一种用于延长准分子激光器激光工作气体寿命的气体管理方法技术

本发明专利技术提供一种用于延长准分子激光器激光工作气体寿命的气体管理方法，准分子激光器工作期间由于激光腔内卤素气体含量的减少和杂质含量的增加，激光器输出脉冲能量不断下降。通过激光腔内部分置换激光工作气体方式，可以有效补充激光腔内消耗的卤素气体，同时阻止杂质的积累。气体管理方法通过分析部分换气前后激光腔内卤素气体含量及杂质含量的变化，控制部分换气剂量和卤素气体注入剂量，使得每次部分换气后激光腔内卤素气体含量和杂质含量保持不变，维持恒脉冲能量输出模式下工作的准分子激光器在一定工作电压变化范围内或者恒工作电压模式下工作的准分子激光器在一定脉冲能量变化范围内长时间不间断工作。本发明专利技术能够有效延长准分子激光器工作气体寿命，提高准分子激光器工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于延长准分子激光器激光工作气体寿命的气体管理方法
本专利技术属于准分子激光
，特别涉及一种用于延长准分子激光器激光工作气体寿命的气体管理方法。
技术介绍
准分子激光器广泛应用于工业、医疗和科研领域，特别是在半导体光刻工艺领域，作为光刻用光源的准分子激光器是光刻系统的关键设备。目前半导体光刻设备所使用的激光光源主要为ArF(193nm)和KrF(248nm)准分子激光器。光刻用准分子激光器存在气体寿命问题，随着工作脉冲数量的增加，恒电压模式下工作的准分子激光器输出脉冲能量不断下降，恒脉冲能量输出模式下工作的准分子激光器工作电压逐渐升高，主要原因在于激光腔内的氟气容易与腔内其他物质反应形成杂质，导致氟气浓度逐渐降低，同时激光腔内杂质含量不断积累。因此，传统的准分子激光器工作模式为工作一段时间后在停机状态下进行完全换气，这将降低光刻设备的使用效率。气体管理技术能够有效延长激光气体工作寿命、减少激光器完全换气次数，提高光刻设备的生产效率，是准分子激光技术的重要组成部分。早期的准分子激光器气体管理方法主要通过向激光腔内注入适量的F2气，补偿准分子激光器工作中消耗的F2气，达到延长激光气体工作寿命的目的。例如，美国专利US6028880“automaticfluorinecontrolsystem”和US6963595“automaticgascontrolsystemforagasdischargelaser”，利用准分子激光器工作电压、能量、线宽等参数与F2气浓度的变化关系，提出了一种气体管理算法SSI(SlopeSeekingInjection)估算激光腔内F2气的消耗剂量，通过控制气体管理装置向激光腔内注入相同剂量的F2气，延长激光气体工作寿命。该方法的缺点是没有考虑到激光腔内杂质的积累同样会导致准分子激光器输出脉冲能量的减小，降低激光器工作效率，激光气体工作寿命通常为百兆个激光脉冲。后来的准分子激光器气体管理方法提出了部分换气的方式减少激光腔内杂质的积累。例如，美国专利US7835414“lasergasinjectionsystem”，采用微量补气和部分换气相结合的方式，补偿激光腔内消耗的F2气以及减少杂质的积累。其中，部分换气是在一定周期或者一定的激光脉冲数下，按照一定比例更换激光腔内的激光气体，达到延长激光气体工作寿命的目的。该方法的缺点是不能长期有效地控制激光腔内杂质的积累，激光气体工作寿命能够达到十亿个激光脉冲。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题为：克服现有技术的不足，提供一种用于延长准分子激光器激光工作气体寿命的气体管理方法，该方法通过控制部分换气剂量和F2气注入剂量，使得每次部分换气后激光腔内F2气含量和杂质含量保持不变，维持恒脉冲能量输出模式下的准分子激光器在一定电压变化范围内，或者恒电压模式下的准分子激光器在一定脉冲能量变化范围内长时间不间断工作，有效延长准分子激光器激光工作气体寿命，提高激光器工作效率。本专利技术解决上述技术问题采用的技术方案为：一种用于延长准分子激光器激光工作气体寿命的气体管理方法，在恒脉冲能量输出模式或者恒工作电压模式下准分子激光器工作期间，通过分析部分置换激光工作气体前后激光腔内卤素气体含量及杂质含量的变化，控制部分换气剂量和卤素气体注入剂量，使得每次部分换气后激光腔内卤素气体含量和杂质含量保持不变，维持准分子激光器在一定电压变化范围内或者一定脉冲能量变化范围内长时间不间断工作。所述恒脉冲能量输出模式下的准分子激光器工作电压由V0上升至V1；或者恒工作电压模式下的准分子激光器输出脉冲能量由E0下降至E1，激光腔内卤素气体F2气含量由初始含量F′0变为F′1，杂质含量由0变为C1；对准分子激光器进行第一次部分换气，换气百分比为α，F2气注入剂量为△F″1。所述恒脉冲能量输出模式下的准分子激光器第一次部分换气后，工作电压下降至V2，随着工作脉冲数的增加，准分子激光器工作电压再次上升至V1；或者恒工作电压模式下的准分子激光器第一次部分换气后，输出脉冲能量上升至E2，随着工作脉冲数的增加，准分子激光器输出脉冲能量由E2下降至E1；此时，激光腔内卤素气体F2气含量变为F′2，杂质含量变为C2。根据理论计算可知，若第一次部分换气过程中F2气注入剂量△F″1＝α·F′0，则有F′1＝F′2、C1＝C2，即可保证每次部分换气后激光腔内F2气含量和杂质含量相同，恒脉冲能量输出模式下的准分子激光器维持在工作电压V2～V1变化范围内工作，恒工作电压模式下的准分子激光器维持在脉冲能量E1～E2变化范围内工作。所述准分子激光器部分换气百分比α值越小，F2气注入剂量越小，准分子激光器工作电压或者输出脉冲能量变化范围越小，有利于准分子激光器的稳定运行；同时，考虑到部分换气过程可能对准分子激光器工作状态产生影响，部分换气百分比α的大小需根据光刻系统的实际工作要求决定。本专利技术与现有技术相比的优点在于：能够有效控制激光腔内F2气含量和杂质含量，维持恒脉冲能量输出模式下的准分子激光器在一定电压变化范围内，或者恒工作电压模式下的准分子激光器在一定能量变化范围内长时间不间断工作，更有效延长激光气体工作寿命，甚至无需完全换气，提高准分子激光器使用效率。附图说明图1为本专利技术的气体管理方法延长恒脉冲能量输出模式下准分子激光器激光工作气体寿命的原理示意图；图2为本专利技术的气体管理方法延长恒工作电压模式下准分子激光器激光工作气体寿命的原理示意图；图3为本专利技术的气体管理方法实现准分子激光器气体管理的结构示意图；图中：1为准分子激光器，2为激光器输出参数监测模块，3为电压监测模块，4为气体管理控制单元，5为气体管理方法，6为气体管理回路装置。具体实施方式下面结合附图和具体实施例进一步说明本专利技术。如图1所示，恒脉冲能量输出模式下准分子激光器的工作电压随着工作脉冲数的增加逐渐升高，当工作电压由V0上升至V1时，激光腔内F2气消耗量为△F′1，杂质含量为C1。激光腔内杂质是激光腔内消耗的F2气与其他物质反应生成，杂质含量C1与F2气消耗量△F′1成正比。此时，激光腔内F2气含量F′1和杂质含量C1可表示为：F′1＝F′0-△F′1(1)C1＝κ·△F′(2)其中，F′0为激光腔内F2气初始含量，κ为比例系数。对准分子激光器进行第一次部分换气，换气百分比为α，F2气注入剂量为△F″1。此时，激光腔内F2气含量F″1和杂质含量C′1可表示为：F″1＝(1-α)·(F′0-△F′1)+△F″1(3)C′1＝(1-α)·κ·△F′1(4)准分子激光器第一次部分换气后，工作电压再次由V2上升至V1时，激光腔内F2气消耗量为△F′2，杂质含量为C2。此时，激光腔内F2气含量F′2和杂质含量C2可表示为：F′2＝(1-α)·(F′0-△F′1)+△F″1-△F′2(5)C2＝(1-α)·κ·△F′1+κ·△F′2(6)根据公式(1)、(2)、(5)、(6)可推算出，当△F″1＝α·F′0(7)△F′2＝α·△F′1(8)则有F′1＝F′2(9)C1＝C2(10)即可保证每次部分换气后激光腔内含量F2气含量和杂质含量相同，准分子激光器维持在工作电压V2～V1变化范围内工作。准分子激光器部分换气百分比α的大小通常根据光刻系统本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于延长准分子激光器激光工作气体寿命的气体管理方法，其特征在于：在恒脉冲能量输出模式下或者在恒工作电压模式下准分子激光器工作期间，通过分析部分置换激光工作气体前后激光腔内卤素气体含量及杂质含量的变化，控制部分换气剂量和卤素气体注入剂量，使得每次部分换气后激光腔内卤素气体含量和杂质含量保持不变，维持准分子激光器在一定电压变化范围内或者一定脉冲能量变化范围内长时间不间断工作。

【技术特征摘要】
1.一种用于延长准分子激光器激光工作气体寿命的气体管理方法，其特征在于：准分子激光器在恒脉冲能量输出模式下工作电压由V0上升至V1时，激光腔内卤素气体F2气含量由初始含量F′0变为F′1，激光腔内卤素气体F2气消耗量为△F′1，杂质含量由0变为C1；对准分子激光器进行第一次部分换气，换气百分比为α，F2气注入剂量为△F″1；恒脉冲能量输出模式下的准分子激光器第一次部分换气后，工作电压下降至V2，随着工作脉冲数的增加，准分子激光器工作电压再次上升至V1时，激光腔内卤素气体F2气含量变为F′2，激光腔内卤素气体F2气消耗量变为△F′2，杂质含量变为C2；控制换气百分比α和卤素气体F2气注入剂量△F″1，使△F″1＝α×F′0，△F′2＝α×△F′1，则可保证每次部分换气后激光腔内卤素气体F2气含量和杂质含量相同，恒脉冲能量输出模式下的准分子激光器维持在工作电压V2～V1变化范围内长时间不间断工作。2.一种用于延长准分子激光器激光工作气体寿命的气体管理方法，其特征在于：准分子激光器在恒工作电压模式下输出脉冲能量由E0下降至E1时，激光腔内卤素气体F2气含量由初始含量F′...

【专利技术属性】
技术研发人员：李斌成，王强，韩艳玲，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51