闪光灯控制电路、手机及平板电脑制造技术

本实用新型专利技术公开了一种闪光灯控制电路、手机及平板电脑。该闪光灯控制电路包括发光二极管、与发光二极管的阳极相连的升压电路、与发光二极管的阴极相连的第一电阻、与第一电阻并联相连的第一MOS管、与第一电阻串联相连的第二MOS管；第一MOS管的漏极接入在发光二极管与第一电阻之间、栅极与第一信号输入端相连、源极接入在第一电阻与第二MOS管之间；第二MOS管的漏极与第一电阻相连、栅极与第二信号输入端相连、源极接地。该控制电路通过控制第一MOS管和第二MOS管的通断，实现在闪光灯高亮、低亮和关闭的控制，发光亮度高且便于调整其亮度。

【技术实现步骤摘要】
闪光灯控制电路、手机及平板电脑
本技术涉及电子领域领域，尤其涉及一种闪光灯控制电路、手机及平板电脑。
技术介绍
随着智能手机、平板电脑的普及，智能手机、平板电脑的拍照功能越来越强，像素越来越高，成像效果非常好，而且手机随身携带，方便随时拍摄，已经成为人们拍照的第一选择。但是目前手机、平板电脑普遍存在光线不足拍摄时，拍摄画面不清晰的问题，闪光灯作为一个补光设备可有效保证用户在光线不足的情况下拍摄画面清晰明亮，也可当作照明设备使用，其在智能手机、平板电脑中的应用越来越广泛。现有的闪光灯需使用独立的芯片驱动，其制造成本高，而且在其电路设计中仅采用一个三极管拉通与限流电阻串联的发光二极管，其闪光亮度低，而且不易控制调整发光亮度。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的缺陷，提供一种发光亮度度且便于调整发光亮度的闪光灯控制电路、手机及平板电脑。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种闪光灯控制电路，包括发光二极管、与所述发光二极管的阳极相连的升压电路、与所述发光二极管的阴极相连的第一电阻、与所述第一电阻并联相连的第一 MOS管、与所述第一电阻串联相连的第二 MOS管；所述第一 MOS管的漏极接入在所述发光二极管与所述第一电阻之间、栅极与第一信号输入端相连、源极接入在所述第一电阻与所述第二MOS管之间；所述第二MOS管的漏极与第一电阻相连、栅极与第二信号输入端相连、源极接地；所述第一信号输入端输入第一电平信号，所述第二信号输入端输入第二电平信号；若所述第一电平信号的电平大于所述第一 MOS管的导通门限值且所述第二电平信号的电平大于所述第二 MOS管的导通门限值，则所述第一MOS管和所述第二 MOS管导通，所述发光二极管进入高亮状态；若所述第一电平信号的电平小于所述第一 MOS管的导通门限值且所述第二电平信号的电平大于所述第二 MOS管的导通门限值，则所述第一 MOS管不导通且所述第二 MOS管导通，所述发光二极管进入低亮状态。 优选地，所述第一电阻的阻值为10?15Ω。 优选地，根据权利要求1所述的闪光灯控制电路，其特征在于:所述第一信号输入端和所述第二信号输入端连接第一驱动芯片。 优选地，所述第一信号输入端和所述第二信号输入端连接OTG端口。 优选地，所述升压电路包括升压控制芯片，所述升压控制芯片的输出端与所述发光二极管的阳极相连，所述升压控制芯片与所述发光二极管之间设有接地的电容、所述升压控制芯片的开关管脚与电感相连、所述升压控制芯片的使能端连接第三信号输入端。 优选地，所述第三信号输入端连接OTG端口。 优选地，所述第三信号输入端连接第二驱动芯片。 本技术还提供一种手机，包括前述的闪光灯控制电路。 本技术还提供一种平板电脑，包括前述的闪光灯控制电路。 本技术与现有技术相比具有如下优点:实施本技术，采用与发光二极管和第一电阻串接的第二 MOS管，并将第一 MOS管并联接入第一电阻上，通过对第一 MOS管和第二 MOS管控制发光二极管的发光亮度，若第二 MOS管不导通，则闪光灯关闭；若第一 MOS管和第二 MOS管同时导通，则闪光灯进入高亮模式，若第一 MOS管不导通且第二 MOS管导通，则闪光灯进入低亮模式；通过控制第一 MOS管和第二 MOS管的通断，实现在闪光灯高亮、低売和关闭的控制，发光売度闻且便于调整其売度。 【附图说明】 下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中: 图1是本技术一实施例中闪光灯控制电路的电路图。 图2是本技术一实施例中升压电路的电路图。 图中:D1、发光二极管；R1、第一电阻；Q1、第一 MOS管；Q2、第二 MOS管；CTR1、第一信号输入端；CTR2、第二信号输入端；U1、升压控制芯片；C1、电容；L1、电感；CTR3、第三信号输入端。 【具体实施方式】 为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本技术的【具体实施方式】。 图1示出本技术一实施例中的闪光灯控制电路。该闪光灯控制电路包括发光二极管D1、与发光二极管Dl的阳极相连的升压电路，可以理解地，升压电路输出电压信号至发光二极管D1，以使发光二极管Dl发光。该闪光灯控制电路还包括与发光二极管Dl的阴极相连的第一电阻R1、与第一电阻Rl并联相连的第一 MOS管Q1、与第一电阻Rl串联相连的第二 MOS管Q2。第一 MOS管Ql的漏极接入在发光二极管Dl与第一电阻Rl之间、栅极与第一信号输入端CTRl相连、源极接入在第一电阻Rl与第二 MOS管Q2之间；第二 MOS管Q2的漏极与第一电阻Rl相连、栅极与第二信号输入端CTR2相连、源极接地。具体地，第一电阻Rl的阻值为10?15Ω。 第一信号输入端CTRl输入第一电平信号，第二信号输入端CTR2输入第二电平信号。若第一电平信号的电平大于第一 MOS管Ql的导通门限值且第二电平信号的电平大于第二 MOS管Q2的导通门限值，则第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2导通，此时，升压电路与发光二极管Dl、第一 MOS管Ql、第二 MOS管Q2形成电路通路，第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2的电阻较小，则发光二极管Dl进入高亮状态，即闪光灯模式；若第一电平信号的电平小于第一 MOS管Ql的导通门限值且第二电平信号的电平大于第二 MOS管Q2的导通门限值，则第一 MOS管Ql不导通且第二 MOS管Q2导通，此时，升压电路与发光二极管D1、第一电阻R1、第二 MOS管Q2形成电路通路，第一电阻Rl的电阻值较大，发光二极管Dl进入低亮状态，即手电筒模式；若第二电平信号的电平小于第二 MOS管Q2的导通门限值，则第二 MOS管Q2不导通，闪光灯控制电路无法形成电路通路，则发光二极管Dl不发光，处于关闭状态。 本实施例中，采用与发光二极管D1、第一电阻Rl串接的第二 MOS管Q2，并将第一MOS管Ql并联接入第一电阻Rl上，通过控制第二 MOS管Q2的通断，控制闪光灯是否关闭，若第二 MOS管Q2不导通则发光二极管Dl不发光；通过控制第一 MOS管Ql的通断，控制闪光灯高亮与低亮的切换，若第一 MOS管Ql导通，则第一电阻Rl不接入发光二极管Dl的通路电路中，闪光灯进入高亮状态；若第一 MOS管Ql不导通，则第一电阻Rl接入发光二极管Dl的通路电路中，闪光灯进入低亮状态；因此可控制第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2的通断，实现在闪光灯闻売、低売和关闭的控制，发光売度闻且便于调整其发光売度。 可以理解地，本实施例中第一信号输入端CTRl和第二信号输入端CTR2连接第一驱动芯片，则第一驱动芯片输出电平信号控制第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2的通断,第一驱动芯片可以是独立的芯片。第一信号输入端CTRl和第二信号输入端CTR2连接OTG端口，OTG端口可与外接设备相连，以给第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2输出电平信号控制其通断，可以在不控制电路成本的前提下，通过OTG端口连接不同的外接设备，以控制调整闪光灯的亮度。 如图2所示，升压电路包括升压控制芯片U1，升压控制芯片Ul的输出端(即VO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪光灯控制电路，其特征在于：包括发光二极管、与所述发光二极管的阳极相连的升压电路、与所述发光二极管的阴极相连的第一电阻、与所述第一电阻并联相连的第一MOS管、与所述第一电阻串联相连的第二MOS管；所述第一MOS管的漏极接入在所述发光二极管与所述第一电阻之间、栅极与第一信号输入端相连、源极接入在所述第一电阻与所述第二MOS管之间；所述第二MOS管的漏极与第一电阻相连、栅极与第二信号输入端相连、源极接地；所述第一信号输入端输入第一电平信号，所述第二信号输入端输入第二电平信号；若所述第一电平信号的电平大于所述第一MOS管的导通门限值且所述第二电平信号的电平大于所述第二MOS管的导通门限值，则所述第一MOS管和所述第二MOS管导通，所述发光二极管进入高亮状态；若所述第一电平信号的电平小于所述第一MOS管的导通门限值且所述第二电平信号的电平大于所述第二MOS管的导通门限值，则所述第一MOS管不导通且所述第二MOS管导通，所述发光二极管进入低亮状态。

【技术特征摘要】
1.一种闪光灯控制电路，其特征在于:包括发光二极管、与所述发光二极管的阳极相连的升压电路、与所述发光二极管的阴极相连的第一电阻、与所述第一电阻并联相连的第一 MOS管、与所述第一电阻串联相连的第二MOS管；所述第一MOS管的漏极接入在所述发光二极管与所述第一电阻之间、栅极与第一信号输入端相连、源极接入在所述第一电阻与所述第二 MOS管之间；所述第二 MOS管的漏极与第一电阻相连、栅极与第二信号输入端相连、源极接地；所述第一信号输入端输入第一电平信号，所述第二信号输入端输入第二电平信号；若所述第一电平信号的电平大于所述第一 MOS管的导通门限值且所述第二电平信号的电平大于所述第二 MOS管的导通门限值，则所述第一 MOS管和所述第二 MOS管导通，所述发光二极管进入高亮状态；若所述第一电平信号的电平小于所述第一 MOS管的导通门限值且所述第二电平信号的电平大于所述第二 MOS管的导通门限值，则所述第一 MOS管不导通且所述第二 MOS管导通，所述发光二极管进入低亮状态。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张福军，胡赫，
申请(专利权)人：深圳市星工场科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44