接触孔偏移量测结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种接触孔偏移量测结构，其至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的对称分布的两组量测图形，所述量测图形包括形成在所述半导体衬底表面的有源区和等间距排布在所述有源区上的多晶硅栅桥；位于其中一组量测图形上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以相同间距排布在所述有源区上的接触孔组；其中，各接触孔组之间的间距大于各多晶硅栅桥之间的间距，所述接触孔组与所述多晶硅栅桥交错间隔分布，且每个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间具有不同的预设偏移量；位于另一组量测图形上的与所述第一接触孔图形呈镜像对称分布的第二接触孔图形。本实用新型专利技术能够通过电学量测检测到接触孔的偏移，简单实用，量测精度高。

【技术实现步骤摘要】
接触孔偏移量测结构
本技术涉及半导体
，特别是涉及一种接触孔偏移量测结构。
技术介绍
在半导体制造工艺中，晶圆形成半导体器件后，制作接触孔，是进行金属互连的重要步骤。需要对应有源区的位置，形成相应的掩模版用于接触孔的刻蚀。其中，接触孔是否对准有源区以及接触孔是否与前层光刻得到的多晶硅层(Poly)接触将直接影响接触孔的质量，假如形成的接触孔不能准确地对准底部有源区或者形成的接触孔与Poly接触，将导致该接触孔失效(开路/短路)。由于光刻工艺的精度限制等多方面原因，在进行接触孔的形成工艺时，会发生局部接触孔的偏移现象，即部分区域的接触孔的形成位置发生改变，不能正常对准底部的有源区或者可能与前层光刻得到的Poly接触，导致接触孔的失效，进而导致器件中的部分区域短路。通常生产过程中在光刻后使用光学方法取样量测接触孔是否偏移，但是如果光学量测设定错误，有时无法在生产过程中侦测到问题。于是需要在电路制作完成后，使用电学量测方法作为接触孔是否失效的保护量测(a fail safe protectivemeasurement);也可以做全检或作为电路特性调整用的一个参数。 传统的电阻接触孔链(Re contact chain)量测结构可以用来侦测接触孔偏移，但是只能检测偏移量较大的接触孔偏移(例如50nm以上偏移量)。在接触孔偏移量小于50nm时，该量测结构的电阻值无明显变化，即使有接触孔的偏移，但是量测数据无法表现出来，容易误判接触孔无偏移问题；而在接触孔偏移量大于等于50nm时，该量测结构的电阻值会发生明显变化，才能侦测到接触孔偏移过大。由于传统的电阻接触孔链量测结构通常用于器件的质量控制，并不是特意设计来检测接触孔偏移，因此其在接触孔偏移量较大时才能检测出来，很多偏移量较小的接触孔的失效并不能有效检测出来，进而导致当光学量测出问题时，无有效方法做接触孔是否失效的质量保护，侦测接触孔偏移，来避免有制作问题的 τ?: O 山 AjC.广口 Pt出贞。 因此，现在亟需一种能够有效检测具有较小偏移量的接触孔的量测结构。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种接触孔偏移量测结构，能够通过电学量测检测到接触孔的偏移，简单实用，量测精度高，用于解决现有技术中无法检测具有较小偏移量的接触孔的问题。 为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种接触孔偏移量测结构，其中，所述接触孔偏移量测结构至少包括: 半导体衬底； 位于所述半导体衬底上的对称分布的两组量测图形，所述量测图形包括形成在所述半导体衬底表面的有源区和等间距排布在所述有源区上的多晶硅栅桥； 位于其中一组量测图形上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以相同间距排布在所述有源区上的接触孔组；其中，各接触孔组之间的间距大于各多晶硅栅桥之间的间距，所述接触孔组与所述多晶硅栅桥交错间隔分布，且每个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间具有不同的预设偏移量；以及， 位于另一组量测图形上的第二接触孔图形，所述第二接触孔图形与所述第一接触孔图形呈镜像对称分布。 优选地，所述接触孔偏移量测结构还包括: 位于所述半导体衬底上的多晶硅图形，所述多晶硅图形与每个多晶硅栅桥相连；以及， 位于所述多晶硅图形上的第三接触孔图形，所述第三接触孔图形包括等间距排布在所述多晶硅图形上的接触孔组。 优选地，所述接触孔偏移量测结构还包括: 位于所述第一接触孔图形上的第一金属连线，所述第一金属连线与所述第一接触孔图形中的所有接触孔组相连； 位于所述第二接触孔图形上的第二金属连线，所述第二金属连线与所述第二接触孔图形中的所有接触孔组相连；以及， 位于所述第三接触孔图形上的第三金属连线，所述第三金属连线与所述第三接触孔图形中的所有接触孔组相连。 优选地，所述第一接触孔图形和所述第二接触孔图形中均至少有一个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间的预设偏移量为零。 优选地，沿同一方向排布的接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间的预设偏移量，相较于前一接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间的前一预设偏移量，以预设增量增大。 优选地，所述预设偏移量大于等于Onm，所述预设增量为各接触孔组之间的间距与各多晶娃栅桥之间的间距的差值。 优选地，所述接触孔组内的每个接触孔中均设有互连金属。 如上所述，本技术的接触孔偏移量测结构，具有以下有益效果:本技术采用在接触孔组和前层光刻得到的多晶硅栅桥之间设定预设偏移量的量测结构，能够通过电学量测检测到接触孔相对于预设偏移量的实际偏移方向和偏移量，简单实用，量测精度高；当光学量测出问题时，能够有效做接触孔是否失效的质量保护，侦测接触孔偏移，来避免有制作问题的产品出货；与现有技术相比，对于50nm以下的接触孔偏移也能够快速、准确的量测得到。 【附图说明】 图1显示为本技术实施例的接触孔偏移量测结构的示意图。 图2显示为本技术实施例的接触孔偏移量测结构中预设偏移量增大的示意图。 图3显示为本技术实施例的接触孔偏移量测结构中预设偏移量增大的剖视图。 元件标号说明 I半导体衬底 2第一量测图形 21第一有源区 22第一多晶硅栅桥 3第二量测图形 31第二有源区 32第二多晶硅栅桥 4第一接触孔图形 41第一接触孔组 5第二接触孔图形 51第二接触孔组 6多晶硅图形 7第三接触孔图形 71第三接触孔组 8第一金属连线 9第二金属连线 10第三金属连线 【具体实施方式】 以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。 请参阅图1至图3。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。 如图1所示，本技术的实施例涉及一种接触孔偏移量测结构，其中，本实施例的接触孔偏移量测结构至少包括: 半导体衬底I。该半导体衬底I可以采用Si衬底、SiGe衬底或者GaN、AlN、AlGaN、HEMT等II1-V族化合物衬底。其形状可以为长方形或者圆形。 位于半导体衬底I上的对称分布的两组量测图形，量测图形包括形成在半导体衬底I表面的有源区和等间距排布在有源区上的多晶硅栅桥。在本实施例中，参见图1，两组量测图形分别为第一量测图形2和第二量测图形3。其中，第一量测图形2包括形成在半导体衬底I表面的第一有源区21和N个第一多晶硅栅桥22，N个第一多晶硅栅桥22以相同间距沿水平坐标轴(X轴)正方向排布在第一有源区21上，N为自然数。第二量测图形3与第一量测图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述接触孔偏移量测结构至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的对称分布的两组量测图形，所述量测图形包括形成在所述半导体衬底表面的有源区和等间距排布在所述有源区上的多晶硅栅桥；位于其中一组量测图形上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以相同间距排布在所述有源区上的接触孔组；其中，各接触孔组之间的间距大于各多晶硅栅桥之间的间距，所述接触孔组与所述多晶硅栅桥交错间隔分布，且每个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间具有不同的预设偏移量；以及，位于另一组量测图形上的第二接触孔图形，所述第二接触孔图形与所述第一接触孔图形呈镜像对称分布。

【技术特征摘要】
1.一种接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述接触孔偏移量测结构至少包括: 半导体衬底； 位于所述半导体衬底上的对称分布的两组量测图形，所述量测图形包括形成在所述半导体衬底表面的有源区和等间距排布在所述有源区上的多晶硅栅桥； 位于其中一组量测图形上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以相同间距排布在所述有源区上的接触孔组；其中，各接触孔组之间的间距大于各多晶硅栅桥之间的间距，所述接触孔组与所述多晶硅栅桥交错间隔分布，且每个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间具有不同的预设偏移量；以及， 位于另一组量测图形上的第二接触孔图形，所述第二接触孔图形与所述第一接触孔图形呈镜像对称分布。2.根据权利要求1所述的接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述接触孔偏移量测结构还包括: 位于所述半导体衬底上的多晶硅图形，所述多晶硅图形与每个多晶硅栅桥相连；以及， 位于所述多晶硅图形上的第三接触孔图形，所述第三接触孔图形包括排布在所述多晶硅图形上的接触孔组。3.根据权利要求2所述的接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述接触孔偏移量测结...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡孟峰，黄晨，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11