一种揭膜剂及其制备方法和减少LED芯片倒膜损失的方法技术

本发明专利技术公开了一种揭膜剂及其制备方法和减少LED芯片倒膜损失的方法，属于半导体器件制造领域。本发明专利技术的揭膜剂由丙酮、异丙醇和硝酸在一定条件下混合得到，组分安全，混合物中各物质的分散度好，能够快速软化蓝膜并且能够快速挥发，不会渗透蓝膜污染芯片，在芯片倒膜工艺中使用本发明专利技术的揭膜剂，可以使揭膜过程中的晶粒的损失降为零，本发明专利技术的揭膜剂和倒膜工艺安全环保，毒性低，经济效益高，值得推广使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件制造领域，更具体地说，涉及一种揭膜剂及其制备方法和减少LED芯片倒膜损失的方法。
技术介绍
随着发光二极管(LED)于1960年的问世，LED在我们的周围环境中开始广泛的应用，在日常生活中扮演着举足轻重的角色，成为最受重视的光源技术之一，如各种指示灯、显示器光源以及照明设备等都可以看到LED的应用。相较于传统型照明光源如：荧光灯、白炽钨丝灯泡等，LED拥有高亮度、低功耗、寿命长、启动快、体积小、环保节能、不易产生视觉疲劳等优势，有着广阔的发展前景，受到人们广泛关注。LED芯片的制作工艺主要包括外延生长、芯片前工艺、研磨和切割、点测和分选等，切割工艺又分为半切和全切两种切割方式，LED芯片在全切工艺中背面需与蓝膜紧密接触，正电极朝上，全切结束后需进行一次倒膜操作，即在芯片正面上方盖上一张新蓝膜，通过常用的翻模机来进行倒膜操作，工作原理是对新蓝膜接触的主板进行加热，结束加热后揭开原有蓝膜，完成倒膜操作。经检索，中国专利公开号CN 103794683 A公开了一种新的倒膜工艺，该工艺包括：将从划片机划完后有裂纹的芯片连同崩环按芯片背面平放在倒膜机上；将倒膜环均匀的罩在所述崩环上，并确保所述芯片在所述倒膜环内环中央位置；将蓝膜覆盖在崩环上，用超净布从芯片中间向芯片两边轻轻擦拭开来，直至蓝膜与芯片完全粘贴在一起并确保无气泡；用倒膜机上的圆周刀将多余的蓝膜切割下来；将所述崩环翻转180°，平放在倒膜机台面上；撕开白膜的一角，轻轻将白膜从所述倒膜环上揭下来；所述倒膜环为环形，内环直径比芯片直径大0.5cm-1.5cm，该专利技术操作简单，节省时间，并减少了不必要的浪费。中国专利公开号CN 202495467 U公开了一种用于LED芯片倒膜工艺的倒膜板，该倒膜板包括相对较厚的不锈钢主板以及粘合于该主板的相对较薄的两块不锈钢辅板，可以使倒膜时倒膜板受力后释放均匀，端面与芯片贴合度良好，不易掉管芯，保证了良好的倒膜效果，倒膜板端面耐磨损，不易发生形变，保证了较长的使用寿命。但是改进的倒膜工艺和倒膜板均不能避免倒膜工艺中在揭膜时导致的晶粒损失。仅仅在加热条件下的倒膜不可避免的存在芯片掉晶现象，以一颗尺寸为6.5mil的LED芯片为例，芯片在全切结束后含有74000颗晶粒，在倒膜工艺中会至少有1％的晶粒损失，也就是说会导致740颗晶粒的损失，在不涂抹任何揭膜剂的情况下直接进行揭膜操作会导致40％的晶粒损失，严重影响企业的生产效率，大大增加了企业的生产成本，故避免倒膜工艺中的芯片损失非常重要。现有技术中有将丙酮作为揭膜剂，芯片在全切结束后将丙酮均匀涂抹在蓝膜的表面再进行揭膜，可以将晶粒损失降低至10％左右，晶粒损失的量仍然比较大，而且丙酮是剧毒物，对操作人员伤害比较大，长期接触会致癌。因此需要研究一种安全的、揭膜效果好的揭膜剂。
技术实现思路
1.要解决的问题针对现有倒膜工艺中存在的晶粒损失及揭膜剂毒性大等问题，本专利技术提供一种揭膜剂及其制备方法和减少LED芯片倒膜损失的方法。本专利技术的揭膜剂由丙酮、异丙醇和硝酸在一定条件下混合得到，能够快速软化蓝膜并且能够快速挥发，不会渗透蓝膜污染芯片，该揭膜剂揭膜效果特别好，能使揭膜过程中晶粒的损失降为零。2.技术方案为了解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案如下：一种揭膜剂，其组成成份及质量份数为：丙酮10-15份，异丙醇10-30份，硝酸1-3份。优选地，所述的丙酮10份，异丙醇10份，硝酸1份。优选地，所述的硝酸的质量分数为68％。上述的一种揭膜剂的制备方法，其步骤为：(a)按质量比例称取10-30份异丙醇和1-3份硝酸加入带有搅拌装置的调和釜中，在40-60℃条件下搅拌20-30min；(b)将10-15份丙酮以2份/分钟的速度滴加入步骤(a)中的调和釜中；(c)滴加完毕后静置15min，然后冷却至室温，得到上述的揭膜剂。优选地，所述的步骤(a)中在55℃条件下搅拌25 min。一种减少LED芯片倒膜损失的方法，其步骤为：(1)将全切结束的LED芯片加热至30-35℃，然后在芯片表面覆盖一层中转膜，赶走芯片与中转膜之间的气泡；(2)将步骤(1)中贴完中转膜后的LED芯片翻转180°使中转膜在LED芯片的底部；(3)将加热台加热至60-80℃，然后将步骤(2)中的LED芯片移至加热台上加热20-50秒；(4)加热结束后将LED芯片从加热台上移至工作台上，在LED芯片上表面的蓝膜表面均匀涂抹权利要求1中所述的揭膜剂；(5)涂完揭膜剂后静置0.5-1min，然后按与芯片切割道呈40-50°的方向揭膜。优选地，所述的中转膜为单层蓝膜。优选地，所述的步骤(2)中揭膜剂的涂抹体积V＝(0.1-0.3)mL/cm2。优选地，所述的步骤(5)中按与芯片切割道呈45°的方向揭膜，揭膜速度为10-20mm/min。上述的揭膜剂在LED芯片倒膜工艺中的应用。3.有益效果相比于现有技术，本专利技术的有益效果为：(1)本专利技术中的揭膜剂由丙酮、异丙醇和硝酸在一定条件下混合得到，使用过程中可以达到快速软化蓝膜的效果，并且能够快速挥发，不会渗透蓝膜污染芯片；(2)本专利技术的揭膜剂在使用过程中可以确保倒膜过程中芯片无损失，增加生产效率；(3)本专利技术的一种揭膜剂的制备方法，在40-60℃条件下，将异丙醇、硝酸和丙酮依次进行混合，得到一种高效的揭膜剂，揭膜剂对蓝膜的软化效果好，但又不至于使蓝膜完全软化溶解，方便揭膜操作，生产效率提高了40-50％；(4)本专利技术的一种减少LED芯片倒膜损失的方法，使用专利技术人自己制备的揭膜剂，控制揭膜剂的使用条件及使用量，使芯片倒膜工艺中的晶粒损失由以前的10％降至0，效果显著，经济效益高；(5)本专利技术的揭膜剂组分中，丙酮含量低，与现有技术中以纯丙酮作为揭膜剂相比，安全环保，对操作人员伤害小，值得推广应用；(6)本专利技术的一种减少LED芯片倒膜损失的方法，在涂完揭膜剂后，按与芯片切割道呈40-50°的方向揭膜，尽量压低被揭膜的高度(≤3cm)，以缓慢的速度进行揭膜(揭膜速度为10-20mm/min)，在这种条件下揭膜，晶粒的损失率最低，几乎能达到零损失。附图说明图1为本专利技术的减少LED芯片倒膜损失的工艺流程简图；具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术进一步进行描述。实施例1一种揭膜剂，其组成成份及质量份数为：丙酮10份，异丙醇10份，硝酸(质量分数为68％)1份。为了得到上述物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种揭膜剂，其特征在于：其组成成份及质量份数为：丙酮10‑15份，异丙醇10‑30份，硝酸1‑3份。

【技术特征摘要】
1.一种揭膜剂，其特征在于：其组成成份及质量份数为：丙酮10-15份，异丙醇10-30
份，硝酸1-3份。
2.根据权利要求1所述的一种揭膜剂，其特征在于：所述的丙酮10份，异丙醇10份，
硝酸1份。
3.根据权利要求1所述的一种揭膜剂，其特征在于：所述的硝酸的质量分数为68％。
4.权利要求1所述的一种揭膜剂的制备方法，其步骤为：
(a)按质量比例称取10-30份异丙醇和1-3份硝酸加入带有搅拌装置的调和釜中，在
40-60℃条件下搅拌20-30min；
(b)将10-15份丙酮以2份/分钟的速度滴加入步骤(a)中的调和釜中；
(c)滴加完毕后静置15min，然后冷却至室温，得到权利要求1中所述的揭膜剂。
5.根据权利要求4所述的一种揭膜剂的制备方法，其特征在于：所述的步骤(a)中在
55℃条件下搅拌25min。
6.一种减少LED芯片倒膜损失的方法，其步骤为：
(1)将全切结束的LED芯片加热至30-35℃，然后在芯片表面覆盖一层中转膜，赶走芯
片与中转...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱燕，李有群，徐兴庆，许静，廉鹏，
申请(专利权)人：马鞍山太时芯光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34