【技术实现步骤摘要】
混合闭环/开环磁电流传感器相关申请案交叉参考本申请案主张2013年8月7日申请且标题为“混合闭环/开环磁电流传感器(HYBRIDCLOSED-LOOP/OPEN-LOOPMAGNETICCURRENTSENSOR)”的第61/863,294号美国临时专利申请案的优先权及权益,所述临时申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及电流传感器,且更特定来说涉及闭环非接触电流感测系统。
技术介绍
在多种应用中采用无接触电流感测来安全地测量电流,特别是测量高电流电平。开环电流感测提供具成本效益的解决方案,其中由穿过电导体的电流产生的磁场集中在磁芯内部且磁传感器测量所述场并提供用于估计所述电流的输出信号。开环方法通常消耗很少电力,且可使用低敏感度传感器来测量高电流。然而,开环方法遭受不良准确度,这通常归因于芯及/或传感器的非线性度。可借助环绕电导体的磁芯来采用闭环电流感测技术,其中次级绕组或补偿线圈提供于芯上且由传感器驱动直到所述芯内的磁通量是零为止。测量此时的次级电流,且其通常与在所关注电导体中流动的初级电流成比例。闭环方法与开环技术相比通常提供经改进的准确度,且因此在使用电流测量来调节主机系统性能的应用或电力计量应用中为优选的。然而,闭环电流感测通常限制于补偿线圈驱动器电路的能力,且适应高的所感测电流范围为昂贵的且消耗显著量的电力。因此,闭环技术对于某些高电流感测应用来说并不经济,而开环技术在标称或预期电流电平下可能不能提供所需水平的电流感测准确度。此外,某些电流感测应用需要冗余度及/或自测试能力来确保正确的测量,但两个或两个以上并联电流传感器的提供显 ...
【技术保护点】
一种用于感测在导体中流动的电流的设备,其包括:集成电路结构,其具有第一侧;第一电流感测电路,其包含:第一磁传感器,其形成为所述集成电路结构的部分且操作以根据沿大体平行于所述集成电路结构的所述第一侧的第一方向的磁场提供第一磁传感器输出信号,驱动器电路,其操作以至少部分地根据所述第一磁传感器输出信号在闭环磁路中提供补偿信号以驱动补偿线圈来激励受在所述导体中流动的所述电流的磁影响的芯结构,及补偿感测电路,其形成为所述集成电路结构的部分且操作以至少部分地根据来自所述驱动器电路的所述补偿信号提供第一电流传感器信号;第二电流感测电路,其包含形成为所述集成电路结构的部分的第二磁传感器且操作以至少部分地根据沿所述第一方向的所述磁场提供第二电流传感器信号;及输出电路,其操作以至少部分地根据所述第一电流传感器信号及所述第二电流传感器信号中的至少一者提供表示在所述导体中流动的所述电流的至少一个输出信号。
【技术特征摘要】
2013.08.07 US 61/863,294;2014.02.28 US 14/193,0231.一种用于感测在导体中流动的电流的设备,其包括:集成电路结构,其具有第一侧;第一电流感测电路,其包含:第一磁传感器,其形成为所述集成电路结构的部分且操作以根据沿大体平行于所述集成电路结构的所述第一侧的第一方向的磁场提供第一磁传感器输出信号,驱动器电路,其操作以至少部分地根据所述第一磁传感器输出信号在闭环磁路中提供补偿信号以驱动补偿线圈来激励受在所述导体中流动的所述电流的磁影响的芯结构,及补偿感测电路,其形成为所述集成电路结构的部分且操作以至少部分地根据来自所述驱动器电路的所述补偿信号提供第一电流传感器信号;第二电流感测电路,其包含形成为所述集成电路结构的部分的第二磁传感器且操作以至少部分地根据沿所述第一方向的所述磁场提供第二电流传感器信号;及输出电路,其操作以至少部分地根据所述第一电流传感器信号及所述第二电流传感器信号中的至少一者提供表示在所述导体中流动的所述电流的至少一个输出信号。2.根据权利要求1所述的设备,其中所述驱动器电路在于所述导体中流动的所述电流的第一电流范围的至少一部分内在第一模式中操作以提供处于表示在所述导体中流动的所述电流的电平的所述补偿信号以将所述闭环磁路中的通量密度调节为恒定水平。3.根据权利要求2所述的设备,其中所述驱动器电路在于所述导体中流动的所述电流的第二电流范围内在第二模式中操作以中断提供所述补偿信号,且其中所述第二电流范围的最大值在所述第一电流范围之外。4.根据权利要求3所述的设备,其中所述第二电流传感器信号表示在于所述导体中流动的所述电流的第二电流范围内沿所述第一方向的所述磁场,其中所述第二电流范围的最大值在所述第一电流范围之外,且其中所述输出电路操作以在所述第一电流范围内基于所述第一电流传感器信号而提供所述至少一个输出信号且在所述第二电流范围的至少一部分内基于所述第二电流传感器信号而提供所述至少一个输出信号。5.根据权利要求2所述的设备,其中所述驱动器电路在于所述导体中流动的所述电流的第二电流范围内在第二模式中操作以提供处于恒定电平的所述补偿信号,且其中所述第二电流范围的最大值在所述第一电流范围之外。6.根据权利要求2所述的设备,其中所述第二电流传感器信号表示在于所述导体中流动的所述电流的第二电流范围内沿所述第一方向的所述磁场,且其中所述第二电流范围的最大值在所述第一电流范围之外。7.根据权利要求2所述的设备,其中所述输出电路操作以提供表示所述第一电流传感器信号的第一输出信号且提供表示所述第二电流传感器信号的第二输出信号。8.根据权利要求2所述的设备,其中所述输出电路操作以将所述至少一个输出信号提供为所述第一电流传感器信号与所述第二电流传感器信号的和。9.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一磁传感器为磁通门传感器。10.根据权利要求9所述的设备,其中所述第二磁传感器为霍尔传感器。11.根据权利要求2所述的设备,其中所述第二磁传感器为霍尔传感器。12.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一磁传感器为磁通门传感器。13.根据权利要求12所述的设备,其中所述第二磁传感器为霍尔传感器。14.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二磁传感器为霍尔传感器。15.根据权利要求1所述的设备,其包括逻辑电路,所述逻辑电路操作以将所述第一磁传感器输出信号及所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:马蒂杰·弗里杜斯·斯诺埃,薇奥拉·谢弗,
申请(专利权)人:德州仪器德国股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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