【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及粘结剂,尤其涉及一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂及其制备方法。
技术介绍
物理气相传输法简称PVT法,是AlN单晶生长的主流方法。大尺寸高质量AlN单晶的获得必须建立在籽晶生长模式上,AlN自籽晶生长则是最直接的方式。在AlN单晶生长之前,陶瓷托上固定AlN籽晶,确保在AlN单晶生长过程中陶瓷托与籽晶仍紧密贴合。然而AlN单晶生长温度在2000℃以上,现有的普通粘结剂在此温度下不能稳定存在,导致陶瓷托与AlN籽晶部分或完全脱离,两者之间形成小的轴向温度梯度,籽晶反向升华出现烧蚀现象,获得的AlN单晶晶体质量差,缺陷密度高。另外,AlN单晶生长对环境要求苛刻,现有粘结剂中含有的杂质元素会以缺陷的形式存在于晶体中,影响单晶质量的同时,对AlN单晶吸收光谱和透过率等性能也产生一定的影响。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在粘结剂耐受性不高以及杂质引入的问题,本专利技术提出了一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂及其制备方法。本专利技术所采取的技术方案是:一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂,其特征在于:其成分按以下重量百分比组成:氮化铝为30~50%、铝为10~30%、异丙醇为10~20%、去离子水为10~50%。本专利技术所述的一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂的制备方法是:按重量百分比称取氮化铝、铝粉、异丙醇和去离子水放入容器中,将盛有原料的容器放入温度为30~80℃的磁力搅拌水浴锅中搅拌,混合均匀的悬浮液即为铝基高温粘结剂。本专利技术所述的搅拌时间为5min~60mi ...
【技术保护点】
一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂,其特征在于:其成分按以下重量百分比组成:氮化铝为30~50%、铝为10~30%、异丙醇为10~20%、去离子水为10~50%。
【技术特征摘要】
1.一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂,其特征在于:其成分按以下重量百分比组成:氮化铝为30~50%、铝为10~30%、异丙醇为10~20%、去离子水为10~50%。
2.根据权利要求1所述的一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂,其特征在于:所述的氮化铝和铝均为颗粒状,纯度≥99.9%,粒径为20nm-2μm。
3.根据权利要求1所述的一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂,其特征在于:所述的异丙醇为分析...
【专利技术属性】
技术研发人员:张丽,齐海涛,史月增,程红娟,徐永宽,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十六研究所,
类型:发明
国别省市:天津;12
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