还包括,近端抑制结构,所述近端抑制结构位于所述介质体内部,所述近端抑制结构的形状、位置及尺寸由所述滤波器目标滤除的信号的频率确定。在第一方面的第一种可能的实现方式中,所述近端抑制结构的形状、位置及尺寸由所述滤波器目标滤除的信号的频率确定,包括,根据所述滤波器的耦合系数,确定所述近端抑制结构的高度,长度及离开所述谐振孔的距离,其中,所述耦合系数与所述滤波器目标滤除的信号的频率对应。结合以上任意一种可能的实现方式,在第一方面的第二种可能的实现方式中,所述近端抑制结构至少有两端与所述介质体的下表面接触,所述近端抑制结构的其余部分位于所述介质体内的磁场区域。结合以上任意一种可能的实现方式,在第一方面的第三种可能的实现方式中,所述近端抑制结构位于所述介质体内的电场区域。结合以上任意一种可能的实现方式,在第一方面的第四种可能的实现方式中,,所述近端抑制结构的形状、位置及尺寸由所述滤波器目标滤除的信号的频率确定,包括,根据所述滤波器目标滤除的信号的频率对应的电波长,确定所述近端抑制结构的高度,长度及离开所述谐振孔的距离。结合以上任意一种可能的实现方式,在第一方面的第五种可能的实现方式中,所述近端抑制结构为金属化通孔、金属化带状线、实体金属结构、金属化导体、金属薄片中的任意一种。第二方面,本专利技术实施例提供了一种射频模块,包括,第一方面提供的任意一种横电磁模介质滤波器。第三方面,本专利技术实施例提供了一种基站,包括,第二方面提供的射频模块。采用本专利技术实施例提供的技术方案,在横电磁模介质滤波器内部设置近端抑制结构,通过灵活设计近端抑制结构的形状、位置及尺寸,实现传输零点或零腔的功能,抑制滤波器通带外高频端或低频端的射频信号。本专利技术实施例提供的横电磁模介质滤波器具有良好的近端抑制性能,可以广泛地在射频模块及基站中使用。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种横电磁模介质滤波器的结构示意图;图2为本专利技术实施例提供的另一种横电磁模介质滤波器的正视图;图3为本专利技术实施例提供的另一种横电磁模介质滤波器的俯视图;图4为本专利技术实施例提供的又一种横电磁模介质滤波器的结构示意图;图5为本专利技术实施例提供的一种基站的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步详细描述。滤波器是基站或射频终端等设备中的一种必备器件。由于在成本和体积等方面的优势,介质滤波器可以在基站的接收链路等位置上使用,用于对射频信号进行滤波。横电磁模介质滤波器是广泛使用的一种介质滤波器。但是,由于横电磁模介质模滤波器的射频性能指标较差,无法在对滤波器性能要求较高的位置使用,例如射频模块的前端,即发射天线和功放之间,其中,滤波器的射频性能指标包括插损、抑制、互调等多项指标。因此,横电磁模介质模滤波器的应用场景限制较大。造成横电磁模介质模滤波器的射频性能指标较差的主要原因是此类滤波器的近端抑制性能不佳,其中,近端抑制也称为边带抑制或者近带抑制(nearbandrejection),是指对滤波器通带外附近的高频端或低频端的信号进行强抑制,从而保证滤波的效果。由于目前横电磁模介质模滤波器的交叉耦合或谐振设计方法不够灵活,无法有效形成传输零点或零腔结构,因此,不具备良好的近端抑制性能。图1为本专利技术实施例提供的一种横电磁模介质滤波器的示意图。如图1所示,横电磁模介质滤波器1(以下简称“滤波器1”)包括谐振器11,介质体12,金属外壳13,金属外壳13固定于所述介质体12的上方,金属外壳13与介质体12之间存在间隙。介质体12的外表面覆盖有导电材料,可选地,可以采用金属镀层,例如银镀层。金属外壳13与介质体12之间的间隙内充满空气。谐振器11包括谐振盘101,谐振孔102,其中,谐振盘101设置在所述介质体12的上表面。可选地,谐振盘101可以是安装在介质体12的上表面的金属薄片,或者印刷在介质体12的上表面的金属镀层。可选地,谐振盘101的形状不限,例如可以是矩形,圆形等规则图形,也可以按照滤波器的规格及性能需求对上述规则图形做一定修改,例如切削一定面积,形成不规则图形,本专利技术实施例对此不做特别限定。谐振孔102为上下两端开口的中空柱形结构,谐振孔102的上端开口位于所述谐振盘101上,谐振孔102的下端开口位于所述介质体12的下表面,谐振孔112的内表面覆盖有导电材质。可选地,覆盖在谐振孔102内表面的导电材质可以是金属镀层,例如银镀层。可选地,谐振孔102和谐振盘101可以是一体成形,或者分别制作并连接成型。滤波器1还包括近端抑制结构14,近端抑制结构14位于介质体12内部,近端抑制结构14的形状、位置及尺寸由所述滤波器目标滤除的信号的频率确定。如图1所示,近端抑制结构14的两端与介质体12的下表面接触,近端抑制结构14的其余部分位于介质体12内的磁场区域,所述磁场区域是指在介质体内磁场相对其他位置较强的区域。其中,介质体12内磁场强的区域为介质体12下表面附近区域。可选地,根据滤波器的耦合系数(couplingcoefficient),可以确定所述近端抑制结构14的高度,长度及离开所述谐振孔的距离,其中,所述耦合系数与所述滤波器目标滤除的信号的频率对应。耦合系数是滤波器设计中的一项重要参数,在确定了耦合系数之后,可以根据耦合系数设计出滤波器的物理结构并达到相应的性能指标。一般地,耦合系数可以由耦合矩阵(couplingmatrix)求解得到,其中,耦合矩阵可以用于表述谐振腔之间耦合能量的关系,耦合系数包含在该耦合矩阵中。可选地,耦合矩阵可以由滤波器仿真软件计算得本文档来自技高网...
横电磁模介质滤波器、射频模块及基站

【技术保护点】
一种横电磁模介质滤波器,其特征在于,包括,谐振器,介质体,金属外壳,所述介质体的外表面覆盖有导电材料,所述金属外壳固定于所述介质体的上方,所述金属外壳与所述介质体之间存在间隙,所述谐振器包括谐振盘与谐振孔,所述谐振盘设置在所述介质体的上表面,所述谐振孔为上下两端开口的中空柱形结构,所述谐振孔的上端开口位于所述谐振盘上,所述谐振孔的下端开口位于所述介质体的下表面,所述谐振孔的内表面覆盖有导电材质,所述谐振盘为金属材质,所述滤波器还包括,近端抑制结构,所述近端抑制结构位于所述介质体内部,所述近端抑制结构的形状、位置及尺寸由所述滤波器目标滤除的信号的频率确定。

【技术特征摘要】
1.一种横电磁模介质滤波器,其特征在于,包括,谐振器,介质体,金属外壳,所述介质体的外表面覆盖有导电材料,所述金属外壳固定于所述介质体的上方,所述金属外壳与所述介质体之间存在间隙,所述谐振器包括谐振盘与谐振孔,所述谐振盘设置在所述介质体的上表面,所述谐振孔为上下两端开口的中空柱形结构,所述谐振孔的上端开口位于所述谐振盘上,所述谐振孔的下端开口位于所述介质体的下表面,所述谐振孔的内表面覆盖有导电材质,所述谐振盘为金属材质,所述滤波器还包括,近端抑制结构,所述近端抑制结构位于所述介质体内部,所述近端抑制结构的形状、位置及尺寸由所述滤波器目标滤除的信号的频率确定;所述近端抑制结构至少有两端与所述介质体的下表面接触,所述近端抑制结构的其余部分位于所述介质体内的磁场区域。2.根据权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:古健张辉董利芳
申请(专利权)人:上海华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1