线性溅射源分段供气系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种线性溅射源分段供气系统，包括一路磁控溅射工艺工作气体管路、多路磁控溅射工艺反应气体管路、分段供气装置，一路所述磁控溅射工艺工作气体管路、多路所述磁控溅射工艺反应气体管路和所述分段供气装置上均设置有质量流量计和截止阀。本实用新型专利技术提供了一种线性溅射源分段供气系统，解决工作气体和多种反应气体混气和供气的问题；解决混气后供气的流量的实时控制问题；解决与工艺抽气系统设计相适应的工艺供气系统气场分布设计；解决与多种磁控溅射工艺(中频反应磁控溅射、直流磁控溅射和射频磁控溅射等)相适合的问题；实现大批量稳定连续生产。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种线性溅射源分段供气系统，包括一路磁控溅射工艺工作气体管路、多路磁控溅射工艺反应气体管路、分段供气装置，一路所述磁控溅射工艺工作气体管路、多路所述磁控溅射工艺反应气体管路和所述分段供气装置上均设置有质量流量计和截止阀。本技术提供了一种线性溅射源分段供气系统，解决工作气体和多种反应气体混气和供气的问题；解决混气后供气的流量的实时控制问题；解决与工艺抽气系统设计相适应的工艺供气系统气场分布设计；解决与多种磁控溅射工艺(中频反应磁控溅射、直流磁控溅射和射频磁控溅射等)相适合的问题；实现大批量稳定连续生产。【专利说明】线性溅射源分段供气系统
本技术涉及一种大面积磁控溅射镀膜系统，尤其涉及一种线性溅射源分段供气系统。
技术介绍
大面积磁控溅射镀膜技术广泛用于建筑、电子、光电、光学、太阳能、装饰和半导体等高新技术行业，成为生产低辐射膜玻璃(Low-Ε膜玻璃)、阳光控制玻璃、绝缘硅膜、光电显示氧化氧化铟锡(ITO)透明导电膜、硅基太阳能电池和铜铟镓硒太阳能电池掺铝氧化锌(AZO)透明导电膜、氧化锌(ZnO)透明导电膜、大面积铝镜和大面积彩镜等产品的生产关键技术，在实际的生产控制方面镀膜厚度的均匀性是决定产品性能和生产产能的关键因素，而在大面积磁控溅射沉积膜层厚度均匀性的影响因数中工作气体和反应气体供气均匀性是一个关键的因数，因此调整工作气体和反应气体的供气均匀性并进行可调整控制是调整膜层厚度均匀性的有效手段。 现有的大面积连续磁控溅射镀膜生产线的镀膜供气系统都是单一的混合进气，并不能实现局部的进气量调整，尤其在大面积线性磁控溅射阴极上(超过2.4米)，阴极平行线上工艺气体的均匀性就成为了决定产品质量和产能的决定性因素，因此实现溅射工艺实施中工作气体和工艺气体均匀性的实时控制成为了生产中必须解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种线性溅射源分段供气系统。 本技术通过以下技术方案来实现上述目的: 线性溅射源分段供气系统，包括一路磁控溅射工艺工作气体管路、多路磁控溅射工艺反应气体管路、分段供气装置，一路所述磁控溅射工艺工作气体管路、多路所述磁控溅射工艺反应气体管路和所述分段供气装置上均设置有质量流量计和截止阀。 具体地，所述多管路进气单路出气均气混气罐包含多个进气管、挡气板、单出气管和混气罐体。 进一步地，所述磁控溅射工艺工作气体管路中的磁控溅射工艺工作气体为氦气(He)、氩气(Ar)或氖气(Ne)。 进一步地，所述磁控溅射工艺反应气体管路中的磁控溅射工艺反应气体为氢气(H2)、硼烷(B2H6)、(H2B、)乙炔(C2H2)、氮气(N2)、氧气(02)、硫化氢(H2S)、硒化氢(H2Se)。 本技术的有益效果在于: 本技术提供了线性溅射源分段供气系统，解决工作气体和多种反应气体混气和供气的问题；解决混气后供气的流量的实时控制问题；解决与工艺抽气系统设计相适应的工艺供气系统气场分布设计；解决与多种磁控溅射工艺(中频反应磁控溅射、直流磁控溅射和射频磁控溅射等)相适合的问题；实现大批量稳定连续生产。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术线性溅射源分段供气系统的结构示意图。 图中:1-质量流量计，2-截止阀，3-混气罐体，4-真空腔体，5-挡气板。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术作进一步说明: 如图1所示，本技术线性溅射源分段供气系统，包括一路磁控溅射工艺工作气体管路、多路磁控溅射工艺反应气体管路、分段供气装置，一路磁控溅射工艺工作气体管路、多路磁控溅射工艺反应气体管路和分段供气装置上均设置有质量流量计I和截止阀2。多管路进气单路出气均气混气罐包含多个进气管、挡气板5、单出气管和混气罐体3。 磁控溅射工艺工作气体管路中的磁控溅射工艺工作气体为氦气(He)、氩气(Ar)或氖气(Ne);磁控溅射工艺反应气体管路中的磁控溅射工艺反应气体为氢气(H2)、硼烷(B2H6)、(H2B、)乙炔(C2H2)、氮气(N2)、氧气(02)、硫化氢(H2S)、硒化氢(H2Se)。 分段供气系统为磁控溅射均气供气管，可根据磁控溅射抽气系统的设计需要分成多段，也可以配合磁控溅射工艺需要分成多段。 本技术适合采用在中频反应磁控溅射镀膜系统、单阴极直流磁控溅射镀膜系统、双阴极直流磁控溅射镀膜系统和射频磁控溅射镀膜系统。 上面的实施例仅仅是对本技术的优选实施方式进行描述，并非对本技术的范围进行限定，在不脱离本技术设计精神前提下，本领域普通工程技术人员对本技术技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本技术的权利要求书确定的保护范围内。【权利要求】1.线性溅射源分段供气系统，其特征在于:包括一路磁控溅射工艺工作气体管路、多路磁控溅射工艺反应气体管路、分段供气装置，一路所述磁控溅射工艺工作气体管路、多路所述磁控溅射工艺反应气体管路和所述分段供气装置上均设置有质量流量计和截止阀。【文档编号】C23C14/35GK204151409SQ201420253841【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年5月19日 优先权日:2014年5月19日 【专利技术者】郭爱云 申请人:红安华州光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
线性溅射源分段供气系统，其特征在于：包括一路磁控溅射工艺工作气体管路、多路磁控溅射工艺反应气体管路、分段供气装置，一路所述磁控溅射工艺工作气体管路、多路所述磁控溅射工艺反应气体管路和所述分段供气装置上均设置有质量流量计和截止阀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭爱云，
申请(专利权)人：红安华州光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42