本发明专利技术提供一种可降低被包含在磁性层中且具有L10结构的合金晶粒的有序度，且可提高SN比的磁记录介质。该磁记录介质，具有：基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有L10结构的合金作为主要成份磁性层；所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层；该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有1mol％～20mol％范围的从Si、C选择的一种以上的元素、或者1vol％～50vol％范围的氧化物；该含有Mo的底层和该磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种可降低被包含在磁性层中且具有L10结构的合金晶粒的有序度，且可提高SN比的磁记录介质。该磁记录介质，具有：基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有L10结构的合金作为主要成份磁性层；所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层；该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有1mol％～20mol％范围的从Si、C选择的一种以上的元素、或者1vol％～50vol％范围的氧化物；该含有Mo的底层和该磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。【专利说明】磁记录介质和磁存储装置
本专利技术涉及一种磁记录介质和磁存储装置。
技术介绍
近年，对硬盘驱动器HDD的大容量化的要求日益提高。作为满足该要求的手段，已 经提出了用安装激光光源的磁头加热磁记录介质并进行记录的热辅助记录方式。 在热辅助记录中，通过加热磁记录介质可大幅度降低保磁力，因此在记录介质的 磁性层可以使用结晶磁气异方性常数Ku较高的材料。藉此，在维持热稳定性的同时可进行 磁性粒径的微细化，并可实现lTbit/inch 2级别的面密度。作为高Ku磁性材料，提出了 L1。 型FePt合金、LL型CoPt合金、LI型CoPt合金等的有序合金等。 另外，在磁性层为了隔离（isolate)由上述有序合金所组成的结晶粒，添加作为 粒界相材料（grain boundary phase material)的Si02、Ti02等氧化物或者C、BN等。构 成磁性结晶粒由粒界相被分离的粒状结构，藉此可降低磁性颗粒间的交换结合（耦合），并 可实现较高的介质SN比（Signal-to-Noise ratio)。 非专利文件1中记载有，通过向FePt添加38%的Si02，可将磁性粒径降低至5nm 的内容。且，同文献中还记载有，通过将Si0 2的添加量增加至50%，可将粒径降低至2. 9nm 的内容。 另外，为获得具有高垂直磁气异方性的热辅助磁记录介质，在磁性层的型有序 合金中形成良好的（〇〇1)配向较好。磁性层的配向可通过底层进行控制，为实现该目的有 必要使用适当的底层。 关于底层，例如专利文件1中记载有，通过使用MgO底层的方式，LL型FePt磁性 层示出良好的（〇〇1)配向的方法。 另外，专利文件2中记载有，通过在具有Cr 一 Ti 一 B合金等BBC结构的结晶粒径 控制层上形成作为结晶配向性控制兼低热传导中间层的MgO层的方式，LL型FePt磁性层 示出更好的（001)配向的方法。 专利文献3的实施例2. 3中公开有作为底层使用Mo - 5at % Mo/Cr的例子。 但是，在使用上述热辅助磁记录介质的热辅助磁记忆装置时，为实现更高的介质 SN比，要求在热辅助磁记录介质中进行磁性结晶粒的微细化的同时充分地降低磁性结晶粒 之间的交换结合。作为实现该目的的方法，如上所述向磁性层添加Si02或者C等粒界相材 料的方法较为有效。 另外，作为新时代的记录方法引起关注的其他技术有微波辅助磁记录方式。微波 辅助磁记录方式是，向磁记录介质的磁性层照射微波使磁化方向从易磁化轴倾斜，使磁性 层的局部磁化反转藉此记录磁性信息的方式。 在微波辅助磁记录方式中，与热辅助记录方式相同，作为磁性层的材料，也可以使 用由具有LL型结晶结构的合金组成的高Ku材料。为进一步提高记录密度必须将磁性层 的粒径减小。因此，在微波辅助磁记录方式中，即使进行磁性颗粒的粒径微细化，也有必要 使用可维持热稳定性且由具有LL型结晶结构的合金组成的磁记录介质。 特开平11 一 353648号公报 特开2009 - 158054号公报 特开2012 - 48792号公报 J. Appl. Phys. 104, 023904 (2008)
技术实现思路
但是，作为磁存储装置时为获得充分的介质SN比添加多量的粒界相材料，会有被 包含于磁性层且具有结构的合金结晶粒（下面也称「磁性层结晶粒」），例如FePt合金 结晶粒的有序度退化，Ku降低的问题。 本专利技术是鉴于上述现有技术中的问题而提出的，其目的在于，提供一种不会使被 包含于磁性层且具有LL结构的合金结晶粒的有序度退化，并可提高作为磁存储装置时的 介质SN比的热辅助磁记录介质、及微波热辅助磁记录介质。 本专利技术通过下述结构实现上述目的。 (1) -种磁记录介质，具有：基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有LL结构 的合金作为主要成份的磁性层；其中：所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底 层；该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有lmol %?20mol %范围的从Si、C 选择的一种以上元素、或者lvol%?50vol%范围的氧化物；该含有Mo的底层和该磁性层 之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。 (2)如上述⑴的磁记录介质，其中：被包含于所述含有Mo的结晶质底层内的氧 化物为从由 B203、Si02、Cr203、A1 203、Ta205、Nb20 5、Zr02、Y203、Ce02、MnO、Ti0 2、TiO、ZnO、La203、 NiO、FeO、CoO组成的群中选出的一种以上。 (3)如上述⑴或⑵所述的磁记录介质，其中：所述含有Mo的底层形成在Cr或 者以Cr作为主要成分的BCC结构的配向控制底层、或者有B2结构的配向控制底层上。 (4)如上述⑴或⑵所述的磁记录介质，其中：所述具有NaCl型结构的障碍层 含有从由 MgO、TiO、NiO、TiN、TiC、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC 组成的群中选出的一 种以上的化合物。 (5)如上述⑴或⑵所述的磁记录介质，其中：所述磁性层将具有LL结构的 FePt合金或者CoPt合金作为主要成份，且含有从由Si0 2、Ti02、Cr203、A120 3、Ta205、Zr02、 Y20 3、Ce02、MnO、TiO、ZnO、B203、C、B、BN组成的群中选出的一种以上的物质。 (6) -种磁存储装置，具有上述（1)?（5)中的任意一项所述的磁记录介质。 本专利技术不会使被包含于磁性层且具有LL结构的合金结晶粒的有序度退化，且可 以提高磁记录介质的SN比，因此可以提供高记录密度的磁存储装置。 附图概述 本专利技术第2实施方式的磁记录装置的结构图。 本专利技术第2实施方式的磁头的结构图。 在实施例1中制作的热辅助磁记录介质的层结构的截面图。 在实施例2中制作的热辅助磁记录介质的层结构的截面图。 在实施例5中制作的热辅助磁记录介质的层结构的截面图。 100 热辅助磁存储装置 101 热辅助磁记录介质驱动部 102 磁头 103 磁头驱动部 104 信号记录再生处理系统 201 主磁极 202 辅助磁极 203 线圈 204 激光二极管 205 激光 206 近接场光发生元件 207 导波路 208 记录头 209 保护部（shield) 210 再生元件 211 再生头 212 热辅助磁记录介质 301 玻璃基板 302本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个底层，形成在所述基板上；及磁性层，将具有L10结构的合金作为主要成份；其中：所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层；所述含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有1mol％～20mol％范围的从Si、C选择的一种以上元素、或者1vol％～50vol％范围的氧化物；所述含有Mo的底层和所述磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，神边哲也，村上雄二，丹羽和也，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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