硅片表面氮化硅膜制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种能够避免造成制程气体浪费的硅片表面氮化硅膜制备装置。该装置包括设置有炉门的真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，真空沉积室上设有进气口与排气口，排气口上连接有排放管，排放管末端连接有真空泵，真空泵的出口连接有尾排管，真空沉积室上设置有开关装置，真空泵的进口与排气口之间设置有旁路管，旁路管上设置有旁通阀，排放管上设置有工艺阀。在进行沉积工艺过程中，将工艺阀关闭并将旁通阀打开，真空泵在工作时，抽取的气体量就大大减小，可以使得真空沉积室内的制程气体有足够的时间反应，同时向真空沉积室内通入的制程气体量也大大减小，避免了制程气体不必要的浪费。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。

【技术实现步骤摘要】
硅片表面氮化硅膜制备装置
本技术涉及太阳能电池硅片加工设备领域，尤其是一种硅片表面氮化硅膜制备装置。
技术介绍
由于太阳光照射到太阳能电池的硅片上，其中一部分太阳光会被反射，即使对将硅表面设计成绒面，虽然入射光会产生多次反射可以增加光的吸收率，但是，还是会有一部分的太阳光会被反射，为了减少太阳光的反射损失，通常所采取的办法是在太阳能电池的硅片表面覆盖一层减反射膜，这层薄膜可以减少太阳光的反射率，增加光电转换效率，在晶体硅表面淀积减反射膜技术中，氮化硅膜具有高绝缘性、化学稳定性好、致密性好、硬度高等特点，同时具有良好的掩蔽金属和水离子沉积的能力，从而被广泛采用。 在晶体硅太阳能电池制造过程中，制备氮化硅膜通常采用等离子体增强化学气相沉积法，简称为PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n)，PECVD是利用强电场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团，这些基团经过经一系列化学和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。 目前，在晶体硅太阳能电池制造过程中，用于制备氮化硅膜的装置主要包括设置有炉门的真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，硅片放置于石墨舟上，真空沉积室上设有进气口与排气口，所述进气口上连接有用于通入制程气体的进气管，所述排气口上连接有排放管，排放管末端连接有真空泵，真空泵的进口与排放管的出口相连，真空泵的出口连接有尾排管，所述真空沉积室上设置有用于打开或关闭炉门的开关装置，所述制程气体是指在氮化硅膜制备过程中用于反应的气体，一般情况下，在氮化硅膜制备过程中所使用的制程气体主要有以下两种:氨气、氢化硅(硅烷)，该硅片表面氮化硅膜制备装置的工作过程如下:将各种制程气体分别通过不同的进气管通入真空沉积室内，不同的制程气体在真空沉积室内混合后并且在真空沉积室内电离成离子，经过多次碰撞产生大量的活性基，逐步附着在太阳能电池硅片的表面，形成一层SixNy薄膜。这种硅片表面氮化硅膜制备装置在实际使用过程中存在以下问题:现有的硅片表面氮化硅膜制备装置在进行沉积工艺之前需要先利用真空泵将真空沉积室内抽至一定的真空度，然后再进行沉积工艺，在沉积工艺过程中，真空泵一直工作其目的一是为了保证真空沉积室内保持一定的真空度，同时也将沉积产生的尾气排出，由于现有的硅片表面氮化硅膜制备装置的真空泵与真空沉积室的排气口之间只有一根内径为60_左右的排放管，该排放管内径较粗，在沉积工艺之前将真空沉积室内抽真空时效果较好，但是，在沉积工艺过程中，由于排放管内径较粗，会将真空沉积室内的制程气体快速的抽走，有些制程气体还未来的及反应便被真空泵抽走，这样便需要通入大量的制程气体才能保证沉积反应的正常进行，容易造成制程气体的浪费，致使生产成本增加。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种能够避免造成制程气体浪费的硅片表面氮化硅膜制备装置。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:该硅片表面氮化硅膜制备装置，包括设置有炉门的真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，硅片放置于石墨舟上，真空沉积室上设有进气口与排气口，所述进气口上连接有用于通入制程气体的进气管，所述排气口上连接有排放管，排放管末端连接有真空泵，真空泵的进口与排放管的出口相连，真空泵的出口连接有尾排管，所述真空沉积室上设置有用于打开或关闭炉门的开关装置，所述真空泵的进口与排气口之间设置有旁路管，所述旁路管上设置有用于使旁路管导通或关闭的旁通阀，所述排放管上设置有用于使排放管导通或关闭的工艺阀，所述排放管的内径为50mm-70mm，所述旁路管的内径为15mm-25mm。 进一步的是，所述排放管的内径为60mm，所述旁路管的内径为20mm。 进一步的是，所述工艺阀、旁通阀均为电磁阀，所述工艺阀上连接有第一触发式开关，所述旁通阀上连接有第二触发式开关，所述真空沉积室内设置有真空计，还包括控制器，所述第一触发式开关、第二触发式开关、真空计分别与控制器电连接。 本技术的有益效果是:通过在真空泵的进口与排气口之间设置旁路管，使得真空泵的进口与排气口之间形成两条通道，在进行沉积工艺之前需要将真空沉积室内抽至一定的真空度时，将旁通阀关闭，将工艺阀打开，这样可以将真空沉积室内快速的抽至一定的真空度，当抽真空完毕后进入沉积工艺阶段时，将工艺阀关闭并将旁通阀打开，在沉积工艺过程中，真空泵一直工作其目的是为了保证真空沉积室内保持一定的真空度，由于旁路管的内径较小只有排放管内径的三分之一左右，这样真空泵在工作时，抽取的气体量就大大减小，可以使得真空沉积室内的制程气体有足够的时间反应，同时向真空沉积室内的通入的制程气体量也大大减小，避免了制程气体不必要的浪费，可以降低生产成本。 【附图说明】 图1是本技术硅片表面氮化硅膜制备装置的结构示意图； 图中标记为:炉门1、真空沉积室2、石墨舟3、进气口 4、排气口 5、进气管6、排放管8、真空泵9、尾排管10、开关装置11、旁路管14、旁通阀15、工艺阀16、第一触发式开关17、第二触发式开关18、真空计19、控制器20。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术进一步说明。 如图1所示，该硅片表面氮化硅膜制备装置，包括设置有炉门I的真空沉积室2，真空沉积室2内设有石墨舟3，硅片放置于石墨舟3上，真空沉积室2上设有进气口 4与排气口 5，所述进气口 4上连接有用于通入制程气体的进气管6，所述排气口 5上连接有排放管8，排放管8末端连接有真空泵9，真空泵9的进口与排放管8的出口相连，真空泵9的出口连接有尾排管10，所述真空沉积室2上设置有用于打开或关闭炉门I的开关装置11，所述真空泵9的进口与排气口 5之间设置有旁路管14，所述旁路管14上设置有用于使旁路管14导通或关闭的旁通阀15，所述排放管8上设置有用于使排放管8导通或关闭的工艺阀16，所述排放管8的内径为50mm-70mm，所述旁路管14的内径为15mm-25mm。通过设置旁路管14，使得真空泵9的进口与排气口 5之间形成两条通道，在进行沉积工艺之前需要将真空沉积室2内抽至一定的真空度时，将旁通阀15关闭，将工艺阀16打开，这样可以将真空沉积室2内快速的抽至一定的真空度，当抽真空完毕后进入沉积工艺阶段时，将工艺阀16关闭并将旁通阀15打开，在沉积工艺过程中，真空泵9 一直工作其目的一是为了保证真空沉积室2内保持一定的真空度，同时也将沉积产生的尾气排出，由于旁路管14的内径较小只有排放管8内径的三分之一左右，这样真空泵9在工作时，抽取的气体量就大大减小，可以使得真空沉积室2内的制程气体有足够的时间反应，同时向真空沉积室2内的通入的制程气体量也大大减小，避免了制程气体不必要的浪费，可以降低生产成本。 进一步的，为了使真空沉积室2内能够快速的抽至一定的真空度，同时也避免真空泵9超负荷运转，所述排放管8的内径优选为60mm，为了使真空沉积室2内的的制程气体充分反应同时也能够保证沉积工艺的效果，所述旁路管14的内径优选为20mm。 再者，为了使工艺阀16、旁通阀15能够自动控制，实现无人操作，所述工艺阀16、旁通阀15均为电磁阀，所述工艺阀本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅片表面氮化硅膜制备装置，包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2)，真空沉积室(2)内设有石墨舟(3)，硅片放置于石墨舟(3)上，真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5)，所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的进气管(6)，所述排气口(5)上连接有排放管(8)，排放管(8)末端连接有真空泵(9)，真空泵(9)的进口与排放管(8)的出口相连，真空泵(9)的出口连接有尾排管(10)，所述真空沉积室(2)上设置有用于打开或关闭炉门(1)的开关装置(11)，其特征在于：所述真空泵(9)的进口与排气口(5)之间设置有旁路管(14)，所述旁路管(14)上设置有用于使旁路管(14)导通或关闭的旁通阀(15)，所述排放管(8)上设置有用于使排放管(8)导通或关闭的工艺阀(16)，所述排放管(8)的内径为50mm‑70mm，所述旁路管(14)的内径为15mm‑25mm。

【技术特征摘要】
1.硅片表面氮化硅膜制备装置，包括设置有炉门(I)的真空沉积室(2)，真空沉积室(2)内设有石墨舟(3)，硅片放置于石墨舟(3)上，真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5)，所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的进气管￠)，所述排气口(5)上连接有排放管(8)，排放管⑶末端连接有真空泵(9)，真空泵(9)的进口与排放管⑶的出口相连，真空泵(9)的出口连接有尾排管(10)，所述真空沉积室(2)上设置有用于打开或关闭炉门⑴的开关装置(11)，其特征在于:所述真空泵(9)的进口与排气口(5)之间设置有旁路管(14)，所述旁路管(14)上设置有用于使旁路管(14)导通或关闭的旁通阀(15)，所述排放管(8)上设置有用...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈五奎，李军，徐文州，陈磊，冯加保，
申请(专利权)人：乐山新天源太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51