【技术实现步骤摘要】
—种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路
本技术涉及LED日光灯电源电路领域,具体是一种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路。
技术介绍
随着超高亮度白光LED光源的出现,在照明领域的应用已经成为现实。据国际权威机构预测,二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代,被称为第四代新光源。LED由于其照明消耗电力较低,广泛应用于家庭照明中,如日光灯也已采用LED作为光源。但LED日光灯需要稳定、安全的恒流源,否则LED日光灯将无法稳定工作。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路,以满足LED日光灯的需求。 为了达到上述目的,本技术所采用的技术方案为: 一种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路,其特征在于:包括有抗浪涌保护电路、EMI滤波电路、全桥整流电路、功率因数校正电路、降压电路、纹波消除电路,所述抗浪涌保护电路输入端接入三相交流线,抗浪涌保护电路输出端与EMI滤波电路输入端连接,EMI滤波电路输出端与全桥整流电路输入端连接,全桥整流电路输出端与功率因数校正电路输入端连接,功率因数校正电路输出端与降压电路输入端连接,降压电路输出端与纹波消除电路输入端连接。 所述的一种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路,其特征在于:所述抗浪涌保护电路包括火线、零线输入线,火线输入线一端通过接线端子L与三相交流线中火线连接,零线输入线一端通过接线端子N与三相交流线中零线连接,火线、零线输入线另一端作为输出分别接入EMI滤波电路,且火线、零线输入线之间连接有热敏电阻VI,其中火线输入线上还接入有保险丝Fl。 所述的一种 ...
【技术保护点】
一种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路,其特征在于:包括有抗浪涌保护电路、EMI滤波电路、全桥整流电路、功率因数校正电路、降压电路、纹波消除电路,所述抗浪涌保护电路输入端接入三相交流线,抗浪涌保护电路输出端与EMI滤波电路输入端连接,EMI滤波电路输出端与全桥整流电路输入端连接,全桥整流电路输出端与功率因数校正电路输入端连接,功率因数校正电路输出端与降压电路输入端连接,降压电路输出端与纹波消除电路输入端连接。
【技术特征摘要】
1.一种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路,其特征在于:包括有抗浪涌保护电路、EMI滤波电路、全桥整流电路、功率因数校正电路、降压电路、纹波消除电路,所述抗浪涌保护电路输入端接入三相交流线,抗浪涌保护电路输出端与EMI滤波电路输入端连接,EMI滤波电路输出端与全桥整流电路输入端连接,全桥整流电路输出端与功率因数校正电路输入端连接,功率因数校正电路输出端与降压电路输入端连接,降压电路输出端与纹波消除电路输入端连接。2.根据权利要求1所述的一种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路,其特征在于:所述抗浪涌保护电路包括火线、零线输入线,火线输入线一端通过接线端子L与三相交流线中火线连接,零线输入线一端通过接线端子N与三相交流线中零线连接,火线、零线输入线另一端作为输出分别接入EMI滤波电路,且火线、零线输入线之间连接有热敏电阻VI,其中火线输入线上还接入有保险丝Fl。3.根据权利要求1所述的一种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路,其特征在于:所述EMI滤波电路包括共模电感L1、共模电感L2,火线、零线输入线输出分别接入共模电感LI的两输入端,共模电感LI两输出端 对应通过导线与共模电感L2两输入端连接,且共模电感LI与共模电感L2连接的导线之间还连接有电容Cl、相互串联后与电容Cl并联的电阻R2和电阻R2,共模电感L2的两输出端之间连接有电容C2,电容C2 —端通过相互并联的电感L3、电阻R3接入全桥整流电路,电容C2另一端直接通过导线接入全桥整流电路。4.根据权利要求1所述的一种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路,其特征在于:所述全桥整流电路包括变压器E2、由二极管D1-D4构成的二极管整流桥,变压器原边输入端接入EMI滤波电路中电容C2两端输出,变压器副边输出端接入二极管整流桥输入端,二极管整流桥输出端之间连接有电阻Rfz。5.根据权利要求1所述的一种LED日光灯高PF无频闪恒流源电路,其特征在于:所述功率因数校正电路包括型号为JW1600的芯片U1,芯片Ul的FB引脚通过电阻R7接地,FB引脚还接有电阻R8后分成两路导线,电阻R8后一路导线通过串接的电阻R10、二极管D5接入芯片Ul的VCC引脚,电阻R8后另一路导线接入降压电路,芯片Ul的DPWM引脚空置,芯片Ul的VCC引脚通过依次串联的电阻R11、电阻R12接入全桥整流电路中电阻Rfz上,且芯片Ul的VCC引脚还通过相互并联的电容C4、电容C5接地,芯片Ul的SNF引脚连接有相互并联的电阻Rsl、电阻Rs2后分成两路导线,相互并联的电阻Rsl、电阻Rs2后一路导线接地,相互并联的电阻Rsl、电阻Rs2后另一路导线接入降压电路,芯片Ul的GATE引脚通过依次串联的电阻R9、电阻R13与芯片Ul的SNF引脚连接,电阻R9、电阻R13之间有导线引出,电阻R9与电阻Rl3之间引出导线接入一个场效应管的栅极,所述场效应管的源极接入电阻R13与芯片Ul的SNF引脚之间,场效应管的漏极通过导线接入降压...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙智骁,郑义,叶锋,江田,毛枫,
申请(专利权)人:北京华宝芯能科技发展有限公司,
类型:新型
国别省市:北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。