具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具制造技术

本实用新型专利技术涉及具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具，其中具硅基座的发光二极管包含一硅基座及一发光二极管芯片，所述硅基座包括一形成于内部的电源控制集成电路、一形成于底面的P电极、一形成于底面的N电极，及一形成于底面的散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接，所述发光二极管芯片共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，其中，定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部，所述电源控制集成电路取代以往的电源控制器，提供了更加优化的发光二极管。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及照明设备
，具体的说，是一种具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具。
技术介绍
无论是在商办、学校、居家、汽车、路灯等等，一直以来都对高亮度的照明设备有所需求，常见的卤素灯由于高电费与会造成被照射物品变质等等缺点，而不再受到市场的喜爱，渐渐地，发光二极管灯具以高亮度但低电费，改善了卤素灯的诸多缺点并成为目前照明设备的主流。而以往的发光二极管灯具是由发光二极管、电路板、电源控制器、散热座所构成，除了发光二极管会产生废热之外，电源控制器也会产生大量废热，若无快速有效的散热设计，将会使得发光二极管无法密集排列、电源控制器也须与发光二极管保持一定距离，分别造成了亮度无法提高以及发光二极管灯具的体积无法下降的缺点，此外，而由于以往的电源控制器本身的体积就已相当庞大，远远大于发光二极管与电路板，造成发光二极管灯具的体积也无法下降，因此发光二极管灯具的使用无法灵活便利，例如作为橱柜灯需占据一定的安装厚度与深度等。而在申请人先前的台湾技术专利第1418736号所揭示，提供了一种有绝佳散热设计的发光二极管灯具，现有技术所揭示的散热设计的概念之下，如何进一步提升发光二极管灯具的商品竞争力为目前相关业界的研发重点。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种更加优化的具矽基座的发光二极管。本技术的另一目的在于，提供一种可以大幅度缩减体积且更加优化的发光二极管灯具。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案。本技术具硅基座的发光二极管，包含：一硅基座，及至少一发光二极管芯片，所述硅基座包括一形成于内部的电源控制集成电路、一形成于底面的P电极、一形成于底面的N电极，及一形成于底面的散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接，所述发光二极管芯片共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，其中，定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部。而本技术发光二极管灯具包含一散热座、一电路板、至少一发光二极管，及一对电线，所述散热座包括一平坦的基面，及多个自所述基面凸起的散热高台，所述电路板包括一对应接触所述散热座基面的散热底面，及多个对应所述散热高台开设的槽道，所述多个散热高台位于所述多个槽道中，所述发光二极管设置于所述电路板槽道上且位于所述散热座的散热高台顶面，所述发光二极管包括一硅基座及至少一发光二极管芯片，所述硅基座包括一形成于内部的电源控制集成电路、一形成于底面的P电极、一形成于底面的N电极，及一形成于底面的散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接，所述发光二极管芯片共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，其中，定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部，所述一对电线用于连接所述电路板于外部电源。本技术的优点在于，由于所述发光二极管灯具有绝佳的散热设计，而能将所述电源控制集成电路直接设计于所述硅基座内部，取代以往的电源控制器，提供了更加优化的发光二极管，也能因此而大幅缩减发光二极管灯具的体积，确实达成本技术的目的。附图说明本技术的其它的特征及功效，将于参照图式的实施方式中清楚地呈现，其中：图1是一个立体分解示意图，说明本技术具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具的第一较佳实施例；图2是一个立体示意图，说明本第一较佳实施例的一散热座、一电路板、多个发光二极管，及一对电线；图3是一个剖面示意图，说明本第一较佳实施例发光二极管的一硅基座及多个发光二极管芯片；图4是一个俯视示意图，说明本第一较佳实施例发光二极管的所述硅基座及多个发光二极管芯片；图5是一个仰视示意图，说明本第一较佳实施例的一P电极、一N电极及一散热接地部；及图6是一个仰视示意图，说明本新型具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具的第二较佳实施例。图中的标号分别表示：1、散热座；11、基面；12、散热高台；2、电路板；21、散热底面；22、槽道；3、发光二极管；31、硅基座；311、电源控制集成电路；312、P电极；313、N电极；314、散热接地部；315、散热通道；32、发光二极管芯片；4、电线；5、界面合金层；61、高熔点焊锡；62、低熔点焊锡。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具的具体实施方式做详细说明。在本技术被详细描述之前，应当注意在以下的说明内容中，类似的组件是以相同的编号来表示。参阅图1、图2与图3，本技术具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具的第一较佳实施例，所述发光二极管灯具包含一散热座1、一电路板2、多个发光二极管3、一对电线4，及一界面合金层5。所述散热座1包括一平坦的基面11，及多个自所述基面11凸起的散热高台12，所述散热座1可以是具有380 W/m·K的热传系数的铜所制成，或是具有237W/m·K的热传系数的铝所制成，都可以快速排热。所述电路板2包括一对应接触所述散热座1基面11的散热底面21，及多个对应所述散热高台12开设的槽道22，所述多个散热高台12分别对应位于所述电路板2的所述多个槽道22中。所述多个发光二极管3设置于所述电路板2的槽道22上且位于所述散热座1的散热高台12顶面。所述多个发光二极管3分别包括一硅基座31及多个发光二极管芯片32。配合参阅图4与图5，所述硅基座31的材质为硅，硅具有170W/m·K的热传系数，所述硅基座31包括一形成于内部的电源控制集成电路311、一形成于底面的P电极312、一形成于底面的N电极313，及一形成于底面的散热接地部314，所述电源控制集成电路311与所述P电极312和所述N电极313电连接，其中，定义一散热通道315，是由所述多个发光二极管芯片32经所述硅基座31内部至所述散热接地部314，所述散热通道315为垂直向下。所述电源控制集成电路311是利用半导体磊晶成长成集成电路的技术，来将电容、电感、电阻等等设计为集成电路之后形成于所述硅基座31的内部。所述散热接地部314的其中一功能为接地功能，根据国际电工委员会所订定的灯具照明标准，具有接地功能的发光二极管灯具耐压下限值为500VAC，而本第一较佳实施例中，所述多个发光二极管3的耐压高达700 VAC。所述散热接地部314的另一功能为散热，能够将所述电源控制集成电路311以及所述多个发光二极管芯片32的热由此处传导向外，而由于所述散热接地部314与所述散热座1的散热高台12相接，使所述散热座1有效地带走所述硅基座31中的废热。也就是说，在本第一较佳实施例中，所述散热信道315与接地功能共享了所述散热接地部314，更进一步说明的是，所述电源控制集成电路311绕所述散热通道315设置，此设计的考虑在于，相较于所述电源控制集成电路311来说，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具硅基座的发光二极管，其特征在于，包含：一硅基座，包括形成于内部的一电源控制集成电路、形成于底面的一P电极、形成于底面的一N电极，及形成于底面的一散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接；及至少一发光二极管芯片，共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，其中，所述硅基座定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部。

【技术特征摘要】
2014.03.26 TW 1032051801.一种具硅基座的发光二极管，其特征在于，包含：
一硅基座，包括形成于内部的一电源控制集成电路、形成于底面的一P电极、形成于底面的一N电极，及形成于底面的一散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接；及
至少一发光二极管芯片，共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，
其中，所述硅基座定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部。
2.根据权利要求1所述的具硅基座的发光二极管，其特征在于，所述电源控制集成电路绕所述散热通道设置。
3.根据权利要求2所述的具硅基座的发光二极管，其特征在于，所述电源控制集成电路设置于该P电极和该N电极之上。
4.根据权利要求1所述的具硅基座的发光二极管，其特征在于，所述散热通道为垂直向下。
5.根据权利要求4所述的具硅基座的发光二极管，其特征在于，所述散热通道连接于所述散热接地部。
6.根据权利要求1所述的具硅基座的发光二极管，其特征在于，所述硅基座还包括一温度控制集成电路。
7.根据权利要求1所述的具硅基座的发光二极管，其特征在于，所述硅基座还包括一变色控制集成电路。
8.一种发光二极管灯具，其特征在于，包含：
一散热座，包括一平坦的基面，及多个自所述基面凸起的散热高台；
一电路板，包括一对应接触所述散热座的基面的散热底面，及多个对应所述散热高台开设的槽道，所述多个散热高台位于所述多个槽道中；及
至少一发光二极管，设置于所述电路板槽道上且位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈桂芳，
申请(专利权)人：贺喜能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71