热处理辐射的孔洞控制制造技术

本文描述一种用于处理基板的装置。装置可包括辐射源及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自辐射源的辐射能。孔洞可包括一或更多构件及一或更多干涉区域，其中干涉区域环绕透射区域。一或更多结构可影响穿过孔洞的透射区域的部分的辐射能的透射。安置于孔洞上的结构可减少或重定向透射，以提供穿过孔洞的辐射能的更均匀的整体透射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热处理辐射的孔洞控制专利技术背景专利
本专利技术的实施方式一般涉及一种用于控制来自孔洞的辐射的设备和方法。相关技术的描述半导体上的集成元件的大小已经缩减以匹配对更小及功能更强大的装置的持续需求。随着半导体装置上的特征变得更小，用于诸如光刻和热处理的工艺的光需要更高的分辨率。用于半导体应用的任何光刻或辐射热处理系统的关键能力为辐射均匀性及控制。先进的退火装置使用孔洞以每次处理一个场。孔洞在晶片上成像，且仅孔洞的透射区域得以处理。可遮蔽或阻断一些无需或不用处理的区域，而不是处理整个场。当光与诸如孔洞的边缘或平版印刷掩模的边缘的障碍物接触时，障碍物可使光衍射。光的衍射可在暴露的光刻胶或退火部分形成边缘、圆角或其他效应，而这些效应并不存在于孔洞或掩模的设计中。光学邻近效应修正(OPC)已用于解决光刻中已知障碍物所形成的预期光失真。此可通过基于特征之间的宽度及间隔的预计算查阅资料表而驱动(基于规则式OPC)，或通过使用紧密模型以动态模拟最终图案而驱动，且进而驱动一般分为各部分的边缘的运动以找到最佳解决方案(基于模型式OPC)。随着特征愈来愈紧密，必须提高光热处理中的辐射均匀性及控制以适应上述变化。现有系统能够实现约3％的不均匀性。然而，由于对制造能力的需求在继续增加，需要进一步改善。因此，在本领域中需要允许在基于光学的半导体处理中增加均匀性且进而增加产量的方法和设备。专利技术概述在一实施方式中，一种用于处理基板的装置可包括热退火辐射源及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自热退火辐射源的辐射能。孔洞可包括至少一个透射构件及能量阻断构件。能量阻断构件可包括干涉区域，其中干涉区域界定穿过透射构件的透射区域。另外，装置可包括至少一个结构，所述结构影响穿过孔洞的透射区域的部分的辐射能的透射。在另一实施方式中，一种用于处理基板的装置可包括：用于提供辐射能的热退火辐射源；及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自热退火辐射源的辐射能。孔洞可包括：至少一个透射构件；一或更多第一结构，所述一或更多第一结构包括在透射构件中或透射构件上形成的干涉区域；及透射区域。在本实施方式中，透射区域由第一结构界定。装置也可包括一或更多第二结构，所述一或更多第二结构安置于孔洞的透射区域的至少一部分中。附图简要说明可详细理解本专利技术的上述特征结构的方式，即以上简要概述的本专利技术的更特定描述可参阅实施方式进行，其中一些实施方式在附图中图示，以便可详细了解上文所述的本专利技术的特征。然而，应注意，附图仅图示本专利技术的典型实施方式，且因此并非视为限制本专利技术的范围，因为本专利技术可允许其他同等有效的实施方式。图1A和图1B图示根据一或更多实施方式的孔洞的侧视图。图2图示控制辐射能至基板的透射的孔洞。图3A至图3D图示具有光学邻近效应修正的孔洞的替代实施方式。图4A至图4D图示具有强度修正的孔洞的替代实施方式。相同元件符号已视需要用于指定附图中共有的相同元件以便于理解。应预期到，一实施方式中所公开的元件可有益地用于其他实施方式而无需特定叙述。具体描述本文公开一种用于热处理基板的装置，所述装置包括：提供辐射能的辐射源；及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自辐射源的辐射能，孔洞具有一或更多结构，这些结构影响穿过孔洞的透射区域的部分的辐射能的透射。孔洞可包括：一或更多构件；及一或更多干涉区域，其中干涉区域环绕透射区域。干涉区域可包含能量阻断区域。孔洞通常使辐射能形成所要形状，且将所成形的辐射场指向基板。结构可包括部分透射涂层，所述部分透射涂层可安置于部分或整个透射区域之上。可包括凸面、凹面及涂层的结构可安置于孔洞的透射区域的至少部分中。孔洞的构件可为能量阻断构件，这些能量阻断构件中的至少一者可包含干涉区域和/或透射区域，或可收敛或发散辐射能的透射构件。凸面及凹面的尺寸可小于辐射能的波长，以避免自孔洞发出的不良图像形成至辐射场中。结构中的至少一者可将辐射能指向基板的所要退火区域。结构中的一者可为末端成形结构或强度校正结构，所述结构可包括形成于孔洞的构件中的一者上或中的凸面、凹面或以上两者的组合。凸面可包括接线、接点或其他形状，这些形状沉积或蚀刻于透射构件的顶部。凹面可包括接线、接点或其他形状，这些形状沉积或蚀刻在透射构件内部。末端成形结构或强度校正结构也可包括形成于孔洞或构件中的一者上或者中的部分透射涂层。孔洞的任何部分上的涂层可为反射涂层、不透明涂层、部分透射涂层、部分反射涂层或以上各者的组合。此类涂层通常经选择以通过移除或减少辐射源所发射的辐射能的不均匀性而使到达基板的辐射能的强度更均匀。在一实施方式中，孔洞可收敛或发散辐射能。凸面或凹面可通过诸如光刻的平版印刷工艺而形成在孔洞或孔洞的构件上。孔洞的任何部分上的凸面或凹面可为反射的、不透明的、部分透射的、部分反射的、或以上各者的组合。凸面或凹面可经定位以便将辐射能指向基板的所要退火区域的一或更多部分。在一或更多实施方式中，孔洞或构件的结构可为接线。在另一实施方式中，结构的尺寸可小于辐射能的波长。参阅以下附图可更好地了解本申请的实施方式。图1A图示根据一实施方式的孔洞100的侧视图。孔洞100可具有第一构件102，第一构件102对于选定形式的能量为实质上透明的，诸如对于具有选定波长的光或激光辐射。可为不透明的、部分透射或部分反射的能量阻断构件104A可形成在第一构件102的表面的一部分上，从而界定开口108，能量可以开口108的形状穿过开口108。第二构件106可安置于第一构件102及能量阻断构件104A上，从而覆盖开口108。第二构件106对于将要透射穿过孔洞100的能量也可为实质上透明的，且第二构件106的材料可与第一构件102相同。孔洞100的边缘是由确保微粒不进入开口108的涂层110来封闭。孔洞100可经定位以使得能量阻断构件104A位于入射在孔洞100的能量的焦平面112上，以确保能量场的精确截断。因为开口108定位于能量的焦平面上，开口中收集的任何粒子(例如第一构件102的表面上的粒子)在所透射的能量场中投射会导致基板的不均匀处理的阴影。第二构件106覆盖开口108且封闭孔洞100的边缘，以确保粘附至孔洞100的任何粒子距离焦平面足够远，以使得在最终能量场中失焦，从而由于粒子的阴影所导致的最终能量场的强度变化有所减少。第一构件102及第二构件106通常由相同材料制成，诸如玻璃或石英。能量阻断构件104A可为不透明材料、部分透射材料或部分反射材料，诸如金属，白漆或介电镜。能量阻断构件104A可为成形的及/或有形状的。能量阻断构件104A可使用适当粘接剂(诸如，加拿大香脂)涂覆至第一构件102上。或者，在蒸气应用工艺中，能量阻断构件104A可沉积或生成在第一构件102上，且随后经蚀刻以形成开口108。第二构件106通常使用粘接剂涂覆至能量阻断构件104A。然而，其他连接手段可用以连接第一构件102及第二构件106。举例而言，第二构件106也可在蒸汽应用工艺中沉积或生成。涂层110可为透气性的或不透气性的材料。涂层可为粘接剂或使用粘接剂涂覆的硬质材料。或者，涂层110可通过将第一构件102及第二构件106的边缘与能量阻断构件104A的边缘熔融熔合而形成。为避免孔洞100的折射效应，能量阻断构件104A的内部边缘114A所界定的开口108本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理基板的装置，所述装置包括：热退火辐射源；孔洞，所述孔洞经定位以接收来自所述热退火辐射源的辐射能，所述孔洞包括：至少一个透射构件；和能量阻断构件，其中所述能量阻断构件包括干涉区域，且其中所述干涉区域界定穿过所述透射构件的透射区域；和至少一个结构，所述结构影响穿过所述孔洞的所述透射区域的一部分的辐射能的透射。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.22 US 61/663,350;2012.07.25 US 13/558,2671.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：热退火辐射源；孔洞，所述孔洞经定位以接收来自所述热退火辐射源的辐射能，所述孔洞包括：一或更多透射构件；和能量阻断构件，其中所述能量阻断构件形成干涉区域，且其中所述干涉区域界定穿过所述一或更多透射构件的透射区域；和结构，所述结构影响穿过所述透射构件的所述透射区域的一部分的辐射能的透射，其中影响辐射能的透射的所述结构不是均匀的横跨所述透射构件。2.如权利要求1所述的装置，其中所述结构为部分透射涂层。3.如权利要求2所述的装置，其中所述部分透射涂层安置于整个所述透射区域上。4.如权利要求1所述的装置，其中所述结构为末端成形结构，所述末端成形结构包括形成于所述一或更多透射构件上或中的凸面或凹面或凸面、凹面两者的组合。5.如权利要求4所述的装置，其中所述末端成形结构进一步包括部分透射涂层，所述部分透射涂层形成于所述一或更多透射构件中的至少一者上或中。6.如权利要求1所述的装置，其中所述结构为强度校正结构。7.如权利要求6所述的装置，其中所述强度校正结构包括形成于所述透射构件上或中的凸面或凹面或凸面、凹面两者的组合。8.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：热退火辐射源，所述热退火辐射源提供辐射能；孔洞，所述孔洞经定位以接收来自所述热退火辐射源的辐射能，所述孔洞包括：一或更多透射构件；一或更多第一结构，所述一或更多第一结构包括形成于所述一或更多透射构件的至少一个上或中的干涉区域；和透射区域，其中所述透射区域由所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿米科姆·萨德，斯蒂芬·莫法特，布鲁斯·E·亚当斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US