本实用新型专利技术提供一种正负供电同步建立和断相保护机制电路，具有这样的特征包括：包括：第一直流电源DC1、第二直流电源DC2、第一电阻R1、第二电阻R2、稳压二极管D1、P型MOS-FET场效应管P-MOS、N型MOS-FET场效应管N-MOS、第一负载LOAD1、第二负载LOAD2。其优点在于实时检测正负两项供电回路的供电情况，在上电时，能等待正负供电同时建立完成才输出供电，在正常工作时候若有一路发生因为过载或短线原因的电压跌落也能及时关闭两项输出供电，保护后续负载电路不会缺相供电。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种正负供电同步建立和断相保护机制电路，具有这样的特征包括：包括：第一直流电源DC1、第二直流电源DC2、第一电阻R1、第二电阻R2、稳压二极管D1、P型MOS-FET场效应管P-MOS、N型MOS-FET场效应管N-MOS、第一负载LOAD1、第二负载LOAD2。其优点在于实时检测正负两项供电回路的供电情况，在上电时，能等待正负供电同时建立完成才输出供电，在正常工作时候若有一路发生因为过载或短线原因的电压跌落也能及时关闭两项输出供电，保护后续负载电路不会缺相供电。【专利说明】正负供电同步建立和断相保护机制电路
本技术涉及一种正负供电同步建立和断相保护机制电路。
技术介绍
运算放大器等诸多应用领域都需要多路正负供电电压同时建立供电，才能保证系统能够正常工作。当供电建立时间不一致时，后续的负载设备可能参数错误的工作状态，而当供电回路当中有一路供电发生断路时，后续的负载设备电路可能产生故障甚至是事故。 而传统的解决方案是每一路都设置电压监视器监视并汇总到处理器报警，虽然这种方法可以监视到电压异常，但是整体结构复杂，响应速度慢，若要实现同步上电机制，还要添加电子开关，增加成本和复杂度。
技术实现思路
本技术提供一种正负供电同步建立和断相保护机制电路，以克服上述现有技术的缺陷。 本技术提供一种正负供电同步建立和断相保护机制电路，具有这样的特征包括:包括:第一直流电源DC1、第二直流电源DC2、第一电阻R1、第二电阻R2、稳压二极管DUP型MOS-FET场效应管P-M0S、N型MOS-FET场效应管N-M0S、第一负载LOADl、第二负载L0AD2 ;第一直流电源DCl的负极与第二直流电源DC2的正极相连；第一电阻Rl的一端与第一直流电源DCl的正极相连，另一端与稳压二极管Dl的负极相连；第二电阻R2的一端与第二直流电源DC2的负极相连，另一端与稳压二极管Dl的正极相连；P型MOS-FET场效应管P-MOS的栅极与稳压二极管Dl的负极相连，源级与第一直流电源DCl的正极相连，漏极与第一负载LOADl —端连接；N型MOS-FET场效应管N-MOS的栅极与稳压二极管Dl的正极相连，源级与第二直流电源DC2的负极相连，漏极与第二负载L0AD2 —端连接；第一负载LOADl 一端与P型MOS-FET场效应管P-MOS的源级相连，另一端与第二负载L0AD2相连；第二负载L0AD2 —端与N型MOS-FET场效应管N-MOS的源级相连，另一端与第二负载L0AD2相连；第一直流电源DCl的负极还与，第一负载LOADl和第二负载L0AD2的连接处相连。 进一步，本技术提供一种正负供电同步建立和断相保护机制电路，还可以具有这样的特征:还包括第三电阻R3和第四电阻R4 ;第三电阻R3接入P型MOS-FET场效应管P-MOS的栅极与稳压二极管Dl的负极的连接处；第四电阻R4接入N型MOS-FET场效应管N-MOS的栅极与稳压二极管Dl的正极的连接处。 技术的有益效果 根据本技术所提供的一种正负供电同步建立和断相保护机制电路，使用非常少的元件就是实时检测正负两项供电回路的供电情况，在上电时，能等待正负供电同时建立完成才输出供电，在正常工作时候若有一路发生因为过载或短线原因的电压跌落也能及时关闭两项输出供电，保护后续负载电路不会缺相供电。而且正负供电同步建立和断相保护机制电路的低成本，精简的设计和高速的响应速度。 【专利附图】【附图说明】 图1为正负供电同步建立和断相保护机制电路图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对本技术做进一步的描述。 图1为正负供电同步建立和断相保护机制电路图。 如图1所示，正负供电同步建立和断相保护机制电路包括:第一直流电源DC1、第二直流电源DC2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、稳压二极管D1、P型MOS-FET场效应管P-M0S、N型MOS-FET场效应管N-M0S、第一负载L0AD1、第二负载L0AD2。 第一直流电源DCl的负极与第二直流电源DC2的正极相连。第一电阻Rl的一端与第一直流电源DCl的正极相连，另一端与稳压二极管Dl的负极相连。第二电阻R2的一端与第二直流电源DC2的负极相连，另一端与稳压二极管Dl的正极相连。 P型MOS-FET场效应管P-M0S的栅极与稳压二极管Dl的负极相连，源级与第一直流电源DCl的正极相连，漏极与第一负载LOADl —端连接。 N型MOS-FET场效应管N-MOS的栅极与稳压二极管Dl的正极相连，源级与第二直流电源DC2的负极相连，漏极与第二负载L0AD2 —端连接。 第一负载LOADl —端与P型MOS-FET场效应管P-MOS的源级相连，另一端与第二负载L0AD2相连。第二负载L0AD2 —端与N型MOS-FET场效应管N-MOS的源级相连，另一端与第二负载L0AD2相连。 第一直流电源DCl的负极还与，第一负载LOADl和第二负载L0AD2的连接处相连。 第三电阻R3接入P型MOS-FET场效应管P-M0S的栅极与稳压二极管Dl的负极的连接处。第四电阻R4接入N型MOS-FET场效应管N-MOS的栅极与稳压二极管Dl的正极的连接处。 正负供电同步建立和断相保护机制电路工作原理: 正负供电同步建立和断相保护机制电路的稳压二极管的稳压电压值要求既要大于任何一单项单电源回路的电压值，即VDl > DCl且VDl >DC2 ;同时又小于两项电源回路电压值的和，及VD < DC1+DC2。DCl和DC2正常供电时候其在Rl和R2上产生的压降至少保证大于PMOS-FET和NMOS-FET的VGSon，即两个电阻压降保证可以使得两个MOSFET导通工作。 电路工作时候:假设只有DCl有电压，DC2 = OV则因为DCl < VD1，稳压二极管处于反相截止状态，漏电流极小，在Rl上产生的压降也极小，此时VRl < VGSon, PMOS-FET处于截止状态不导通。输出两路都没有电压相反，假设只有DC2有电压，DCl =OV则因为DC2 <VD1，稳压二极管处于反相截止状态，漏电流极小，在R2上产生的压降也极小，此时VR2 <VGSon, NMOS-FET处于截止状态也不导通。输出两路也都没有电压。 当两路电压都建立完成，即正负供电都正常后，因为DC1+DC2 > VD1，稳压二极管工作在反相击穿稳压区，使得Rl和R2都有一定的电路通过，而Rl和R2产生的压降使得两个MOSFET场效应管都导通。输出两路都像负载正常供电。并且因为Rl和R2的电流建立时间是一致的，MOSFET导通的时间也是一致的，则输出供电建立的时间也是一致的,对于后续供电来说不存在断项供电的情况。如果需要对输出电压做监测，则监测任何一路供电都可以确定正负两项供电的情况。 正负供电同步建立和断相保护机制电路，考虑到对MOSFET三极管栅极电流的限制，电路增加了电阻R3和R4。【权利要求】1.一种正负供电同步建立和断相保护机制电路，其特征在于包括:第一直流电源(DCl)、第二直流电源本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种正负供电同步建立和断相保护机制电路，其特征在于包括：第一直流电源(DC1)、第二直流电源(DC2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、稳压二极管(D1)、P型MOS‑FET场效应管(P‑MOS)、N型MOS‑FET场效应管(N‑MOS)、第一负载(LOAD1)、第二负载(LOAD2)；第一直流电源(DC1)的负极与第二直流电源(DC2)的正极相连；第一电阻(R1)的一端与第一直流电源(DC1)的正极相连，另一端与稳压二极管(D1)的负极相连；第二电阻(R2)的一端与第二直流电源(DC2)的负极相连，另一端与稳压二极管(D1)的正极相连；P型MOS‑FET场效应管(P‑MOS)的栅极与稳压二极管(D1)的负极相连，源级与第一直流电源(DC1)的正极相连，漏极与第一负载(LOAD1)一端连接；N型MOS‑FET场效应管(N‑MOS)的栅极与稳压二极管(D1)的正极相连，源级与第二直流电源(DC2)的负极相连，漏极与第二负载(LOAD2)一端连接；第一负载(LOAD1)一端与P型MOS‑FET场效应管(P‑MOS)的源级相连，另一端与第二负载(LOAD2)相连；第二负载(LOAD2)一端与N型MOS‑FET场效应管(N‑MOS)的源级相连，另一端与第二负载(LOAD2)相连；第一直流电源(DC1)的负极还与，第一负载(LOAD1)和第二负载(LOAD2)的连接处相连。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：鲍长君，
申请(专利权)人：上海龙诚自动化系统有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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