一种核磁共振测井仪高压稳压控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种核磁共振测井仪高压稳压控制电路，包括一种核磁共振测井仪高压稳压控制电路，包括MOS管阵列、钽电容阵列和第一过压保护电路，其中，MOS管阵列的电压输入端作为直流电压输入端，MOS管阵列的电压输出端连接到钽电容阵列的两端，MOS管阵列的控制输入端连接到第一过压保护电路的输出端，MOS管阵列在控制输入端信号的控制下导通或关闭；钽电容阵列两端作为直流电压输出端；第一过压保护电路的两个输入端分别连接到直流电压输出端和第一电压输入端。通过本实用新型专利技术提供的技术方案，采用过压保护电路进行稳压和过压保护，很好地满足了对电压输入范围宽、高稳定性的高压稳压控制电路的需求。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种核磁共振测井仪高压稳压控制电路，包括一种核磁共振测井仪高压稳压控制电路，包括MOS管阵列、钽电容阵列和第一过压保护电路，其中，MOS管阵列的电压输入端作为直流电压输入端，MOS管阵列的电压输出端连接到钽电容阵列的两端，MOS管阵列的控制输入端连接到第一过压保护电路的输出端，MOS管阵列在控制输入端信号的控制下导通或关闭；钽电容阵列两端作为直流电压输出端；第一过压保护电路的两个输入端分别连接到直流电压输出端和第一电压输入端。通过本技术提供的技术方案，采用过压保护电路进行稳压和过压保护，很好地满足了对电压输入范围宽、高稳定性的高压稳压控制电路的需求。【专利说明】—种核磁共振测井仪高压稳压控制电路
本技术涉及测井技术，尤指一种核磁共振测井仪高压稳压控制电路。
技术介绍
随着石油和天然气勘探和生产的快速发展，对地球物理勘探、钻井和测井的相关技术的研究成为本领域的研究热点。为了有效提闻测井中获取的数据的精度以精确、动态指导钻井，目前测井作业中广泛采用核磁共振测井仪进行随钻测井。核磁共振测井仪在作业时需要输入直流高压，通常采用高压稳压器为核磁共振测井仪提供直流高压。由于核磁共振测井仪在充满泥浆、水、气、油和其物质的井下复杂环境下工作，所以要求用于核磁共振测井的高压稳压器在复杂环境下能够稳定工作，这给高压稳压器中高压稳压控制电路，即核磁共振测井仪高压稳压控制电路的设计提出了挑战。 现有的核磁共振测井仪高压稳压控制电路，其核心器件为三端稳压模块。三端稳压模块对输入直流电压范围有相对严格的限制，这样就导致了现有的核磁共振测井仪高压稳压控制电路对输入的直流电压范围有相对严格的限制，当输入电压稍有波动，就很容易出现过压的问题。另一方面，现有的核磁共振测井仪高压稳压控制电路缺少过压保护电路，当出现过压时，可能导致电路中器件的烧毁，或者严重时导致核磁共振测井仪中器件的烧毁，从而无法很好地满足核磁共振测井仪高压稳压控制电路的电压输入范围宽、多重过压保护、高稳定性的需求。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提供了一种核磁共振测井仪高压稳压控制电路，电压输入范围宽，且具有双保护电路，能够很好地满足井下复杂环境下对高压稳压控制电路的需求。 为了达到本技术目的，本技术公开了一种核磁共振测井仪高压稳压控制电路，包括:由至少两个MOS管并联组成的MOS管阵列、由若干钽电容并联组成的钽电容阵列、和用于实现稳压和过压保护的第一过压保护电路，其中， 所述MOS管阵列的电压输入端作为直流电压输入端，所述MOS管阵列的电压输出端连接到钽电容阵列的两端，所述MOS管阵列的控制输入端连接到第一过压保护电路的输出端，所述MOS管阵列在控制输入端信号的控制下导通或关闭； 所述钽电容阵列两端作为直流电压输出端； 所述第一过压保护电路的两个输入端分别连接到直流电压输出端和第一电压输入端。 所述第一过压保护电路包括第一参考电平电路、第一分压电路和第一电压比较器，其中， 所述第一参考电平电路的输入端作为第一电压输入端，所述第一参考电平电路的电源输出端和参考输出端分别连接到所述第一电压比较器的电源输入端和参考输入端； 所述第一分压电路的输入端与直流电压输出端连接，所述第一分压电路的输出端连接到第一电压比较器的比较输入端； 所述第一电压比较器的输出端作为所述第一过压保护电路的输出端； 所述直流电压输出端的负端连接到所述第一电压比较器和所述第一参考电平电路的地线。 所述第一分压电路包括串联的第一电阻和第二电阻； 当直流电压输出端的电压为额定电压时，通过所述第一电阻和第二电阻的分压，使得所述第一分压电路的输出端的电压等于第一电压比较器的参考输入端的电压。 该核磁共振测井仪高压稳压控制电路还包括钽电容阵列保护电路， 所述钽电容阵列保护电路的输入端作为第二电压输入端，所述钽电容阵列保护电路的输出端连接到所述钽电容阵列的两端。 该核磁共振测井仪高压稳压控制电路还包括双通路的继电器和用于实现过压保护的第二过压保护电路，其中， 所述继电器的电压输入端作为直流电压输入端，所述继电器的电压输出端连接到所述MOS管阵列的电压输入端； 所述第二过压保护电路的输入端与直流电压输出端以及第一电压输入端连接，所述第二过压保护电路的输出端连接到所述继电器的控制输入端。 所述第二过压保护电路包括第二参考电平电路、第二分压电路和第二电压比较器，其中， 所述参考电平电路的输入端作为第一电压输入端，所述第二参考电平电路的电源输出端和参考输出端连接到所述第二电压比较器的电源输入端和参考输入端； 第二分压电路的输入端与所述直流电压输出端连接，所述第二分压电路的输出端连接到第二电压比较器的比较输入端； 所述第二电压比较器为施密特比较器，所述第二电压比较器的输出端作为所述第二过压保护电路的输出端； 所述直流电压输出端的负端连接到所述第二电压比较器和所述第二参考电平电路的地线。 所述第二分压电路包括串联的第三电阻和第四电阻， 当直流电压输出端的电压为(ν_+Λν)时，通过所述第三电阻和第四电阻的阻值的分压，使得所述第二分压电路的输出端的电压等于第二电压比较器的高比较电压， 当直流电压输出端的电压为(VP+AV)时，通过所述第三电阻和第四电阻的分压，使得所述第二分压电路的输出端的电压等于第二电压比较器的低比较电压， 其中，Vait为直流电压输出端的额定电压，Vp为所述钽电容阵列保护电路的输出电压，Vp的取值范围为9% Vtxit和11% V0ut之间，AV为电压偏差，其取值范围为I % Vtxit和2% VQut 之间。 所述直流电压输入端的电压范围为直流电压输出端的额定电压Vtxit和Vtxith之间，其中， V0uth为所述MOS管阵列的最大输入电压和所述钽电容阵列的最大输入电压中的最小值。 与现有技术相比，本技术的技术方案包括包括:由至少两个MOS管并联组成的MOS管阵列、由若干钽电容并联组成的钽电容阵列、和第一过压保护电路，其中，MOS管阵列的电压输入端作为直流电压输入端，MOS管阵列的电压输出端连接到钽电容阵列的两端，MOS管阵列的控制输入端连接到第一过压保护电路的输出端，MOS管阵列在控制输入端信号的控制下导通或关闭；钽电容阵列两端作为直流电压输出端；用于实现稳压和过压保护的第一过压保护电路，其两个输入端分别连接到直流电压输出端和第一电压输入端。通过本技术提供的技术方案，一方面，其采用MOS管阵列和第一过压保护电路配合的方式实现稳压，支持较宽的直流电压输入范围，从而很好的适应直流电压输入端的电压波动大的情况，更有效地抑制了过压问题的出现；另一方面，本技术高压稳压控制电路具有过压保护电路，当出现直流电压输入端的电压过压时，提供过压保护，有效避免了直流电压输出超出额定电压的高压可能导致的核磁共振测井仪中的器件的烧毁，很好地满足了对核磁共振测井仪高压稳压控制的电压输入范围宽、过压保护、高稳定性的电路的需求。 进一步地，本技术提供的技术方案还将直流电压输出端的负端作为第一过压保护电路的地线，即在第一过压保护电路中采用浮地设计。这种浮本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种核磁共振测井仪高压稳压控制电路，其特征在于，包括：由至少两个MOS管并联组成的MOS管阵列、由若干钽电容并联组成的钽电容阵列、和用于实现稳压和过压保护的第一过压保护电路，其中， 所述MOS管阵列的电压输入端作为直流电压输入端，所述MOS管阵列的电压输出端连接到钽电容阵列的两端，所述MOS管阵列的控制输入端连接到第一过压保护电路的输出端，所述MOS管阵列在控制输入端信号的控制下导通或关闭； 所述钽电容阵列两端作为直流电压输出端； 所述第一过压保护电路的两个输入端分别连接到直流电压输出端和第一电压输入端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张嘉伟，
申请(专利权)人：中国海洋石油总公司，中海油田服务股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11