磁记录介质及磁存储装置制造方法及图纸

技术编号:11036859 阅读:209 留言:0更新日期:2015-02-11 21:04
一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质,其特征在于,具有:基板;多个衬底层,其形成在所述基板上;以及磁性层,其以具有L10结构的合金为主成分,所述多个衬底层至少包括第一衬底层,其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,并且含有选自W、Mo的一种以上的元素,以及第二衬底层,其含有MgO,所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。

【技术实现步骤摘要】
磁记录介质及磁存储装置
本专利技术涉及一种磁记录介质及磁存储装置。
技术介绍
近些年,对于硬盘驱动器HDD的大容量化的需求日益增强。作为满足该需要的手 段,提出了一种热辅助记录方式,其利用搭载有激光光源的磁头对磁记录介质进行加热并 进行记录。在热辅助记录方式中,由于可通过对磁记录介质进行加热而大幅降低矫顽力,因 此对于记录介质的磁性层可以使用晶体磁各向异性常数Ku高的材料。因此,能够仍维持热 稳定性的同时使磁性粒径的细小化成为可能,并实现lTbit/inch 2级的面密度。 另外,作为下一代记录方式而被关注的其他的技术,还有一种微波辅助磁记录方 式。微波辅助磁记录方式是对磁记录介质的磁性层照射微波而使磁化方向从易磁化轴倾 斜,使磁性层的磁化局部地反转来记录磁信息的方式。 与热辅助磁记录方式相同,在微波辅助磁记录方式中,作为磁性层的材料,可以使 用由具有LL型结晶结构的合金所构成的高Ku磁性材料。 作为高Ku磁性材料,提出了 L1。型FePt合金、L1。型CoPt合金、仏型CoPt合金 等规则合金等。另外,在磁性层中,为了将由上述规则合金构成的结晶粒隔断,作为晶界相 材料添加有Si02、Ti02等氧化物、或C、BN等。通过使其成为利用晶界相来分离磁性磁晶粒 的粒状结构,从而能够降低磁粒子间的交换耦合,并能够实现高介质SN比。 近些年,有需求进一步的高记录密度化,为了提高记录密度,关于最佳的衬底层 (基底层)的结构进行了研究。 作为进一步提高记录密度的方法,例如可举出设成垂直磁各向异性高的磁记录介 质的方法。并且,作为设成垂直磁各向异性高的磁记录介质的方法,可举出使磁性层中的 匕^型规则合金取得良好的(001)取向的方法。对于磁性层的取向,由于可以通过衬底层来 控制,因此通过使用适当的衬底层,能够使以^型规则合金取得良好的(001)取向。 在专利文献1中记载了通过在以(100)的结晶面平行于基板的方式而被控制的衬 底层上形成L10型FePt合金而使该FePt合金取得(001)取向,其中该衬底层以MgO等为 主成分。 另外,作为进一步提高记录密度的其他的方法,可举出缩小磁性层的粒径的方法, 此时,需要一种具有即便使磁性层的磁性粒子的粒径微小化也可维持热稳定性的型晶 体结构的合金。 例如,在专利文献2中记载了通过在由以Cr为主成分且含有Ti等的BCC结构的 合金所构成的衬底层中添加B、Si、C,从而能够降低磁性层的磁耦合,并减小簇尺寸。 〈现有技术文献〉 〈专利文献〉 专利文献1 :(日本)特开平11-353648号公报 专利文献2 :国际公布第2011/021652号
技术实现思路
〈本专利技术所要解决的技术问题〉 然而,当使用上述专利文献1、2所公开的衬底层时,有时会在衬底层之间、衬底层 与磁性层之间发生应力剥离,因此存在耐腐蚀性不足、可靠性低的问题。 鉴于上述现有技术中存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种耐腐蚀性高的磁记 录介质。 〈用于解决技术问题的方案〉 本专利技术提供一种磁记录介质,其特征在于,具有:基板;多个衬底层,其形成在所 述基板上;以及磁性层,其以具有LL结构的合金为主成分,所述多个衬底层至少包括第一 衬底层,其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,并且含有选自W、Mo的一种以上的元 素,以及第二衬底层,其含有MgO,所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。 〈专利技术的效果〉 根据本专利技术,能够提供一种耐腐蚀性高的磁记录介质。 【附图说明】 图1是本专利技术的第2实施方式的磁存储装置的结构图。 图2是本专利技术的第2实施方式的磁头的结构图。 图3是实施例1中制作的热辅助磁记录介质的层结构的剖面示意图。 图4是实施例2中制作的热辅助磁记录介质的层结构的剖面示意图。 符号说明 101、212磁记录介质 100磁存储装置 301、401 基板 304、404第三衬底层 305、405 第一衬底层 3〇6、406 第二衬底层 307、407 磁性层 【具体实施方式】 以下,对本专利技术的实施方式进行说明,本专利技术并不限定于以下实施方式,在不脱离 本专利技术的范围的情况下,可对以下实施方式施加各种变形及置换。 〈第1实施方式〉 对本实施方式的磁记录介质的结构例子进行说明。 本实施方式的磁记录介质具有基板、形成在基板上的多个衬底层、以及以具有LL 结构的合金为主成分的磁性层。 并且,多个衬底层至少包括第一衬底层、以及第二衬底层。 在此,第一衬底层可含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,并且含有选自W、Mo 的一种以上的元素。 第二衬底层可由含有MgO的层构成。 第一衬底层和第二衬底层连续积层。换言之,第一衬底层和第二衬底层可以接触 地设置。 以下,对本实施方式的磁记录介质中所包括的各部件进行说明。 首先,作为基板并无特别的限定,例如优选使用具有非晶质、或微晶体结构的耐热 玻璃基板。对于本实施方式的磁记录介质,由于有时会在磁性层形成时进行400°C以上的 基板加热,因此作为基板当使用耐热玻璃基板时,优选使用玻璃转变温度为400°C以上的材 质。 接着,对多个衬底层进行说明。 多个衬底层中至少包括第一衬底层和第二衬底层,第一衬底层和第二衬底层优选 连续积层的多层结构。 对第一衬底层进行说明。 第一衬底层含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,并且含有选自W、Mo的一种 以上的元素。 此时,第一衬底层例如可由含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,并且含有选 自W、Mo的一种以上的元素的合金构成。具体来说,第一衬底层例如可由W-Ta-Ti、W-Ta-V、 W-Nb-Ti、W-Nb-V、W-Ti-V、Mo-Ta-Ti、Mo-Ta-V、Mo-Nb-Ti、Mo-Nb-V、Mo-Ti-V 等合金构成。 另外,优选含有20原子%以上80原子%以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,更优 选含有30原子%以上70原子%以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素。此时,第一 衬底层的晶格常数例如可以设为从〇? 304nm(M〇-70原子% V时)到0? 329nm(W-70原子% Ta时)的范围。 另外,优选第一衬底层还含有选自 B、Si、C、B203、Si02、Cr20 3、A1203、Ta205、Nb 205、 Zr02、Y203、Ce0 2、MnO、Ti02、TiO、ZnO、La203、NiO、FeO、CoO的一种以上的物质。通过含有上 述物质,能够改善第一衬底层的晶体粒子尺寸和分散度。因此,能够提高磁性层的例子分散 度,与未添加该物质的情况相比,能够提高磁记录介质的矫顽力,并能够进一步提高介质SN 比。 对第二衬底层进行说明。第二衬底层可由含有MgO的层构成,特别优选由MgO构 成。第二衬底层优选在(100)取向的第一衬底层上外延生长。此时,第一衬底层的(100) 面的〈11〇>方向与MgO的(100)面的〈100>方向平行。因此,如果设第一衬底层的晶格常本文档来自技高网
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磁记录介质及磁存储装置

【技术保护点】
一种磁记录介质,其特征在于,具有:基板;多个衬底层,其形成在所述基板上;以及磁性层,其以具有L10结构的合金为主成分,所述多个衬底层至少包括第一衬底层,其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,并且含有选自W、Mo的一种以上的元素,以及第二衬底层,其含有MgO,所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。

【技术特征摘要】
2013.07.31 JP 2013-1590991. 一种磁记录介质,其特征在于,具有: 基板; 多个衬底层,其形成在所述基板上;W及 磁性层,其W具有L1。结构的合金为主成分, 所述多个衬底层至少包括 第一衬底层,其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种W上的元素,并且含有选自W、Mo的一种 W上的元素,W及 第二衬底层,其含有MgO, 所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。2. 根据权利要求1所述的磁记录介质,其中, 所述多个衬底层还包括第H衬底层,所述第H衬底层含有具有BCC结构的金属, 所述第一衬底层形成在所述第H衬底层上。3. 根据权利要求2所述的磁记录介质,其中,所述第H衬底层含有具有BCC结构的选 自W、Mo的金属、或者具有BCC结构的选自W W为主成分的合金及W Mo为主成分的合金的 A今 口亟〇4. 根据权利要求1至3中任一项所述的磁记录介质,其中,所述第一衬底层含有30原 子%^上70原子%^下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种W上的元素。5. 根据权利要求1至4中任一项所述的磁记录介质,其中,所述第一衬底层还含有选 自 B、Si、C、B2O3、Si〇2、化2〇3、AI2O3、化2〇5、佩2〇5、Zr〇2、Y2O3、Ce〇2、MnO、Ti〇2、TiO、化0、La2〇3、 NiO、化0、C〇0的一种W上的物质。6. 根据权利要求1至5中任一项所述的磁记录介质,其中, 所述磁性层W具有L1。结构的化Pt合金或具有11。结构的CoPt合金为主成分,并且含 有选自 Si〇2、Ti〇2、化2〇3、AI2O3、化2〇5、Zr〇2、Y2O3、Ce〇2、MnO、TiO、化0、C、B、B2O3、BN 的至少 一种物质。7. -种磁...

【专利技术属性】
技术研发人员:张磊神边哲也村上雄二丹羽和也
申请(专利权)人:昭和电工株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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