本发明专利技术提供一种磁记录介质和磁存储装置。该磁记录介质具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磁记录介质和磁存储装置。
技术介绍
近年，对硬盘驱动器HDD的大容量化的要求日益提高。作为满足该要求的手段，已经提出了热辅助记录方式和高频辅助记录方式。热辅助记录是指采用安装了激光光源的磁头对磁记录介质进行加热并进行记录的方式。另一方面，高频辅助记录是指进行从安装了STO(Spin·Torque·Oscillator)的磁头所发生的高频磁场的施加并进行记录的方式。在热辅助记录和高频辅助记录中，因为藉由热或高频可对反转磁场进行大幅度的降低，所以可在记录介质的磁性层中使用磁晶异方性常数Ku较高的材料。为此，可在维持热稳定性的同时进行磁性粒径的微细化，并可实现1Tbit/inch2级别的面密度。作为高Ku磁性材料，提出了L10型FePt合金、L10型CoPt合金、L11型CoPt合金等的有序合金等。另外，在磁性层中，为了对由上述有序合金所组成的结晶粒进行隔离(isolate)，还添加了作为粒界相材料(grain boundary phase material)的SiO2、TiO2等的氧化物或C、BN等。藉由构成为在粒界相被分离的磁性结晶粒的粒状结构，与没有包含粒界相材料的情况相比，可降低磁性颗粒间的交换结合(耦合)，并可实现较高的介质SN比(Signal-to-Noise ratio)，这是熟知的。另一方面，藉由形成软磁性底层(软磁性衬里层)可改善写入特性和重写特性，这也是熟知的。作为软磁性底层，例如，专利文献1中公开了使用FeCoTaZr非结晶合金。另外，专利文献2、3中公开了使用NiFe、CoF合金等的结晶质结构的软磁性底层和FeTaC合金等的微结晶结构的软磁性底层。在磁性层中使用L10型FePt合金的高Ku介质的情况下，为了对L10型结晶结构的有序度进行改善，一般要进行500℃以上的基板加热。为此，在软磁性底层中使用了即使在500℃以上加热的情况下软磁气特性也不会恶化的材料。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]特开2009－158053号公报[专利文献2]特开2010－182386号公报[专利文献3]特开2011－146089号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的课题]然而，近年，需要进一步提高磁记录介质的介质SN比和重写特性的呼声越来越高，因此，仅采用向磁性层添加粒界相材料的方法或上述专利文献所开示的设置软磁性底层的方法等，已经不能满足所要求的性能。本专利技术是鉴于上述现有技术中的问题而提出的，其目的在于，提供一种介质SN比较高、重写特性较好的磁记录介质。[用于解决课题的手段]本专利技术的实施例所提供的磁记录介质的特征在于，具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间，其中，所述多个底层中的至少1层是软磁性底层，其由(11·0)面被排列(oriented)为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方(hexagonal close-packed)结构的合金所构成。[专利技术的效果]根据本专利技术的实施例，可提供一种介质SN比较高、重写特性较好的磁记录介质。附图说明[图1]本专利技术第2实施方式的磁气记录装置的结构图。[图2]本专利技术第2实施方式的磁头的结构图。[图3]实验例1所制作的磁记录介质的层结构的截面图。[图4]实验例2所制作的磁记录介质的层结构的截面图。[符号说明]100 磁存储装置101，212 磁记录介质301，401 玻璃基板304，406 软磁性底层308，409 磁性层具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明，然而，本专利技术并不限定于下述实施方式，只要不脱离本专利技术的技术范围，可对下述实施方式进行各种各样的变形和置换。[第1实施方式]以下对本实施方式的磁记录介质的结构例进行说明。本实施方式的磁记录介质具有：基板；包含具有L10结构的合金的磁性层；及配置在基板和磁性层之间的多个底层。另外，多个底层中的至少1层由软磁性底层构成，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金构成。这里，对各层进行说明。作为基板对其并无特别的限定，然而，例如可使用玻璃基板，尤其是优选使用耐热玻璃基板。另外，在本实施方式的磁记录介质中，在基板和包含具有后述的L10结构的合金的磁性层之间可设置多个底层。另外，多个底层中的至少1层可由软磁性底层构成。下面对该软磁性底层进行说明。这里，软磁性底层的磁气异方性最好为朝向膜面内方向。另外，后述的磁性层中的具有L10结构的合金优选为(001)排列。为此，在软磁性底层中，优选使用不会对具有L10结构的合金的(001)排列进行妨碍的材料。上述软磁性底层可由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构(以下，也记为「HCP结构」)的合金(以下，也记为「Co合金」)所构成。软磁性底层中使用的Co金属、Co合金为结晶质，具有可使介质SN比、写入特性、重写特性OW改善的功能。另外，如上所述，因为(11·0)面具有与基板面大致平行的配向(排列)，磁化方向为膜面内，所以信号再生时，不会对再生磁头产生较大的影响。因为软磁性底层最好具有较高的磁化，所以Co合金中所包含的添加元素的添加量最好为较少。但是，为了对晶格错合(misfit)进行缓和或为可了提高磁化，软磁性底层优选为含有从Fe、Ni、Cr、Mn、V、Ru、Re、Pt、Pd所组成的元素群中所选择的至少一种元素。只要在不使Co合金的HCP结构劣化的范围内，对上述添加元素的添加量并无特别的限定，但是，最好为大致30at％以下。软磁性底层可为由上述预定的Co金属或Co合金所构成的单层结构，也可为介由了非磁性中间层的积层结构。对非磁性中间层并无特别的限定，例如可由V、Cr、Ru、Cu、Ir、Nb、Mo、Re、Rh、Ta、W、Re、Ir等构成。介由上述非磁性中间层，使由Co金属或Co合金所构成的软磁性底层进行反强磁性结合，据此，漏泄磁化相杀，可降低介质噪音。软磁性底层如上所述具有(11·0)面与基板面平行的配向性。对使软磁性底层变为这样的配向性的方法并无特别的限定，例如可列举出设置第1配向控制底层，并在第1配向控制底层上形成软磁性底层的方法。即，优选为，多个底层包含配向控制底层，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁记录介质，具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间，其中，所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。
【技术特征摘要】
2013.07.03 JP 2013-1398251.一种磁记录介质，具有：
基板；
磁性层，包含具有L10结构的合金；及
多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间，
其中，
所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为
与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。
2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：
所述软磁性底层含有从Fe、Ni、Cr、Mn、V、Ru、Re、Pt、Pd所组成的元素群
中所选择的至少一种元素。
3.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中：
所述多个底层包含由以Cr金属或Cr为主成分并具有BCC结构的合金所构成的底
层，
所述软磁性底层形成在由以所述Cr金属或Cr为主成分并具有BCC结构的合金所
构成...
【专利技术属性】
技术研发人员：神边哲也，丹羽和也，村上雄二，张磊，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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