本发明专利技术提供一种MOSFET的并联电路，包括一组并联的MOSFET，至少在其中的一个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器，电容器的电容值范围为100pF-1uF，多个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器为并联，本发明专利技术可以保重驱动开通的一致性，也增强了电路的抗干扰性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种驱动电路，尤其涉及一种MOSFET的并联电路。
技术介绍
目前基于多MOSFET的并联电路多采用贴片封装，MOSFET的并联电路焊接在铝基板上，有助于MOSFET散热和热均衡，但是多个MOSFET并联时，由于驱动线很长，MOSFET的PCB布局会比较大，以9个MOSFET并联的低压伺服驱动器铝基板为例，单桥臂的9个MOSFET并联时，最远的两个MOSFET之间的距离约为150mm，如此长的驱动线会导致并联MOSFET电路存在驱动开通不一致的问题，同时其驱动开通也易受干扰。上述问题严重时会造成每个并联的MOSFET的驱动开通的电流不一致，导致个别MOSFET老化严重或者直接损坏。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种MOSFET的并联电路，可以保重驱动开通的一致性，也增强了电路的抗干扰性。本专利技术采用如下技术方案：一种MOSFET的并联电路，包括一组并联的MOSFET，各MOSFET的栅极与一电阻串接；至少在其中的一个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器，电容器的电容值范围为100pF-1uF，多个MOSFET栅极与源极之间串接的电容器为并联。进一步的，电容器均匀串接在并联的MOSFET电路中，各个电容器的电容值相同，一个串接了电容器的MOSFET，与其不同侧且相邻的两个串接了电容器的MOSFET所间隔的MOSFET的数量相同。有益效果：本专利技术在MOSFET并联电路中的至少一个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器，电容器的电容值范围为100pF-1uF，多个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器为并联，电容器在各个MOSFET流过不同电流时，负载突变，以此减缓MOSFET的驱动速度，使MOSFET驱动动作保持一致，从而导致流过每个MOSFET的电流相同，各个MOSFET发热均衡，这就保证了并联的每个MOSFET的使用寿命基本相同，也使得驱动电路具有很强的抗干扰能力。由于上述电路组成，使得本专利技术还能对脉冲型的干扰提供很好的缓冲作用，以免较大的脉冲干扰侵入时，驱动电压不会过高或过低，避免了MOSFET误动作引起系统损坏。附图说明图1为本专利技术的实施例中的电路原理图。具体实施方式下面结合附图及具体实施例对本专利技术进一步说明。实施例1：如图1所示，一种MOSFET的并联电路，包括一组并联的MOSFET，MOSFET的数量为9个，分别在其中的第3个MOSFET、第6个MOSFET、第9个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器C3、C6、C9，每个电容器的电容值均为100pF，上述三个电容器为并联，9个MOSFET的栅极都与一电阻串接。本实施例中，电容器作为驱动缓冲电容均匀串接在并联的MOSFET电路中，各个电容器的电容值相同，即3个相邻的MOSFET做为一个区域，共享一个驱动缓冲电容，整个MOSFET并联电路，使用了3个等值的驱动缓冲电容，即串接了电容器C6的MOSFET，与其在不同侧(左、右两侧)且相邻的两个分别串接了电容器C3、电容器C9的MOSFET所间隔的MOSFET的数量相同，都为2个，将上述MOSFET并联电路通以160A的电流，9个MOSFET之间的最大升温与最小升温的差值小于4度，满足一致性的要求，同时这种等距的串接电容器的结构，也进一步加强了MOSFET驱动动作的一致性和抗干扰能力。实施例2：如图1所示，一种MOSFET的并联电路，包括一组并联的MOSFET，MOSFET的数量为9个，分别在其中的第3个MOSFET、第6个MOSFET、第9个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器C3、C6、C9，每个电容器的电容值均为500pF，上述三个电容器为并联，9个MOSFET的栅极都与一电阻串接。本实施例中，电容器作为驱动缓冲电容均匀串接在并联的MOSFET电路中，各个电容器的电容值相同，即3个相邻的MOSFET做为一个区域，共享一个驱动缓冲电容，整个MOSFET并联电路，使用了3个等值的驱动缓冲电容，即串接了电容器C6的MOSFET，与其在不同侧(左、右两侧)且相邻的两个分别串接了电容器C3、电容器C9的MOSFET所间隔的MOSFET的数量相同，都为2个，将上述MOSFET并联电路通以160A的电流，9个MOSFET之间的最大升温与最小升温的差值小于4度，满足一致性的要求，同时这种等距的串接电容器的结构，也进一步加强了MOSFET驱动动作的一致性和抗干扰能力。实施例3：如图1所示，一种MOSFET的并联电路，包括一组并联的MOSFET，MOSFET的数量为9个，分别在其中的第3个MOSFET、第6个MOSFET、第9个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器C3、C6、C9，每个电容器的电容值均为1uF，上述三个电容器为并联，9个MOSFET的栅极都与一电阻串接。本实施例中，电容器作为驱动缓冲电容均匀串接在并联的MOSFET电路中，各个电容器的电容值相同，即3个相邻的MOSFET做为一个区域，共享一个驱动缓冲电容，整个MOSFET并联电路，使用了3个等值的驱动缓冲电容，即串接了电容器C6的MOSFET，与其在不同侧(左、右两侧)且相邻的两个分别串接了电容器C3、电容器C9的MOSFET所间隔的MOSFET的数量相同，都为2个，将上述MOSFET并联电路通以160A的电流，9个MOSFET之间的最大升温与最小升温的差值小于4度，满足一致性的要求，同时这种等距的串接电容器的结构，也进一步加强了MOSFET驱动动作的一致性和抗干扰能力。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种MOSFET的并联电路，包括一组并联的MOSFET，其特征在于：各MOSFET的栅极与一电阻串接；至少在其中的一个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器，电容器的电容值范围为100pF‑1uF，多个MOSFET栅极与源极之间串接的电容器为并联。
【技术特征摘要】
1.一种MOSFET的并联电路，包括一组并联的MOSFET，其特征在于：
各MOSFET的栅极与一电阻串接；至少在其中的一个MOSFET的栅极与
源极之间串接电容器，电容器的电容值范围为100pF-1uF，多个
MOSFET栅极与源极之间串接的电容器为并联。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：许浩，孔庆刚，宋中奇，吴志敢，
申请(专利权)人：大连尚能科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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